技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種氣體流量控制裝置及等離子體刻蝕設(shè)備，氣體流量控制裝置包括內(nèi)環(huán)管道和外環(huán)管道；還包括獨(dú)立的至少兩個(gè)管路系統(tǒng)；其中，各管路系統(tǒng)包括第一支路和第二支路，第一支路與內(nèi)環(huán)管道相連，第二支路與外環(huán)管道相連。本發(fā)明實(shí)施例提供的氣體流量控制裝置通過(guò)設(shè)置包括獨(dú)立的至少兩個(gè)管路系統(tǒng)，將不同的氣體通過(guò)各自的管路系統(tǒng)通入至內(nèi)環(huán)管道和外環(huán)管道后進(jìn)行各自分配，根據(jù)工藝需求，調(diào)節(jié)各種氣體的內(nèi)環(huán)管道和外環(huán)管道的分配比，并且不同氣體的內(nèi)環(huán)管道和外環(huán)管道的分配調(diào)節(jié)互不干擾。因此本發(fā)明實(shí)施例提供的上述氣體流量控制裝置用于等離子體刻蝕時(shí)，可以很大程度提高刻蝕效果及刻蝕均一性。

技術(shù)研發(fā)人員：常新園;高才勇;劉浩;常維;王志強(qiáng);呂俊君;崔镕各
受保護(hù)的技術(shù)使用者：重慶京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
文檔號(hào)碼：201710060764
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.25
技術(shù)公布日：2017.05.10