技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種DFB半導(dǎo)體激光器制備方法，包括以下步驟：步驟S11、制備外延片：外延片采用波導(dǎo)和有源區(qū)結(jié)構(gòu)；步驟S12、制備基片：在外延片表面的光柵層上制備均勻的部分光柵，并對光柵進(jìn)行掩埋生長；步驟S13、制備脊型波導(dǎo)：對基片進(jìn)行脊型控制腐蝕，制備多個(gè)脊型波導(dǎo)。本發(fā)明還涉及該方法制得的DFB半導(dǎo)體激光器。本發(fā)明在制備脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)時(shí)在單顆管芯靠近其中間位置制備多個(gè)脊型波導(dǎo)，多個(gè)脊型波導(dǎo)相互獨(dú)立，并且有各自的電流注入?yún)^(qū)域，其中只要有一個(gè)脊型波導(dǎo)的出光特性合格，則該管芯合格，由此制備的芯片工藝簡便、與常規(guī)工藝兼容，能大幅有效地提高DFB半導(dǎo)體激光器的成品率。

技術(shù)研發(fā)人員：薛正群;蘇輝;王凌華;陳陽華;林琦;林中晞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所
文檔號碼：201710031147
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.17
技術(shù)公布日：2017.05.24