本發(fā)明涉及到LED技術領域，特別是一種在同一襯底上實現(xiàn)藍綠光加紅光熒光粉發(fā)光LED。

背景技術：

在LED行業(yè)最為常見的方式是藍光LED搭配黃色熒光粉產(chǎn)生白光，目前市面上有藍光LED搭配黃色熒光粉產(chǎn)生白光和藍光LED搭配綠色熒光粉以及紅色熒光粉產(chǎn)生白光，特別是藍光LED搭配氟化物熒光粉的高色域方案，目前已被日亞以及通用電氣申請為專利。

現(xiàn)有的LED白光技術為藍光LED搭配黃色熒光粉產(chǎn)生白光，但是此種方式所產(chǎn)生的白光色域覆蓋率低，導致顏色失真，色彩不飽和，不能滿足現(xiàn)代人對色彩的需求。基于該原因，為提升白光的色域，通過藍光LED搭配紅色熒光粉以及綠色熒光粉來實現(xiàn)，但是由于材料以及工藝的原因?qū)е戮G色熒光粉的半波寬不像紅光那樣做的窄(在7.5nm左右)，進而導致色域不能夠做到100％甚至更高。而目前LED的技術相對成熟，LED晶片的半波寬可以做的很窄，可以做到25nm左右。這樣通過在同一襯底通過磊晶生長出超窄波長(50nm以下)的藍光、綠光LED，在搭配超窄波長(在7.5nm左右)的紅色熒光粉便可制備出色域可以超出100％標準NTSC的廣色域LED。

技術實現(xiàn)要素：

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種在同一襯底上實現(xiàn)藍綠光加紅光熒光粉的發(fā)光LED，其包括以下步驟：

S1：將襯底粗化，在襯底上涂上一層大于10μm耐高溫的光刻膠；將事先做好的藍光鏤空光罩板放置在光刻膠上，通過曝光、顯影、光刻將曝光部分去除掉；

S2:將光刻后的襯底放到藍光外延爐里磊晶生長，藍光磊晶完成后，再二次涂布一層光刻膠，將事先做好的綠色鏤空光罩板放置在光刻膠上，通過曝光、顯影、光刻將曝光部分去除掉；

S3:將光刻后的襯底放到綠光外延爐里磊晶生長，最后通過蒸鍍、電極制作、測試工藝將藍綠LED作為一體進行裂片，得到統(tǒng)一襯底的藍綠光晶片。

較佳地，將藍綠光晶片(2)通過固晶膠將其固定在LED支架(4)碗杯內(nèi)，LED正極通過導線(1)與led支架(4)正極引線架連接，LED負極通過導線(1)與led支架(4)負極引線架連接，藍綠光晶片(2)之間通過導線(1)相連，將混合有紅色熒光粉的封裝膠(3)灌注在LED支架(4)碗杯內(nèi)，經(jīng)50-150攝氏度2-4小時烘烤固化。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明通過在同一襯底通過磊晶生長出超窄波長(50nm以下)的藍光、綠光LED，搭配超窄波長的紅色熒光粉便可制備出色域可以超出100％標準NTSC的廣色域LED。

當然，實施本發(fā)明的任一產(chǎn)品并不一定需要同時達到以上所述的所有優(yōu)點。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術方案，下面將對實施例描述所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的發(fā)光LED制作流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提供了一種在同一襯底上實現(xiàn)藍綠光加紅光熒光粉的發(fā)光LED，其包括以下步驟：

如圖1所示：

S1：將襯底粗化，在襯底上涂上一層大于10μm耐高溫的光刻膠；將事先做好的藍光鏤空光罩板放置在光刻膠上，通過曝光、顯影、光刻將曝光部分去除掉；

S2:將光刻后的襯底放到藍光外延爐里磊晶生長，藍光磊晶完成后，再二次涂布一層光刻膠，將事先做好的綠色鏤空光罩板放置在光刻膠上，通過曝光、顯影、光刻將曝光部分去除掉；

S3:將光刻后的襯底放到綠光外延爐里磊晶生長，最后通過蒸鍍、電極制作、測試工藝將藍綠晶片作為一體進行裂片，得到統(tǒng)一襯底的藍綠光晶片。

如圖2所示：

將藍綠光晶片(2)通過固晶膠將其固定在LED支架(4)碗杯內(nèi)，LED正極通過導線(1)與led支架(4)正極引線架連接，LED負極通過導線(1)與led支架(4)負極引線架連接，藍綠光晶片(2)之間通過導線(1)相連，將混合有紅色熒光粉的封裝膠(3)灌注在LED支架(4)碗杯內(nèi)，經(jīng)50-150攝氏度2-4小時烘烤固化。

本發(fā)明通過在同一襯底通過磊晶生長出超窄波長(50nm以下)的藍光、綠光晶片，搭配超窄波長的紅色熒光粉便可制備出色域可以超出100％標準NTSC的廣色域LED。

以上公開的本發(fā)明優(yōu)選實施例只是用于幫助闡述本發(fā)明。優(yōu)選實施例并沒有詳盡敘述所有的細節(jié)，也不限制該發(fā)明僅為所述的具體實施方式。顯然，根據(jù)本說明書的內(nèi)容，可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實施例，是為了更好地解釋本發(fā)明的原理和實際應用，從而使所屬技術領域技術人員能很好地理解和利用本發(fā)明。本發(fā)明僅受權利要求書及其全部范圍和等效物的限制。