1.一種集成肖特基二極管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述SiC MOSFET器件有源區(qū)的原胞結(jié)構(gòu)從下至上依次為漏極、襯底、緩沖層、漂移層、左右對稱設(shè)置的兩個(gè)p阱區(qū)、設(shè)置在所述p阱區(qū)上方相鄰的n++區(qū)和p++區(qū)、從左至右依次對稱設(shè)置的源極、柵極、肖特基金屬、柵極和源極；其中，所述源極設(shè)置在所述n++區(qū)和p++區(qū)上方；所述柵極完全覆蓋在所述p阱區(qū)的表面部分，且柵極兩端分別與其兩側(cè)的n++區(qū)和JFET區(qū)重疊；所述肖特基金屬設(shè)置在所述JFET區(qū)上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成肖特基二極管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述柵極與肖特基金屬和源極通過層間介質(zhì)隔離，肖特基金屬與源極最后通過互聯(lián)壓塊金屬形成電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成肖特基二極管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述肖特基金屬的兩端部分金屬在隔離介質(zhì)上部，形成具有場板結(jié)構(gòu)的肖特基二極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成肖特基二極管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述柵極包括柵介質(zhì)及所述柵介質(zhì)上方的多晶硅導(dǎo)電層；所述柵介質(zhì)的厚度大于10nm，柵介質(zhì)為SiO2或HfO2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成肖特基二極管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述SiC MOSFET器件有源區(qū)中原胞的平面俯視圖結(jié)構(gòu)為條形、矩形或六角形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成肖特基二極管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述襯底為高摻雜低電阻的n+層或者n++層，濃度大于1E18cm-3；所述漂移層的濃度在1E14-1E17cm-3之間，厚度大于5μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成肖特基二極管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述n++區(qū)濃度大于1E19cm-3，深度大于100nm；所述p++區(qū)的濃度大于1E19cm-3，深度大于100nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成肖特基二極管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述n++區(qū)與所述p阱區(qū)底部有一設(shè)定的間隔。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成肖特基二極管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述肖特基金屬為Ti、Mo、Ni、Pt或TiW。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成肖特基二極管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述p阱區(qū)的摻雜深度大于所述n++區(qū)。