1.一種氣體流量控制裝置，包括內(nèi)環(huán)管道和外環(huán)管道；其特征在于，還包括獨(dú)立的至少兩個(gè)管路系統(tǒng)；其中，
各所述管路系統(tǒng)包括第一支路和第二支路，所述第一支路與所述內(nèi)環(huán)管道相連，所述第二支路與所述外環(huán)管道相連。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體流量控制裝置，其特征在于，所述第一支路包括：第一進(jìn)氣管路，連接在所述內(nèi)環(huán)管道與所述第一進(jìn)氣管路之間的第一小流量管路，連接在所述內(nèi)環(huán)管道與所述第一進(jìn)氣管路之間的第一大流量管路，設(shè)置在所述第一小流量管路上的第一流量控制器和設(shè)置在所述第一大流量管路上的第二流量控制器。
3.如權(quán)利要求2所述的氣體流量控制裝置，其特征在于，所述第二支路包括：第二進(jìn)氣管路、連接在所述外環(huán)管道與所述第二進(jìn)氣管路之間的第二小流量管路，連接在所述外環(huán)管道與所述第二進(jìn)氣管路之間的第二大流量管路，設(shè)置在所述第二小流量管路上的第一流量控制器和設(shè)置在所述第二大流量管路上的第二流量控制器。
4.如權(quán)利要求2或3所述的氣體流量控制裝置，其特征在于，所述第一進(jìn)氣管路和所述第二進(jìn)氣管路為同一進(jìn)氣管路。
5.如權(quán)利要求4所述的氣體流量控制裝置，其特征在于，所述第一小流量管路和所述第二小流量管路通過(guò)同一管路與進(jìn)氣管路相連。
6.如權(quán)利要求4所述的氣體流量控制裝置，其特征在于，所述第一大流量管路和所述第二大流量管路通過(guò)同一管路與進(jìn)氣管路相連。
7.一種等離子體刻蝕設(shè)備，包括用于刻蝕反應(yīng)的腔室，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的氣體流量控制裝置，所述氣體流量控制裝置通過(guò)內(nèi)環(huán)管道和外環(huán)管道向所述腔室通入氣體。