1.集成肖特基二極管的SiC JFET器件，其特征在于，所述SiC JFET器件有源區(qū)的原胞結構從下至上依次為漏極、SiC襯底、buffer層、n-漂移層、左右對稱設置的兩個p+阱層、n溝道層、從左至右依次對稱設置的p+區(qū)，n++區(qū)，p+區(qū)，p+區(qū)，n++區(qū)和p+區(qū)、從左至右依次對稱設置的源極，柵極，肖特基接觸，柵極和源極；其中，所述源極設置在的原胞結構左右兩側相鄰的p+區(qū)和n++區(qū)上方，所述柵極設置在原胞結構左右兩側的中部p+區(qū)上方，所述肖特基接觸設置在有源區(qū)中原胞結構的部分中部n區(qū)上方，在原胞結構中其他部分n區(qū)上方是介質(zhì)和柵極互聯(lián)金屬。
2.根據(jù)權利要求1所述的集成肖特基二極管的SiC JFET器件，其特征在于，所述源極與所述p+阱層電連接。
3.根據(jù)權利要求1所述的集成肖特基二極管的SiC JFET器件，其特征在于，所述源極與所述肖特基二極管電連接。
4.根據(jù)權利要求1所述的集成肖特基二極管的SiC JFET器件，其特征在于，所述SiC JFET器件有源區(qū)中部分原胞結構的部分中間n區(qū)上部無肖特基接觸，而是介質(zhì)，在介質(zhì)上方淀積金屬形成原胞之間柵極互聯(lián)金屬。
5.根據(jù)權利要求1所述的集成肖特基二極管的SiC JFET器件，其特征在于，原胞的平面結構是矩形、條形或六角形，肖特基二極管分布在源區(qū)周圍的所有邊上或部分邊上。
6.根據(jù)權利要求1所述的集成肖特基二極管的SiC JFET器件，其特征在于，所述SiC JFET器件集成的肖特基二極管是不帶場板結構或部分金屬在介質(zhì)上部的場板結構。
7.一種制作權利要求1-6任一所述的集成肖特基二極管的SiC JFET器件的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
1)在外延材料上做上掩膜，然后進行離子注射直至形成左右對稱的兩個p+阱層，之后去除掩膜；
2)利用二次外延的方式形成LJFET的溝道；
3)分別制作掩膜，用離子注入的方式分別形成源極n++和p+區(qū)、柵極p+區(qū)；
4)再進行離子注入，形成源極與p+阱層互聯(lián)的p+區(qū)，同時也形成場限環(huán)形式的p+環(huán)結終端結構；然后進行高溫退火，激活注入的離子；
5)進行犧牲氧化，去掉表面的一層SiC層；再進行熱氧化，表面生長一層SiO2層進行鈍化保護；在源電極窗口和柵電極窗口分別腐蝕掉SiO2層，淀積歐姆接觸金屬，進行退火，形成歐姆接觸；
6)使用光刻、腐蝕工藝去除肖特基接觸窗口上的介質(zhì)；淀積金屬，并用光刻、腐蝕工藝去除肖特基接觸窗口和柵互聯(lián)窗口區(qū)域以外的金屬，并且這兩個窗口不連通；然后進行快速退火，在肖特基窗口上與SiC形成肖特基接觸，在柵互聯(lián)窗口形成原胞之間柵極的互聯(lián)；
7)淀積厚鈍化層，并在源極、肖特基電極區(qū)域、柵電極壓塊區(qū)域開窗口；
8)做上厚的電極金屬，肖特基電極和源極互聯(lián)在一起為同一塊壓塊金屬，形成所有原胞的肖特基電極和源極的互聯(lián)，并與柵電壓塊隔離；便于器件應用時的封裝。
8.根據(jù)權利要求5所述的集成肖特基二極管的SiC JFET器件的制作方法，其特征在于，步驟1)中的在外延材料上做的掩膜為SiO2掩膜。
9.根據(jù)權利要求5所述的集成肖特基二極管的SiC JFET器件的制作方法，其特征在于，步驟3)中制作掩膜的為光刻膠或介質(zhì)，n++區(qū)注入的為N或P離子，p+區(qū)注入的為Al離子。
10.根據(jù)權利要求5所述的集成肖特基二極管的SiC JFET器件的制作方法，其特征在于，步驟4)中高溫退火前在器件表面淀積一層碳層進行保護，退火后用等離子體刻蝕或熱氧化的方式去除該碳層。