本發(fā)明屬于LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種芯片級(jí)LED封裝器件，具體地說(shuō)涉及一種發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件及封裝工藝。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，在全球節(jié)能減排的趨勢(shì)下，LED光源得到了迅猛的發(fā)展，LED光源與傳統(tǒng)光源相比，具有壽命長(zhǎng)、體積小、效率高、響應(yīng)速度快、抗震、節(jié)能、無(wú)污染等優(yōu)點(diǎn)，是一種“綠色光源”，LED光源勢(shì)必得到大規(guī)模應(yīng)用。

在LED光源的生產(chǎn)工藝中，封裝是一個(gè)承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，封裝的作用在于為發(fā)光芯片提供足夠的保護(hù)，防止芯片在空氣中長(zhǎng)期暴露老化或受到機(jī)械性損傷而失效，同時(shí)還應(yīng)保證封裝后的光源具有良好的光取出效率和良好的散熱性。LED的傳統(tǒng)封裝是先將芯片固定到基板上，然后在基板上對(duì)芯片實(shí)現(xiàn)封裝工藝，采用這種封裝工藝形成的LED器件，一方面，在封裝過(guò)程中，芯片可能會(huì)出現(xiàn)移動(dòng)的現(xiàn)象，造成芯片封裝的位置精度不高，而且還會(huì)影響到芯片與基板的導(dǎo)電性能，另一方面，封裝膠的厚度均勻性難以控制，對(duì)出光也有一定的影響。

隨著倒裝芯片的出現(xiàn)，研發(fā)人員逐漸開(kāi)發(fā)出一種芯片級(jí)尺寸封裝技術(shù)(CSP LED；Chip Scale Package LED)，是在芯片底面設(shè)有電極，直接在芯片的上表面和側(cè)面封裝上封裝膠體，使底面的電極外露，由于這種封裝結(jié)構(gòu)并無(wú)支架或基板，可降低封裝成本，并且可使單個(gè)器件的封裝簡(jiǎn)單化、小型化，物料成本低、產(chǎn)能大。

目前倒裝型芯片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)主要為以下結(jié)構(gòu)：藍(lán)寶石芯片具有正負(fù)電極，直接在芯片的上表面(和側(cè)面封裝熒光膠體，使芯片的電極外露。這種結(jié)構(gòu)存在如下問(wèn)題(1)發(fā)光角度大，不利于二次光學(xué)的設(shè)計(jì)，二次光學(xué)設(shè)計(jì)時(shí)，光的萃取率相對(duì)偏低；(2)熒光粉為不透明的微米級(jí)固體顆粒，混在膠水中，在與芯片表面接觸處，熒光粉顆粒周圍易形成氣泡，影響膠層與芯片的粘合力,熒光粉顆粒對(duì)光會(huì)有后反射作用，影響藍(lán)光和熒光的萃取率，降低出光效率；熒光膠中的膠水折射率一般1.4-1.54，而LED芯片藍(lán)寶石折射率1.78，兩者折射率相差較大，易造成光的全發(fā)射，從而降低了器件的發(fā)光效率。(3)由于芯片側(cè)面和正面的出光量不一致，容易導(dǎo)致熒光膠層的厚度與覆晶芯片各個(gè)方向上的光能量匹配不好，容易出現(xiàn)空間光色不均勻現(xiàn)象。

另外在應(yīng)用端，芯片級(jí)封裝器件通常會(huì)采用一些金屬焊料實(shí)現(xiàn)電氣連通，如錫膏、銀膠等。在使用錫膏時(shí)，助焊劑的殘留會(huì)影響器件的光色參數(shù)及其可靠性；而使用銀膠作為焊料時(shí)，器件在長(zhǎng)時(shí)間使用中，銀離子沿電流方向遷移，在電極間隙的兩端產(chǎn)生銀須，易出現(xiàn)器件短路，給產(chǎn)品的可靠性帶來(lái)很大的隱患。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為此，本發(fā)明正是要解決上述技術(shù)問(wèn)題，從而提出一種發(fā)光角度可調(diào)、芯片處不易產(chǎn)生氣泡、光色均勻且不易短路、可靠性優(yōu)良的發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件及封裝工藝。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案為：

本發(fā)明提供一種發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件，其包括底面設(shè)有電極的藍(lán)寶石LED芯片，所述電極由正極和負(fù)極組成，所述正極與負(fù)極之間具有空隙，所述LED芯片的頂部和側(cè)面設(shè)置有擴(kuò)散層，所述擴(kuò)散層頂部設(shè)置有熒光膠層，所述LED芯片、擴(kuò)散層、熒光膠層的側(cè)面設(shè)置有第一白墻膠層，所述LED芯片的藍(lán)寶石折射率大于所述擴(kuò)散層的折射率，所述擴(kuò)散層的折射率大于所述熒光膠層的折射率。

作為優(yōu)選，所述正極和負(fù)極之間的空隙中設(shè)置有第二白墻膠層，所述第二白墻膠層底部具有向遠(yuǎn)離所述電極方向延伸的延伸部，所述延伸部底面與所述第一白墻膠層底面平齊。

作為優(yōu)選，所述第一白墻膠層與所述擴(kuò)散層、熒光層相接觸的表面形狀為平面、拋物面或橢球面。

作為優(yōu)選，所述延伸部的厚度為1-200μm。

作為優(yōu)選，所述LED芯片為藍(lán)寶石芯片，折射率為1.78，所述擴(kuò)散層的折射率為1.3-1.7，所述熒光膠層的折射率為1.29-1.69。

作為優(yōu)選，所述擴(kuò)散層由擴(kuò)散粉與封裝膠混合制得，所述擴(kuò)散層的厚度為1-1000μm。

作為優(yōu)選，所述熒光膠層由稀土摻雜的無(wú)機(jī)熒光粉與封裝膠混合制得，厚度為1-1000μm。

作為優(yōu)選，所述擴(kuò)散粉為甲基硅烷、苯基硅烷、聚硅氧烷中的至少一種；所述封裝膠為硅膠、硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂或聚氨酯；所述第一白墻膠層、第二白墻膠層的反射率不小于95％，材質(zhì)為二氧化鈦或硫酸鋇。

本發(fā)明還提供一種發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件的封裝工藝，其特征在于，包括如下步驟：

S1、固晶，將藍(lán)寶石LED芯片通過(guò)固晶膠固定于耐高溫材料表面；

S2、按照質(zhì)量比0.1-1:1將稀土摻雜的無(wú)機(jī)熒光粉與封裝膠混合配制熒光膠，按照質(zhì)量比0.1-1:1將擴(kuò)散粉與封裝膠配制擴(kuò)散層原料；

S3、在所述步驟S1得到的半成品上模壓擴(kuò)散層、在擴(kuò)散層頂部模壓熒光膠層；

S4、按照預(yù)設(shè)的第一白墻膠層的形狀將多余的擴(kuò)散層和熒光膠層去除；

S5、將所述步驟S4所得到的半成品，轉(zhuǎn)移到另一耐高溫材料表面，所述耐高溫材料表面對(duì)應(yīng)所述藍(lán)寶石LED芯片的電極位置設(shè)置有高度為1-200μm的凸臺(tái)；

S6：在所述步驟S5得到的半成品上模壓第一白膠層和第二白膠層；

S7、烘烤固化。

作為優(yōu)選，所述步驟S3、S6中所述的模壓工序，模壓溫度為80-150℃，模壓壓力為15-120kgf/m²，模壓時(shí)間為2-10min；所述步驟S7中，所述烘烤固化的烘烤溫度為100-150℃，烘烤時(shí)間為2-5h。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)：

(1)本發(fā)明所述的發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件，其包括底面設(shè)有電極的藍(lán)寶石LED芯片，所述電極由正極和負(fù)極組成，所述正極與負(fù)極之間具有空隙，所述LED芯片的頂部和側(cè)面設(shè)置有擴(kuò)散層，所述擴(kuò)散層頂部設(shè)置有熒光膠層，所述LED芯片、擴(kuò)散層、熒光膠層的側(cè)面設(shè)置有第一白墻膠層，所述LED芯片的藍(lán)寶石折射率大于所述擴(kuò)散層的折射率，所述擴(kuò)散層的折射率大于所述熒光膠層的折射率。所述LED封裝器件在LED芯片、擴(kuò)散層、熒光膠層的側(cè)面設(shè)置第一白墻膠層作為反射面，針對(duì)不同出光角度的要求，可以設(shè)計(jì)不同形狀的反射面，得到具有不同發(fā)光角度、發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件；另外，在LED芯片和熒光膠層之間設(shè)置擴(kuò)散層，所述擴(kuò)散層具有比熒光膠高的折射率，縮小了LED芯片與熒光膠層的折射率差距，三者的折射率具有一定梯度，減弱了熒光膠層對(duì)光的后反射作用，提高了LED芯片的出光效率，進(jìn)而提高了器件的光通量，由于擴(kuò)散層中的擴(kuò)散粉和封裝膠的折射率不同，對(duì)光線具有一定散射作用，可改善出光不均(芯片頂部和側(cè)面光線發(fā)射量不同)的情況，提高器件的空間均勻性，還避免了熒光膠層直接與發(fā)光芯片接觸、熒光粉周圍產(chǎn)生氣泡的問(wèn)題。

(2)本發(fā)明所述的發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件，所述正極和負(fù)極之間的空隙中設(shè)置有第二白墻膠層，所述第二白墻膠層底部具有向遠(yuǎn)離所述電極方向延伸的延伸部，所述延伸部底面與所述第一白墻膠層底面平齊。第二白墻膠層和延伸部的設(shè)置可以有效防止銀離子遷移產(chǎn)生的銀須，杜絕了芯片正負(fù)電極之間的短路；延伸部的設(shè)置縮小了助焊劑的擴(kuò)散面積，降低了助焊劑對(duì)產(chǎn)品性能的影響，提高了產(chǎn)品的可靠性；同時(shí)芯片底部反射材料的填充，還提高了芯片的機(jī)械性能，降低了因膨脹系數(shù)不同引起的芯片破裂的風(fēng)險(xiǎn)，提高了芯片與基板的匹配性。

附圖說(shuō)明

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中

圖1是本發(fā)明實(shí)施例1所述的發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例2所述的發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例3所述的發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中附圖標(biāo)記表示為：1-電極；2-LED芯片；3-擴(kuò)散層；4-熒光膠層；5-第一白墻膠層；6-第二白墻膠層。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1

本實(shí)施例提供一種發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件，如圖1所示，其包括底面設(shè)有電極1的藍(lán)寶石LED芯片2，所述電極1由正極和負(fù)極組成，所述正極與負(fù)極之間具有空隙，所述LED芯片2的頂部和側(cè)面設(shè)置有擴(kuò)散層3，所述擴(kuò)散層3位于所述電極1的上方，所述擴(kuò)散層3頂部設(shè)置有熒光膠層4，所述LED芯片2、擴(kuò)散層3、熒光膠層4的側(cè)面設(shè)置有第一白墻膠層5，所述LED芯片2的折射率大于所述擴(kuò)散層3的折射率，所述擴(kuò)散層3的折射率大于所述熒光膠層4的折射率。本實(shí)施例中，所述LED芯片2為藍(lán)寶石芯片，其折射率為1.78，所述擴(kuò)散層3由擴(kuò)散粉和封裝膠混合制得，所述擴(kuò)散粉為甲基硅烷，封裝膠為硅膠，混合得到的擴(kuò)散層3厚度為1μm，折射率為1.7，所述熒光膠層4由稀土摻雜的無(wú)機(jī)熒光粉與封裝膠混合制得，其中熒光粉為摻雜鉺離子的硅酸鹽熒光粉，封裝膠為硅樹(shù)脂，所述熒光膠厚度1μm，折射率為1.7。

其中，所述擴(kuò)散粉比重小、潤(rùn)滑性好、疏水性好，材料顆粒的形狀為球形，粒徑為微米級(jí)，粒徑的分布高度集中，材料的折射率大于1.3，且具有很好的耐熱特性。在高溫下，顆粒能保證本身的球度及表面規(guī)整度，不降解、黃變，對(duì)透光性及擴(kuò)散效果不會(huì)產(chǎn)生負(fù)面影響，同時(shí)擴(kuò)散粉材料還具有很高的純度，對(duì)透光率影響很小。

所述正極和負(fù)極之間的空隙中設(shè)置有第二白墻膠層6，所述第二白墻膠層6包括正極與負(fù)極之間的白墻膠層以及向遠(yuǎn)離所述電極1方向延伸的延伸部，延伸部底面與所述第一白墻膠層5底面平齊，使得第一白墻膠層5與第二白墻膠層6之間成型有溝槽結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中所述延伸部的厚度為1μm，在正極和負(fù)極之間設(shè)置第二白墻膠層6，且使第二白墻膠層6向電極1的底部延伸，使其突出于電極1底面，有效防止了銀離子遷移產(chǎn)生的銀須，杜絕了芯片正負(fù)電極之間的短路；延伸部的設(shè)置還縮小了助焊劑的擴(kuò)散面積，降低了助焊劑對(duì)產(chǎn)品性能的影響，提高了產(chǎn)品的可靠性。

所述第一白墻膠層5、第二白墻膠層6的材質(zhì)為二氧化鈦，反射率為96％，所述第一白墻膠層5與LED芯片2、擴(kuò)散層3、熒光膠層4相接觸的表面形狀為平面，所述第一白墻膠層5還與LED芯片的電極1接觸，如圖所示，所述第一白墻膠層5的截面圖形為具有三個(gè)直角的五邊形。

本實(shí)施例還提供一種發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件的封裝工藝，其包括如下步驟：

S1、在耐高溫材料表面制作制作具有一定排列規(guī)律的定位格點(diǎn)，所述定位格點(diǎn)對(duì)應(yīng)于電極1的位置設(shè)置，將藍(lán)寶石LED芯片2通過(guò)固晶膠固定于耐高溫材料表面，所述耐高溫材料為金屬板、玻璃板或耐高溫膠材，所述固晶膠為熱解膠或UV膠；

S2、按照熒光粉與封裝膠的質(zhì)量比0.1:1的比例配制熒光膠、按照擴(kuò)散粉與封裝膠質(zhì)量比0.1:1的比例配制擴(kuò)散層原料；

S3、在步驟S1得到的半成品中LED芯片2頂部和側(cè)面模壓擴(kuò)散層3、在擴(kuò)散層3頂部模壓熒光膠層4，其中，模壓溫度為80℃，模壓壓力為15kgf/m²，模壓時(shí)間為10min；

S4、按照預(yù)設(shè)的第一白墻膠層的形狀將多余的擴(kuò)散層3和熒光膠層4去除；

S5、將所述步驟S4所得到的半成品，轉(zhuǎn)移到另一耐高溫材料表面，所述耐高溫材料表面對(duì)應(yīng)所述藍(lán)寶石LED芯片的電極位置設(shè)置有高度為1μm的凸臺(tái)，在LED芯片2的正負(fù)電極之間形成第二白墻膠層6及其延伸部的填充空間；

S6、在步驟S5得到的半成品中所述LED芯片2、擴(kuò)散層3、熒光膠層4的側(cè)面模壓第一白墻膠層5、在正負(fù)電極及兩個(gè)凸臺(tái)之間模壓第二白墻膠層6，其中模壓溫度為80℃，模壓壓力為120kgf/m²，模壓時(shí)間為2min；

S7、烘烤固化，將步驟5得到的產(chǎn)品置于100℃的烘箱中烘烤5h，即得所述芯片級(jí)LED器件。

實(shí)施例2

本實(shí)施例提供一種發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件，如圖2所示，其包括底面設(shè)有電極1的藍(lán)寶石LED芯片2，所述電極1由正極和負(fù)極組成，所述正極與負(fù)極之間具有空隙，所述LED芯片2的頂部和側(cè)面設(shè)置有擴(kuò)散層3，所述擴(kuò)散層3位于所述電極1的上方，所述擴(kuò)散層3頂部設(shè)置有熒光膠層4，所述LED芯片2、擴(kuò)散層3、熒光膠層4的側(cè)面設(shè)置有第一白墻膠層5，所述LED芯片2的折射率大于所述擴(kuò)散層3的折射率，所述擴(kuò)散層3的折射率大于所述熒光膠層4的折射率。本實(shí)施例中，所述LED芯片2為藍(lán)寶石芯片，其折射率為1.78，所述擴(kuò)散層3由擴(kuò)散粉和封裝膠混合制得，所述擴(kuò)散粉為甲基硅烷，封裝膠為硅膠，混合得到的擴(kuò)散層3厚度為1000μm，折射率為1.3，所述熒光膠層4由稀土摻雜的無(wú)機(jī)熒光粉與封裝膠混合制得，其中熒光粉為摻雜鉺離子的硅酸鹽熒光粉，封裝膠為硅樹(shù)脂，所述熒光膠厚度1000μm，折射率為1.3。

其中，所述擴(kuò)散粉比重小、潤(rùn)滑性好、疏水性好，材料顆粒的形狀為球形，粒徑為微米級(jí)，粒徑的分布高度集中，材料的折射率大于1.3，且具有很好的耐熱特性。在高溫下，顆粒能保證本身的球度及表面規(guī)整度，不降解、黃變，對(duì)透光性及擴(kuò)散效果不會(huì)產(chǎn)生負(fù)面影響，同時(shí)擴(kuò)散粉材料還具有很高的純度，對(duì)透光率影響很小。

所述正極和負(fù)極之間的空隙中設(shè)置有第二白墻膠層6，所述第二白墻膠層6包括正極與負(fù)極之間的白墻膠層以及向遠(yuǎn)離所述電極1方向延伸的延伸部，延伸部底面與所述第一白墻膠層5底面平齊，使得第一白墻膠層5與第二白墻膠層6之間成型有溝槽結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中所述延伸部的厚度為200μm，在正極和負(fù)極之間設(shè)置第二白墻膠層6，且使第二白墻膠層6向電極1的底部延伸，使其突出于電極1底面，有效防止了銀離子遷移產(chǎn)生的銀須，杜絕了芯片正負(fù)電極之間的短路；延伸部的設(shè)置還縮小了助焊劑的擴(kuò)散面積，降低了助焊劑對(duì)產(chǎn)品性能的影響，提高了產(chǎn)品的可靠性。

所述第一白墻膠層5、第二白墻膠層6的材質(zhì)為二氧化鈦，反射率為96％，所述第一白墻膠層5與LED芯片2、擴(kuò)散層3、熒光膠層4相接觸的表面形狀為拋物面，所述第一白墻膠層5還與LED芯片的電極1接觸。

本實(shí)施例還提供一種發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件的封裝工藝，其包括如下步驟：

S1、在耐高溫材料表面制作制作具有一定排列規(guī)律的定位格點(diǎn)，所述定位格點(diǎn)對(duì)應(yīng)于電極1的位置設(shè)置，將藍(lán)寶石LED芯片2通過(guò)固晶膠固定于耐高溫材料表面，所述耐高溫材料為金屬板、玻璃板或耐高溫膠材，所述固晶膠為熱解膠或UV膠；

S2、按照熒光粉與封裝膠的質(zhì)量比1:1的比例配制熒光膠、按照擴(kuò)散粉與封裝膠質(zhì)量比1:1的比例配制擴(kuò)散層原料；

S3、在步驟S1得到的半成品中LED芯片2頂部和側(cè)面模壓擴(kuò)散層3、在擴(kuò)散層3頂部模壓熒光膠層4，其中，模壓溫度為150℃，模壓壓力為120kgf/m²，模壓時(shí)間為2min；

S4、按照預(yù)設(shè)的第一白墻膠層的形狀將多余的擴(kuò)散層3和熒光膠層4去除；

S5、將所述步驟S4所得到的半成品，轉(zhuǎn)移到另一耐高溫材料表面，所述耐高溫材料表面對(duì)應(yīng)所述藍(lán)寶石LED芯片2的電極位置設(shè)置有高度為200μm的凸臺(tái)，在LED芯片2的正負(fù)電極之間形成第二白墻膠層6及其延伸部的填充空間；

S6、在步驟S5得到的半成品中所述LED芯片2、擴(kuò)散層3、熒光膠層4的側(cè)面模壓第一白墻膠層5、在正負(fù)電極及兩個(gè)凸臺(tái)之間模壓第二白墻膠層6，其中模壓溫度為150℃，模壓壓力為15kgf/m²，模壓時(shí)間為10min；

S7、烘烤固化，將步驟5得到的產(chǎn)品置于150℃的烘箱中烘烤2h，即得所述芯片級(jí)LED器件。

實(shí)施例3

本實(shí)施例提供一種發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件，如圖3所示，其包括底面設(shè)有電極1的藍(lán)寶石LED芯片2，所述電極1由正極和負(fù)極組成，所述正極與負(fù)極之間具有空隙，所述LED芯片2的頂部和側(cè)面設(shè)置有擴(kuò)散層3，所述擴(kuò)散層3位于所述電極1的上方，所述擴(kuò)散層3頂部設(shè)置有熒光膠層4，所述LED芯片2、擴(kuò)散層3、熒光膠層4的側(cè)面設(shè)置有第一白墻膠層5，所述LED芯片2的折射率大于所述擴(kuò)散層3的折射率，所述擴(kuò)散層3的折射率大于所述熒光膠層4的折射率。本實(shí)施例中，所述LED芯片2為藍(lán)寶石芯片，其折射率為1.78，所述擴(kuò)散層3由擴(kuò)散粉和封裝膠混合制得，所述擴(kuò)散粉為甲基硅烷，封裝膠為硅膠，混合得到的擴(kuò)散層3厚度為450μm，折射率為1.55，所述熒光膠層4由稀土摻雜的無(wú)機(jī)熒光粉與封裝膠混合制得，其中熒光粉為摻雜鉺離子的硅酸鹽熒光粉，封裝膠為硅樹(shù)脂，所述熒光膠厚度500μm，折射率為1.48。

其中，所述擴(kuò)散粉比重小、潤(rùn)滑性好、疏水性好，材料顆粒的形狀為球形，粒徑為微米級(jí)，粒徑的分布高度集中，材料的折射率大于1.3，且具有很好的耐熱特性。在高溫下，顆粒能保證本身的球度及表面規(guī)整度，不降解、黃變，對(duì)透光性及擴(kuò)散效果不會(huì)產(chǎn)生負(fù)面影響，同時(shí)擴(kuò)散粉材料還具有很高的純度，對(duì)透光率影響很小。

所述正極和負(fù)極之間的空隙中設(shè)置有第二白墻膠層6，所述第二白墻膠層6包括正極與負(fù)極之間的白墻膠層以及向遠(yuǎn)離所述電極1方向延伸的延伸部，延伸部底面與所述第一白墻膠層5底面平齊，使得第一白墻膠層5與第二白墻膠層6之間成型有溝槽結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中所述延伸部的厚度為50μm，在正極和負(fù)極之間設(shè)置第二白墻膠層6，且使第二白墻膠層6向電極1的底部延伸，使其突出于電極1底面，有效防止了銀離子遷移產(chǎn)生的銀須，杜絕了芯片正負(fù)電極之間的短路；延伸部的設(shè)置還縮小了助焊劑的擴(kuò)散面積，降低了助焊劑對(duì)產(chǎn)品性能的影響，提高了產(chǎn)品的可靠性。

所述第一白墻膠層5、第二白墻膠層6的材質(zhì)為二氧化鈦，反射率為96％，所述第一白墻膠層5與LED芯片2、擴(kuò)散層3、熒光膠層4相接觸的表面形狀為橢球面，所述第一白墻膠層5還與LED芯片的電極1接觸。

本實(shí)施例還提供一種發(fā)光角度可控的芯片級(jí)LED封裝器件的封裝工藝，其包括如下步驟：

S1、在耐高溫材料表面制作制作具有一定排列規(guī)律的定位格點(diǎn)，所述定位格點(diǎn)對(duì)應(yīng)于電極1的位置設(shè)置，將藍(lán)寶石LED芯片2通過(guò)固晶膠固定于耐高溫材料表面，所述耐高溫材料為金屬板、玻璃板或耐高溫膠材，所述固晶膠為熱解膠或UV膠；

S2、按照熒光粉與封裝膠的質(zhì)量比0.5:1的比例配制熒光膠、按照擴(kuò)散粉與封裝膠質(zhì)量比0.6:1的比例配制擴(kuò)散層原料；

S3、在步驟S1得到的半成品中LED芯片2頂部和側(cè)面模壓擴(kuò)散層3、在擴(kuò)散層3頂部模壓熒光膠層4，其中，模壓溫度為120℃，模壓壓力為75kgf/m²，模壓時(shí)間為5min；

S4、按照預(yù)設(shè)的第一白墻膠層的形狀將多余的擴(kuò)散層3和熒光膠層4去除；

S5、將所述步驟S4所得到的半成品，轉(zhuǎn)移到另一耐高溫材料表面，所述耐高溫材料表面對(duì)應(yīng)所述藍(lán)寶石LED芯片的電極位置設(shè)置有高度為50μm的凸臺(tái)，在LED芯片2的正負(fù)電極之間形成第二白墻膠層6及其延伸部的填充空間；

S6、在步驟S5得到的半成品中所述LED芯片2、擴(kuò)散層3、熒光膠層4的側(cè)面模壓第一白墻膠層5，其中模壓溫度為110℃，壓力為80kgf/m²，模壓時(shí)間為6min；

S7、烘烤固化，將步驟5得到的產(chǎn)品置于120℃的烘箱中烘烤3h，即得所述芯片級(jí)LED器件。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。