1.一種DFB半導(dǎo)體激光器制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S11、制備外延片：外延片采用波導(dǎo)和有源區(qū)結(jié)構(gòu)；
步驟S12、制備基片：在外延片表面的光柵層上制備均勻的部分光柵，并對(duì)光柵進(jìn)行掩埋生長(zhǎng)；
步驟S13、制備脊型波導(dǎo)：對(duì)基片進(jìn)行脊型控制腐蝕，制備多個(gè)脊型波導(dǎo)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DFB半導(dǎo)體激光器制備方法，其特征在于，還包括：
步驟S14、制備芯片：將步驟S13制得的樣品依次經(jīng)脊型波導(dǎo)區(qū)域開孔、P面金屬鍍膜、物理研磨減薄、N面金屬鍍膜、合金后進(jìn)行解離，然后在出光端面和背光端面蒸鍍光學(xué)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的DFB半導(dǎo)體激光器制備方法，其特征在于，步驟S11包括如下步驟：
在N-InP襯底上，通過MOCVD外延生長(zhǎng)N-InP緩沖層；
在N-InP緩沖層生長(zhǎng)禁帶寬度和折射率漸變的InAlGaAs下波導(dǎo)層；
在InAlGaAs下波導(dǎo)層上生長(zhǎng)AlGaInAs多量子阱有源層；
在AlGaInAs多量子阱有源層上生長(zhǎng)InAlGaAs上波導(dǎo)層；
在InAlGaAs上波導(dǎo)層上依次生長(zhǎng)低摻雜的P-InP過渡層和P-InGaAsP過渡層；
在P-InGaAsP過渡層上生長(zhǎng)低摻雜P-InP空間層；
在P-InP空間層上依次生長(zhǎng)InGaAsP光柵層和InP保護(hù)層，從而完成一次生長(zhǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的DFB半導(dǎo)體激光器制備方法，其特征在于，步驟S12包括以下步驟：
采用部分光柵光刻板，將靠近出光端面和背光端面一段區(qū)域內(nèi)的光刻膠去掉；
采用雙光束全息方法制備均勻光柵，采用攪拌腐蝕方法形成周期均勻光柵；
對(duì)光柵表面進(jìn)行清洗處理；
放入MOCVD外延爐中在光柵表面依次生長(zhǎng)InP光柵覆蓋層、P-InP過渡層和P-InGaAsP過渡層和P-InGaAs重?fù)诫s層，從而完成二次生長(zhǎng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的DFB半導(dǎo)體激光器制備方法，其特征在于，步驟S13包括以下步驟：
采用PECVD沉積SiO2介質(zhì)層，光刻；
采用H2SO4:H2O2:H2O腐蝕液腐蝕基片表面的P-InGaAs重?fù)诫s層和P-InGaAsP過渡層，接著采用H3PO4:HCl腐蝕至InP光柵覆蓋層，形成多個(gè)脊型波導(dǎo)；
去除表面SiO2介質(zhì)層，再次PECVD沉積SiO2鈍化層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DFB半導(dǎo)體激光器制備方法，其特征在于，所述多個(gè)脊型波導(dǎo)為四個(gè)脊型波導(dǎo)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DFB半導(dǎo)體激光器制備方法，其特征在于，對(duì)每個(gè)脊型波導(dǎo)采用單獨(dú)供電的方式進(jìn)行供電。
8.一種根據(jù)如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法制得的DFB半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述DFB半導(dǎo)體激光器為包含多個(gè)激光器的單顆管芯，多個(gè)激光器各自的脊型波導(dǎo)相互獨(dú)立，每個(gè)脊型波導(dǎo)由對(duì)應(yīng)的激光器焊盤單獨(dú)供電。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的DFB半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述多個(gè)脊型波導(dǎo)位于管芯的中間位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的DFB半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述管芯還包括金屬覆蓋區(qū)域，金屬覆蓋區(qū)域位于脊型波導(dǎo)的上表面。