本發(fā)明的實(shí)施方式之一涉及半導(dǎo)體器件、具有半導(dǎo)體器件的顯示裝置和它們的制作方法。

背景技術(shù)：

作為表示半導(dǎo)體特性的代表性例子，能夠舉出硅元素(硅)和鍺等第14族元素。特別是由于硅容易獲得、容易加工、半導(dǎo)體特性優(yōu)良、特性容易控制等，幾乎在所有的半導(dǎo)體器件中使用，被定位為支撐電子學(xué)產(chǎn)業(yè)的基干的材料。

近年來(lái)，發(fā)現(xiàn)在氧化物、特別是銦和鎵等13族元素的氧化物中存在半導(dǎo)體特性，以此為契機(jī)進(jìn)行了全力以赴的研究開(kāi)發(fā)。作為展現(xiàn)出半導(dǎo)體特性的氧化物(以下稱為氧化物半導(dǎo)體)的代表例，已知有銦鎵氧化物(igo)和銦鎵鋅氧化物(igzo)等。最近的全力以赴的研究開(kāi)發(fā)的結(jié)果，已經(jīng)達(dá)到具有包含這些氧化物半導(dǎo)體的晶體管作為半導(dǎo)體元件的顯示裝置上市銷售的程度。此外，例如如日本特開(kāi)2015-225104號(hào)公報(bào)、國(guó)際公開(kāi)第2015-031037號(hào)公報(bào)、美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第2010/0182223號(hào)公報(bào)所公開(kāi)的，組裝有將具有含硅半導(dǎo)體(以下稱為硅半導(dǎo)體)的晶體管和具有氧化物半導(dǎo)體的晶體管這兩者的半導(dǎo)體器件也已被開(kāi)發(fā)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案

本發(fā)明的實(shí)施方式之一是一種半導(dǎo)體器件，具有：第1晶體管，其位于襯底上，具有柵極電極、氧化物半導(dǎo)體膜和柵極電極與氧化物半導(dǎo)體膜之間的柵極絕緣膜；絕緣膜，其位于第1晶體管上，具有第1膜和第1膜上的第2膜；和端子，其通過(guò)絕緣膜內(nèi)的開(kāi)口部與氧化物半導(dǎo)體膜電連接。絕緣膜具有與端子接觸的第1區(qū)域，第1區(qū)域與絕緣膜的其它區(qū)域相比氧的組成大。

本發(fā)明的實(shí)施方式之一是一種顯示裝置，具有：第1晶體管，其位于襯底上，具有柵極電極、氧化物半導(dǎo)體膜和柵極電極與氧化物半導(dǎo)體膜之間的柵極絕緣膜；絕緣膜，其位于第1晶體管上，具有第1膜和第1膜上的第2膜；端子，其通過(guò)絕緣膜內(nèi)的開(kāi)口部與氧化物半導(dǎo)體膜電連接；端子上的平坦化膜；和平坦化膜上的顯示元件。絕緣膜具有與端子接觸的第1區(qū)域，第1區(qū)域與絕緣膜的其它區(qū)域相比氧的組成大。

本發(fā)明的實(shí)施方式之一是一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括以下步驟：在襯底上形成第1晶體管，該第1晶體管具有柵極電極、氧化物半導(dǎo)體膜和柵極電極與氧化物半導(dǎo)體膜之間的柵極絕緣膜，在第1晶體管上形成具有第1膜和第1膜上的第2膜的絕緣膜，在絕緣膜形成開(kāi)口部，在開(kāi)口部的表面部分以使得絕緣膜具有與其它區(qū)域相比氧的組成大的第1區(qū)域的方式對(duì)絕緣膜進(jìn)行氧化，以與氧化物半導(dǎo)體膜電連接的方式在開(kāi)口部形成端子。

附圖說(shuō)明

圖1a、圖1b表示本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件的截面示意圖和氧組成曲線圖。

圖2a至圖2d是表示本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件的制作方法的截面示意圖。

圖3a至圖3d是表示本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件的制作方法的截面示意圖。

圖4a至圖4c是表示本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件的制作方法的截面示意圖。

圖5a至圖5c表示本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件的截面示意圖和氧組成曲線圖。

圖6a至圖6c是表示本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件的制作方法的截面示意圖。

圖7a、圖7b是表示本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件的制作方法的截面示意圖。

圖8是本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件的截面示意圖。

圖9a至圖9c是表示本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件的制作方法的截面示意圖。

圖10a至圖10c是表示本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件的制作方法的截面示意圖。

圖11a、圖11b是表示本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件的制作方法的截面示意圖。

圖12a、圖12b是表示本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件的制作方法的截面示意圖。

圖13是本發(fā)明的實(shí)施方式之一的顯示裝置的俯視示意圖。

圖14表示本發(fā)明的實(shí)施方式之一的顯示裝置的像素的等價(jià)電路。

圖15是本發(fā)明的實(shí)施方式之一的顯示裝置的截面示意圖。

圖16是本發(fā)明的實(shí)施方式之一的顯示裝置的截面示意圖。

圖17是本發(fā)明的實(shí)施方式之一的顯示裝置的截面示意圖。

圖18是本發(fā)明的實(shí)施方式之一的顯示裝置的截面示意圖。

具體實(shí)施方式

以下參照附圖等說(shuō)明本發(fā)明的各實(shí)施方式。其中，本發(fā)明能夠在不脫離其主旨的范圍內(nèi)以各種方式實(shí)施，不應(yīng)該限定為以下所例示的實(shí)施方式的記載內(nèi)容來(lái)進(jìn)行解釋。

附圖為了使說(shuō)明更明確而存在與實(shí)際樣子相比示意地表示各部分的寬度、厚度、形狀等的情況，但這只是一個(gè)例子，并不限定本發(fā)明的解釋。在本說(shuō)明書(shū)和各附圖中，對(duì)于具有與之前的圖中已說(shuō)明的要素同樣功能的要素標(biāo)注相同的標(biāo)記并省略重復(fù)說(shuō)明。

在本發(fā)明中，在加工某一個(gè)膜來(lái)形成多個(gè)膜的情況下，存在這多個(gè)膜具有不同的功能、作用的情況。但是，這多個(gè)膜來(lái)自于由同一個(gè)工序作為同一個(gè)層形成的膜，具有相同的層結(jié)構(gòu)、相同的材料。因此，將這多個(gè)膜定義為存在于同一個(gè)層。

在本說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求的范圍內(nèi)，表示在某一個(gè)結(jié)構(gòu)體上配置其它結(jié)構(gòu)體時(shí)僅表示為“在……上”的情況下，只要沒(méi)有特別否認(rèn)，則包括以與某一個(gè)結(jié)構(gòu)體接觸的方式在緊貼的上方配置其它結(jié)構(gòu)體的情況和在某一個(gè)結(jié)構(gòu)體的上方隔著另外的結(jié)構(gòu)體來(lái)配置其它結(jié)構(gòu)體的情況這兩者。

(第1實(shí)施方式)

在本實(shí)施方式中，用圖1至圖4說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件。

[1.構(gòu)造]

本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件之一的半導(dǎo)體器件100的截面示意圖示于圖1a。半導(dǎo)體器件100在襯底104上隔著底涂層106具有第1晶體管102。第1晶體管102包括柵極電極108、氧化物半導(dǎo)體膜112和被柵極電極108與氧化物半導(dǎo)體膜112夾著的柵極絕緣膜110。第1晶體管102還在氧化物半導(dǎo)體膜112上具有與氧化物半導(dǎo)體膜112電連接的源極漏極電極114、116。在本說(shuō)明書(shū)中，晶體管表示包括柵極電極、氧化物半導(dǎo)體、柵極絕緣膜、一對(duì)源極漏極電極的結(jié)構(gòu)，在這些要素中也可以包含其它要素。

半導(dǎo)體器件100還在第1晶體管102上具有覆蓋氧化物半導(dǎo)體膜112和源極漏極電極114、116的層間膜120。層間膜120是絕緣膜，在本實(shí)施方式中具有三個(gè)膜(第1膜122、第2膜124、第3膜126)。半導(dǎo)體器件100中設(shè)置有貫通層間膜120的第1端子128、第2端子130，第1端子128和第2端子130分別與源極漏極電極114、116電連接。半導(dǎo)體器件100也可以具有平坦化膜132作為任意的結(jié)構(gòu)，能夠在平坦化膜132上形成各種半導(dǎo)體元件、例如顯示元件等。

如圖1a的放大圖(圖中以圓包圍的部分)所示，在層間膜120設(shè)置有第1區(qū)域140。第1區(qū)域140與層間膜120的表面接觸，從層間膜120的表面擴(kuò)展到內(nèi)部。更具體地說(shuō)，在層間膜120的第2膜124中包含第1區(qū)域140，第1端子128、第2端子130與該第1區(qū)域140接觸。因此，第1區(qū)域140以包圍第1端子128和第2端子130的方式形成。該第1區(qū)域140中氧的組成比第2膜124的其它區(qū)域大。

第1區(qū)域140能夠具有氧的組成隨著從表面起的距離的增大而減少的組成曲線。例如如圖1b示意地所示，可以以從第1區(qū)域140與第1端子128或第2端子130的交界面起在與襯底104的上表面平行的方向(圖1a的放大圖中箭頭x的方向)上氧的組成減小的方式形成第1區(qū)域140。氧的組成可以如實(shí)線的直線142所示直線地減少，也可以如曲線143、144所示曲線地減少。氧的組成曲線減少的情況下，也可以以指數(shù)函數(shù)減少。其中，層間膜120中的第1區(qū)域140以外的區(qū)域(其它區(qū)域)是即使從表面起的距離增大氧的組成也實(shí)際上固定的區(qū)域，與圖2(b)中虛線的直線所示的區(qū)域?qū)?yīng)。層間膜120的氧的組成例如通過(guò)二次離子質(zhì)量分析(sims:secondaryionmassspectroscopy)等預(yù)估即可。

在圖1a中作為一個(gè)例子表示的是所謂的底柵頂接觸型的第1晶體管102，但本實(shí)施方式的方式不限于此，能夠采用各種結(jié)構(gòu)。例如第1晶體管102可以是頂柵型的晶體管，源極漏極電極114、116與氧化物半導(dǎo)體膜112的上下關(guān)系，可以是頂接觸型、底接觸型中的任一者。為頂柵型時(shí)，第1晶體管102也能夠具有所謂的自對(duì)準(zhǔn)型的結(jié)構(gòu)。為底柵型時(shí)，第1晶體管102也可以具有氧化物半導(dǎo)體膜112的溝道區(qū)域比被源極漏極電極114、116覆蓋的區(qū)域厚度小的、所謂的溝道蝕刻型的結(jié)構(gòu)?；蛘叩?晶體管102也可以具有在氧化物半導(dǎo)體膜112與源極漏極電極114、116之間存在絕緣膜的溝道阻絕(channelstop)型的結(jié)構(gòu)。柵極電極108也無(wú)需是單一的，也可以是具有兩個(gè)以上的柵極電極的多柵極晶體管。

[2.制作方法]

參照?qǐng)D2至圖4說(shuō)明半導(dǎo)體器件100的制作方法。

2-1.襯底

首先在襯底104上形成底涂層106(圖2a)。襯底104具有支承形成在第1晶體管102和平坦化膜132上的各種半導(dǎo)體元件的功能。因此，襯底104使用具有以下特性的材料即可，即：對(duì)形成在襯底104上的各種元件的工藝的溫度的耐熱性和對(duì)工藝中使用的藥品的化學(xué)穩(wěn)定性。具體而言，襯底104能夠包含玻璃或石英、塑料、金屬、陶瓷等。在對(duì)半導(dǎo)體器件100賦予撓性的情況下，能夠使用高分子材料，例如能夠使用聚酰亞胺、聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯所示的高分子材料。其中，形成撓性半導(dǎo)體器件100時(shí)，襯底104有時(shí)被稱為基材或基底膜。

2-2.底涂層

底涂層106是具有防止堿金屬離子等雜質(zhì)從襯底104向第1晶體管102等擴(kuò)散的功能的膜，能夠包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧氮化硅等無(wú)機(jī)絕緣體。底涂層106能夠使用化學(xué)氣相沉積法(cvd法)或?yàn)R射法、層壓法等以具有單層或疊層結(jié)構(gòu)的方式形成。在使用cvd法的情況下，可以使用四烷氧基硅烷等作為原料氣體。底涂層106的厚度能夠在50nm至1000nm的范圍內(nèi)任意地選擇，不必在襯底104上為一定，底涂層106可以根據(jù)部位的不同而具有不同的厚度。在底涂層106由多個(gè)層構(gòu)成的情況下，例如襯底104上能夠?qū)盈B含有氮化硅的層和在其上的含有氧化硅的層。

其中，在襯底104的雜質(zhì)濃度小的情況下，可以不設(shè)置底涂層106或以僅覆蓋襯底104的一部分的方式形成。例如在作為襯底104使用堿金屬離子濃度小的聚酰亞胺的情況下，能夠不設(shè)置底涂層106而以與襯底104接觸的方式設(shè)置柵極電極108。

2-3.柵極電極

接著在底涂層106上形成柵極電極108(圖2b)。柵極電極108能夠使用鈦、鋁、銅、鉬、鎢、鉭等金屬或其合金等，以具有單層或疊層結(jié)構(gòu)的方式形成。將本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100例如應(yīng)用于顯示裝置等具有大面積的半導(dǎo)體器件時(shí)，為了防止信號(hào)的延遲，優(yōu)選使用鋁、銅等具有高的導(dǎo)電性的金屬。例如能夠采用以鈦、鉬等具有較高熔點(diǎn)的金屬夾持鋁、銅等的結(jié)構(gòu)。

2-4.柵極絕緣膜

接著在柵極電極108上形成柵極絕緣膜110(圖2b)。柵極絕緣膜110可以具有單層結(jié)構(gòu)、疊層結(jié)構(gòu)中的任一種結(jié)構(gòu)，能夠是含硅的無(wú)機(jī)絕緣體，例如能夠包含氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅。為了抑制在氧化物半導(dǎo)體膜112內(nèi)產(chǎn)生載流子，優(yōu)選作為柵極絕緣膜110使用特別是含有氧化硅的絕緣膜。柵極絕緣膜110能夠使用濺射法或cvd法等來(lái)形成。優(yōu)選成膜時(shí)的氣氛中盡可能不含氫氣、水蒸汽等含氫的氣體，由此氫的組成少，能夠形成具有接近化學(xué)計(jì)量(理想配比)或其以上的氧的組成的柵極絕緣膜110。

2-5.氧化物半導(dǎo)體膜

接著在柵極絕緣膜110上形成氧化物半導(dǎo)體膜112(圖2c)。氧化物半導(dǎo)體膜112能夠含有銦和鎵等第13族元素。氧化物半導(dǎo)體膜112可以含有不同的多個(gè)第13族元素，可以是銦與鎵的混合氧化物(igo)。氧化物半導(dǎo)體膜112還可以含有12族元素，作為一個(gè)例子可舉出含有銦、鎵和鋅的混合氧化物(igzo)。氧化物半導(dǎo)體膜112能夠含有其它元素，也可含有作為14族元素的錫、作為4族元素的鈦和鋯等。氧化物半導(dǎo)體膜112的結(jié)晶性也不限定，氧化物半導(dǎo)體膜112可以是單晶、多晶、微晶或非晶。氧化物半導(dǎo)體膜112優(yōu)選氧缺陷等結(jié)晶缺陷少。

氧化物半導(dǎo)體膜112例如利用濺射法等以20nm至80nm或30nm至50nm的厚度形成，通過(guò)圖案化(蝕刻)而被加工成希望的形狀。在使用濺射法的情況下，成膜能夠在含氧氣的氣氛，例如氬與氧氣的混合氣氛中進(jìn)行。此時(shí)，可以使氬的分壓小于氧氣的分壓。

施加到靶的電源可以是直流電源也可以是交流電源，能夠根據(jù)靶的形狀、組成等來(lái)決定。作為靶例如能夠使用包含銦(in)、鎵(ga)、鋅(zn)的混合氧化物(inagabzncod)。此處的a、b、c、d為0以上的實(shí)數(shù)，不限于整數(shù)。因此，在假設(shè)各元素以最穩(wěn)定的離子存在的情況下，上述組成不一定限于電中性的組成。作為靶的組成的一例可舉出ingazno4，但組成不限于此，只要氧化物半導(dǎo)體膜112或包含它的第1晶體管102具有目標(biāo)特性就能夠適當(dāng)選擇。

也可以對(duì)氧化物半導(dǎo)體膜112進(jìn)行加熱處理(退火)。加熱處理可以在氧化物半導(dǎo)體膜112的圖案化前進(jìn)行，也可以在圖案化后進(jìn)行。由于存在由于加熱處理而氧化物半導(dǎo)體膜112的體積減小(收縮)的情況，所以優(yōu)選在圖案化前進(jìn)行加熱處理。加熱處理在氮、干燥空氣或大氣的存在下，在常壓或減壓的情況下進(jìn)行即可。加熱溫度能夠在從250℃到500℃或者從350℃到450℃的范圍內(nèi)選擇，加熱時(shí)間能夠在15分鐘到1小時(shí)的范圍內(nèi)選擇，但也可以在這些范圍之外進(jìn)行加熱處理。通過(guò)該加熱處理，氧被導(dǎo)入到氧化物半導(dǎo)體膜112的氧缺陷中或者氧進(jìn)行位錯(cuò)，從而獲得結(jié)構(gòu)更明確、結(jié)晶缺陷更少且結(jié)晶性更高的氧化物半導(dǎo)體膜112。其結(jié)果是，獲得具有可靠性高、高導(dǎo)通電流或低截止電流、低特性(閾值電壓)不均等優(yōu)良的電特性的第1晶體管102。

圖中未示出，例如在第1晶體管102具有頂柵結(jié)構(gòu)的情況下，也可以對(duì)氧化物半導(dǎo)體膜112摻雜雜質(zhì)，使得氧化物半導(dǎo)體膜112具有與柵極電極108重疊的溝道區(qū)域和源極漏極區(qū)域。在摻雜有雜質(zhì)的區(qū)域產(chǎn)生結(jié)晶缺陷而導(dǎo)電性提高，該區(qū)域能夠作為源極漏極區(qū)域起作用。

2-6.源極漏極電極

接著在氧化物半導(dǎo)體膜112上形成源極漏極電極114、116(圖2d)。源極漏極電極114、116能夠使用可應(yīng)用于柵極電極108的材料、結(jié)構(gòu)和形成方法來(lái)形成。在形成溝道阻絕型的晶體管時(shí)，在氧化物半導(dǎo)體膜112上例如可以形成含有氧化硅的絕緣膜，之后形成源極漏極電極114、116。其中，存在晶體管的源極、漏極根據(jù)晶體管的極性和電流的流向而互換的情況。因此，源極漏極電極114、116都既可以作為源極電極起作用也可以作為漏極電極起作用。

通過(guò)以上工序形成第1晶體管102。

2-7.層間膜

接著在源極漏極電極114、116上形成層間膜120。此處層間膜120具有第1膜122、第2膜124和第3膜126，首先形成第1膜122(圖3a)。

第1膜122能夠含有底涂層106可使用的材料，能夠通過(guò)濺射法、cvd法形成。第1膜122也可以含有氧化鋁和氧化鉻、氮化硼等。第1膜122優(yōu)選為不含氮的無(wú)機(jī)絕緣膜，作為一例可舉出含氧和硅的氧化硅膜。與柵極絕緣膜110的形成同樣地，優(yōu)選在形成第1膜122時(shí)的氣氛中盡量不含氫氣、水蒸汽等含氫的氣體，由此氫的組成小，能夠形成具有接近化學(xué)計(jì)量或其以上的氧組成的第1膜122，其結(jié)果是，能夠獲得穩(wěn)定且具有優(yōu)良的電特性的第1晶體管102。

在第1膜122上形成第2膜124(圖3b)。第2膜124也能夠含有與第1膜122同樣的材料，以同樣的方法形成，但優(yōu)選含有含氮的無(wú)機(jī)絕緣材料、例如含氮和硅的氮化硅。通過(guò)使用氧化硅，阻止可能從其上形成的各種膜(例如平坦化膜132等)擴(kuò)散來(lái)的氫和水等雜質(zhì)，能夠減小對(duì)第1晶體管102的電特性的影響。在將氮化硅用于第2膜124的情況下，能夠使用將氨或氧化氮作為氮源，將四烷氧基硅烷用作反應(yīng)氣體的cvd法。此時(shí)，為了不對(duì)第1晶體管102的電特性產(chǎn)生影響，優(yōu)選減小含氫的氣體的流量，進(jìn)行成膜使得第2膜124的氫的組成變小。此外，優(yōu)選以較低的溫度(優(yōu)選室溫以上300℃以下或室溫以上200℃以下)進(jìn)行成膜。

在第2膜124上形成第3膜126(圖3c)。第3膜126也能夠含有與第1膜122同樣的材料，以同樣的方法形成，但優(yōu)選含有含氧的無(wú)機(jī)絕緣材料、例如含氧和硅的氮化硅。通過(guò)將第1膜122、第2膜124和第3膜126層疊來(lái)形成層間膜120。

接著為了形成第1端子128和第2端子130，在層間膜120形成使源極漏極電極114、116露出的開(kāi)口部(接觸孔)118(圖3d)。開(kāi)口部118例如能夠通過(guò)在含有含氟碳?xì)浠衔锏臍怏w中進(jìn)行等離子體蝕刻來(lái)形成。

在形成開(kāi)口部118之后，將層間膜120的一部分氧化來(lái)形成第1區(qū)域140。氧化處理例如如圖4a所示，能夠通過(guò)對(duì)層間膜120實(shí)施氧等離子體處理來(lái)進(jìn)行。具體而言，在含有含氧氣體(氧、臭氧等)的氣氛下，將襯底104設(shè)置在一對(duì)電極之間，在電極之間施加高頻交流電壓來(lái)形成等離子體。頻率例如能夠選自13.56mhz、2.45ghz等。由此將含氧離子射入層間膜120的表面，層間膜120被氧化。

氧化從含氧的離子所沖擊的層間膜120的表面起進(jìn)行。這里在層間膜120具有例如含有氧化硅的第1膜122、含有氮化硅的第2膜124、含有氧化硅的第3膜126的情況下，第1膜122和第3膜126原來(lái)就含有氧，所以對(duì)于氧化反應(yīng)活性較小。相對(duì)于此，第2膜124原來(lái)不含氧或僅以較少的組成含氧，所以對(duì)于氧化反應(yīng)表現(xiàn)出活性。其結(jié)果是，氧化優(yōu)先對(duì)第2膜124進(jìn)行，在第2膜124形成第1區(qū)域140。

由于氧化，在第2膜124中一部分氮被氧置換，或者氧被導(dǎo)入到結(jié)晶的缺陷部而與硅形成鍵。因此，通過(guò)氧化而形成的第1區(qū)域140與其它區(qū)域相比氧的組成大。該第1區(qū)域140以包圍開(kāi)口部118的方式形成(圖4a)。由于氧化從層間膜120的表面開(kāi)始進(jìn)行，所以第1區(qū)域140與開(kāi)口部118的側(cè)面相接觸，從層間膜120的表面向內(nèi)部擴(kuò)展。換言之，第1區(qū)域140形成開(kāi)口部118的側(cè)面的一部分。因此，第1區(qū)域140的氧的組成隨著從層間膜120的表面起的距離的增大而減少。在第2膜124優(yōu)先進(jìn)行氧化的情況下，由于氧化在與襯底104的上表面平行的方向(圖1a中的x方向)上進(jìn)行，所以在該方向上隨著從與開(kāi)口部118的交界面起的距離的增大，氧的組成減少。氧的組成例如如圖1b所示地減少。因此，第2膜124的第1區(qū)域140及其以外的區(qū)域之間的邊界不一定能夠明確觀測(cè)到。

其中，氧化也可以用濕式處理代替等離子體處理來(lái)進(jìn)行。濕式處理具體是通過(guò)使含氧、臭氧或其它氧化劑的溶液或含氧的水的蒸汽與層間膜120接觸來(lái)進(jìn)行。

也可以在氧化處理結(jié)束之后進(jìn)行酸處理。由此，通過(guò)等離子體處理能夠除去可能形成在源極漏極電極114、116上的氧化膜。酸處理例如能夠使用氫氟酸等含氟化氫的溶液來(lái)進(jìn)行。

2-8.端子

在氧化處理結(jié)束之后，以各自與源極漏極電極114、116相接觸的方式形成第1端子128和第2端子130(圖4b)。由此，第1端子128、第2端子130分別與源極漏極電極114、116電連接并與第1區(qū)域140接觸。第1端子128和第2端子130的形成能夠使用可應(yīng)用于柵極電極108或源極漏極電極114、116的材料、結(jié)構(gòu)、形成方法。

2-9.平坦化膜

形成了第1端子128和第2端子130之后，可以形成平坦化膜132作為任意的結(jié)構(gòu)(圖4c)。平坦化膜132具有吸收第1晶體管102引起的凹凸和傾斜并提供平坦的面的功能。平坦化膜132能夠由有機(jī)絕緣體形成。作為有機(jī)絕緣體，能夠舉出環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚酰胺、聚酯、聚碳酸酯、聚硅氧烷等高分子材料，平坦化膜132能夠通過(guò)旋涂法、噴墨法、印刷法、浸涂法等濕式成膜法來(lái)形成。平坦化膜132也可以具有包含上述有機(jī)絕緣體的層和包含無(wú)機(jī)絕緣體的層的疊層結(jié)構(gòu)。此時(shí)，作為無(wú)機(jī)絕緣體能夠舉出氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧氮化硅等含硅無(wú)機(jī)絕緣體，含無(wú)機(jī)絕緣體的層能夠通過(guò)濺射法或cvd法形成。經(jīng)過(guò)以上工序能夠制作半導(dǎo)體器件100。

如上所述，層間膜120的功能之一是防止從形成在第1晶體管102上的各種膜(例如平坦化膜132)擴(kuò)散的雜質(zhì)向第1晶體管102侵入。因此，層間膜120優(yōu)選含有水、氧的透過(guò)性低的氮化硅。而在形成含氮化硅的膜的情況下，優(yōu)選降低含氫的氮源的氣體的流量，并以較低的溫度成膜，使得不對(duì)第1晶體管102的電特性產(chǎn)生影響。但是在這樣的條件下形成含氮化硅的膜時(shí)，化學(xué)穩(wěn)定性低，用氫氟酸這樣的酸進(jìn)行處理時(shí)可能一部分或者全部都消失，阻截雜質(zhì)的能力顯著降低。例如在形成了開(kāi)口部108之后進(jìn)行酸處理時(shí)，第2膜124被氫氟酸蝕刻(側(cè)面蝕刻)而一部分消失。

然而如上所述，在制作本實(shí)施方式中所述的半導(dǎo)體器件100時(shí)，對(duì)層間膜120進(jìn)行氧化處理，從含氮化硅的膜(例如第2膜124)的表面進(jìn)行氧化反應(yīng)來(lái)形成第1區(qū)域140。由此，在含氮化硅的膜的表面形成氧的組成增大了的區(qū)域而化學(xué)穩(wěn)定性提高，即使進(jìn)行酸處理也能夠防止側(cè)面蝕刻。其結(jié)果是，能夠防止層間膜120的消失及其功能劣化，能夠提供電特性優(yōu)良的半導(dǎo)體器件100。

(第2實(shí)施方式)

在本實(shí)施方式中，用圖5至圖7說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件及其制作方法。關(guān)于與第1實(shí)施方式重復(fù)的內(nèi)容有時(shí)省略說(shuō)明。

[1.構(gòu)造]

圖5a表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件200的截面圖。與半導(dǎo)體器件100的不同點(diǎn)在于層間膜120的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體器件200的層間膜120具有第1膜122和第2膜124，第2膜124在其上表面和與第1端子128、第2端子130相接觸的區(qū)域具有第1區(qū)域150及其以外的區(qū)域(第2區(qū)域)152。關(guān)于該不同點(diǎn)以外的結(jié)構(gòu)能夠援引第1實(shí)施方式。

更具體地說(shuō)，第1膜122與第1實(shí)施方式的第1膜122對(duì)應(yīng)，是氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等含硅的無(wú)機(jī)絕緣膜。第1膜122優(yōu)選是含有不含氮的氧化硅的膜，氫的組成小，通過(guò)具有接近化學(xué)計(jì)量或者其以上的氧的組成，能夠獲得穩(wěn)定且具有優(yōu)良的電特性的第1晶體管102。

第2膜124也是包含氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等含硅無(wú)機(jī)絕緣體的膜。第2膜124是優(yōu)選雜質(zhì)的阻截性高且含有氮化硅那樣的含氮和硅的無(wú)機(jī)絕緣體的膜。第2膜124的功能之一是防止雜質(zhì)向第1晶體管102侵入。

第2膜124的第1區(qū)域150從第2膜124的上表面和與第1端子128、第2端子130相接觸的交界面向內(nèi)部擴(kuò)展，與第2區(qū)域152相比氧的組成高。

與第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件100的第1區(qū)域140一樣，第1區(qū)域150能夠具有氧的組成隨著從表面起的距離的增大而減少的組成曲線。可以以例如如圖5b示意地所示從第1區(qū)域150與第1端子128或第2端子130的交界面起在與襯底104的上表面平行的方向(圖5a中箭頭x的方向)上，氧的組成隨著從表面起的距離的增大而減小的方式來(lái)形成第1區(qū)域150。同樣地也可以以如圖5c所示在從第1區(qū)域150的上表面起在與襯底104的上表面垂直的方向(圖5a中箭頭y的方向)上，氧的組成隨著從表面起的距離的增大而減小的方式來(lái)形成第1區(qū)域150。氧的組成可以如實(shí)線的直線142、146所示直線地減少，也可以如曲線143、144、147、148所示曲線地減少。氧的組成曲線地減少時(shí)，也可以以指數(shù)函數(shù)減少。第2區(qū)域152是即使從表面起的距離增大氧的組成也實(shí)質(zhì)上一定的區(qū)域，與圖5b、圖5c中的虛線所示的區(qū)域?qū)?yīng)。

[2.制作方法]

參照?qǐng)D6、圖7說(shuō)明半導(dǎo)體器件200的制作方法。與第1實(shí)施方式同樣，在襯底104上隔著底涂層106形成第1晶體管102，之后形成層間膜120(圖6a)。層間膜120具有第1膜122和第2膜124，各自相當(dāng)于第1實(shí)施方式的第1膜122和第2膜124。第1膜優(yōu)選具有含硅和氧的氧化硅，第2膜優(yōu)選具有含硅和氮的氮化硅。

形成第2膜124之后，為了形成第1端子128和第2端子130，在層間膜120上形成使源極漏極電極114、116露出的開(kāi)口部118(圖6b)。開(kāi)口部118的形成方法能夠使用第1實(shí)施方式所述的方法。

形成了開(kāi)口部118之后，為了將層間膜120的一部分氧化而進(jìn)行氧化處理。氧化處理能夠與第1實(shí)施方式所述的氧化處理同樣地進(jìn)行。

由于氧化從含氧的離子沖擊的層間膜120的表面進(jìn)行，所以在層間膜120例如具有含氧化硅的第1膜122和含氮化硅的第2膜124的情況下，由于第1膜122原本含有氧，所以對(duì)于氧化反應(yīng)活性較小。相對(duì)于此，第2膜124原來(lái)就不含氧或僅以較少的組成含氧，所以對(duì)于氧化反應(yīng)表現(xiàn)出活性。其結(jié)果是，氧化優(yōu)先對(duì)第2膜124進(jìn)行。

由于氧化，在第2膜124中氮的一部分被氧置換，或者氧被導(dǎo)入到結(jié)晶的缺陷部而與硅形成鍵。因此，在通過(guò)氧化而形成的第1區(qū)域150中與第2區(qū)域152相比氧的組成較高。由于氧化從層間膜120的表面開(kāi)始進(jìn)行，所以第1區(qū)域150不僅在第2膜124的上表面及其附近形成，而且在與開(kāi)口部118的側(cè)面相接觸的部分也形成。因此，第1區(qū)域150與開(kāi)口部118接觸，包圍開(kāi)口部118，從層間膜120的表面向內(nèi)部擴(kuò)展，形成開(kāi)口部118的側(cè)面的一部分(圖6c)。

之后，與第1實(shí)施方式同樣地在開(kāi)口部118形成第1端子128、第2端子130(圖7a)。而且也可以形成平坦化膜132作為任意的結(jié)構(gòu)(圖7b)。通過(guò)至此的工藝能夠獲得半導(dǎo)體器件200。

在本實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體器件200的制作方法中，對(duì)阻截雜質(zhì)的能力高但化學(xué)穩(wěn)定性低的膜(第2膜124)進(jìn)行氧化處理來(lái)將一部分氧化，其結(jié)果是能夠在保留阻截雜質(zhì)的能力高的膜(第2區(qū)域152)的狀態(tài)下提供具有高的化學(xué)穩(wěn)定性的膜(第1區(qū)域150)。因此，能夠提供在進(jìn)行如氫氟酸處理那樣的酸處理時(shí)也穩(wěn)定，并且能夠有效地阻截雜質(zhì)的層間膜120，能夠提供特性的差異小且具有優(yōu)良的電特性的半導(dǎo)體器件。

(第3實(shí)施方式)

在本實(shí)施方式中，用圖8至圖12說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式之一的半導(dǎo)體器件及其制作方法。關(guān)于與第1實(shí)施方式重復(fù)的內(nèi)容有時(shí)省略說(shuō)明。

[1.構(gòu)造]

圖8是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件300的截面示意圖。半導(dǎo)體器件300具有第1實(shí)施方式所述的第1晶體管102，并具有第2晶體管160和第3晶體管162。雖未圖示，能夠具有第2實(shí)施方式所述的第1晶體管102來(lái)代替第1實(shí)施方式所述的第1晶體管102。

更具體地說(shuō)，半導(dǎo)體器件300在襯底104上隔著底涂層106以與底涂層106接觸的方式設(shè)置有第2晶體管160和第3晶體管162。

第2晶體管160和第3晶體管162各自具有含硅的半導(dǎo)體膜(以下稱為硅半導(dǎo)體膜)164、166，其上隔著第2柵極絕緣膜168各自形成有第2柵極電極170、第3柵極電極172。此處所示的第2晶體管160和第3晶體管162都具有頂柵型的自對(duì)準(zhǔn)型結(jié)構(gòu)，但與第1實(shí)施方式的第1晶體管102一樣，第2晶體管160和第3晶體管162也能夠具有各種結(jié)構(gòu)。

硅半導(dǎo)體膜164、166能夠含有單晶硅、多晶硅、微晶硅、非晶硅。以下以硅半導(dǎo)體膜164、166含有多晶硅的實(shí)施方式為例進(jìn)行說(shuō)明。如圖8所示，硅半導(dǎo)體膜164、166具有溝道區(qū)域和源極漏極區(qū)域。在圖8所示的例子中，硅半導(dǎo)體膜164具有溝道區(qū)域164a、源極漏極區(qū)域164b、164c，而硅半導(dǎo)體膜166具有溝道區(qū)域166a、源極漏極區(qū)域166b、166c和低濃度雜質(zhì)區(qū)域(ldd)166d、166e。與溝道區(qū)域164a和166a相比，源極漏極區(qū)域164b、164c、166b、166c的雜質(zhì)濃度高，因此導(dǎo)電性高。作為雜質(zhì)能夠舉出硼、鋁等帶來(lái)p型導(dǎo)電性的元素和磷、氮等帶來(lái)n型導(dǎo)電性的元素。在圖8所示的例子中，硅半導(dǎo)體膜164中摻雜有帶來(lái)p型導(dǎo)電性的元素，硅半導(dǎo)體膜166中摻雜有帶來(lái)n型導(dǎo)電性的元素。

第1晶體管102具有與第1實(shí)施方式中所述的第1晶體管102同樣的結(jié)構(gòu)，其柵極電極108位于第2柵極絕緣膜168上。因此，第2柵極電極170、第3柵極電極172與柵極電極108存在于同一層。

第1晶體管102的柵極絕緣膜110以覆蓋第2柵極電極170、第3柵極電極172的方式延伸。同樣，層間膜120也以覆蓋第2柵極電極170、第3柵極電極172的方式延伸。柵極絕緣膜110、層間膜120也作為保護(hù)第2晶體管160、第3晶體管162的膜起作用。

第2晶體管160還具有源極漏極電極180、182，第3晶體管162還具有源極漏極電極184、186。如后所述，它們能夠與第1晶體管102的第1端子128和第2端子130同時(shí)形成，所以能夠存在于同一層。雖未圖示，源極漏極電極180、182中的一者與源極漏極電極184、186中的一者電連接，可以由第2晶體管160和第3晶體管162形成互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)晶體管。

與第1實(shí)施方式同樣，層間膜120具有第1區(qū)域140。該第1區(qū)域140也包含于第2晶體管160、第3晶體管162，如圖8所示，以包圍源極漏極電極180、182、184、186的方式設(shè)置。第1區(qū)域140與第2膜124的其它區(qū)域相比氧的組成大。

與第1實(shí)施方式同樣，半導(dǎo)體器件300能夠具有平坦化膜132作為任意的結(jié)構(gòu)。

[2.制作方法]

參照?qǐng)D9至圖12說(shuō)明半導(dǎo)體器件300的制作方法。與第1實(shí)施方式相同的記載有時(shí)省略。

2-1.底涂層

在襯底104上形成底涂層106(圖9a)。底涂層106能夠以第1實(shí)施方式所述的方法形成。如圖8和圖9a所示，在本實(shí)施方式中，底涂層106具有由三個(gè)層疊層的結(jié)構(gòu)，能夠適當(dāng)包含第1實(shí)施方式所述的材料。例如底涂層106能夠具有從襯底104側(cè)依次層疊含氧化硅的膜、含氮化硅的膜、含氧化硅的膜而成的結(jié)構(gòu)。

2-2.硅半導(dǎo)體膜

接著在底涂層106上形成硅半導(dǎo)體膜164、166。硅半導(dǎo)體膜164、166的結(jié)晶性沒(méi)有限制，在采用多晶的形態(tài)的情況下，例如使用cvd法以50nm至100nm左右的厚度形成無(wú)定形硅(a-si)，對(duì)其進(jìn)行加熱處理或者照射激光等的光來(lái)進(jìn)行結(jié)晶化即可。結(jié)晶化也可以在鎳等觸媒的存在下進(jìn)行。

2-3.第2柵極絕緣膜

接著以覆蓋硅半導(dǎo)體膜164、166的方式形成第2柵極絕緣膜168(圖9b)。第2柵極絕緣膜168能夠使用與柵極絕緣膜110同樣的材料、方法來(lái)形成。例如第2柵極絕緣膜168將四乙氧基硅烷等烷氧基硅烷用作原料，采用cvd法來(lái)形成。

2-4.柵極電極、第2柵極電極、第3柵極電極

接著在第2柵極絕緣膜168上形成柵極電極108。同時(shí)，以與硅半導(dǎo)體膜164、166重疊的方式形成第2柵極電極170、第3柵極電極172(圖9b)。因此，這些柵極電極存在于同一層。這些柵極電極能夠使用在第1實(shí)施方式中所述的柵極電極108的形成中能夠采用的材料、形成方法來(lái)形成。

之后，將第2柵極電極170、第3柵極電極172用作掩模，從襯底104上對(duì)硅半導(dǎo)體膜164、166進(jìn)行離子注入處理或離子摻雜處理。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件300中，對(duì)硅半導(dǎo)體膜164摻雜賦予p型導(dǎo)電性的離子，在硅半導(dǎo)體膜164的不與第2柵極電極170重疊的區(qū)域形成源極漏極區(qū)域164b、164c，同時(shí)形成實(shí)質(zhì)上沒(méi)有被摻雜離子的溝道區(qū)域164a(圖9c)。另一方面，對(duì)硅半導(dǎo)體膜166摻雜賦予n型導(dǎo)電性的離子，在硅半導(dǎo)體膜166的不與第3柵極電極172重疊的區(qū)域形成源極漏極區(qū)域166b、166c，同時(shí)形成實(shí)質(zhì)上沒(méi)有被摻雜離子的溝道區(qū)域166a。

如圖9c所示，在硅半導(dǎo)體膜166的源極漏極區(qū)域166b與溝道區(qū)域166a之間和源極漏極區(qū)域166c與溝道區(qū)域166a之間設(shè)置ldd166d、166e的情況下，例如在第3柵極電極172的側(cè)面形成絕緣體膜，通過(guò)它來(lái)?yè)诫s離子，由此能夠形成ldd166d、166e。在摻雜了離子之后也可以進(jìn)行加熱處理，使被摻雜的離子活化。

2-5.柵極絕緣膜

接著在柵極電極108上形成第1晶體管102的柵極絕緣膜110(圖10a)。此時(shí)柵極絕緣膜110形成為不僅覆蓋柵極電極108，而且覆蓋第2柵極電極170、第3柵極電極172。柵極絕緣膜110的材料和形成方法能夠援引第1實(shí)施方式中所述的材料和形成方法。例如設(shè)置包含氮化硅的單層膜或者從襯底104側(cè)層疊包含氮化硅的膜和包含氧化硅的膜。

2-6.氧化物半導(dǎo)體膜

接著以與柵極電極108重疊的方式在柵極絕緣膜110上形成氧化物半導(dǎo)體膜112(圖10b)。形成方法與第1實(shí)施方式中說(shuō)明的相同。

2-7.源極漏極電極

接著使用第1實(shí)施方式中所述的材料、結(jié)構(gòu)、方法，在氧化物半導(dǎo)體膜112上形成源極漏極電極114、116(圖10c)。

2-8.層間膜

接著使用第1實(shí)施方式中所述的材料、結(jié)構(gòu)、方法，在源極漏極電極114、116上形成層間膜120(圖11a)。層間膜120以覆蓋第1晶體管102、第2晶體管160、第3晶體管162的方式形成。與第1實(shí)施方式同樣，層間膜120具有第1膜122、第2膜124、第3膜126，優(yōu)選第1膜和第3膜122、126含有氧化硅，第2膜124含有氮化硅。此時(shí)的氧化硅優(yōu)選氫的組成小，具有接近化學(xué)計(jì)量或在其以上的氧組成。

接著在層間膜120和柵極絕緣膜110形成使源極漏極電極114、116露出的開(kāi)口部118和使源極漏極區(qū)域164b、164c、166b、166c露出的開(kāi)口部(第2開(kāi)口部)190(圖11b)。開(kāi)口部118、190例如能夠通過(guò)在包含含氟碳化氫化合物的氣體中進(jìn)行等離子體蝕刻來(lái)形成。開(kāi)口部118、190可以各自形成，但通過(guò)同時(shí)形成能夠削減工序數(shù)。

形成了開(kāi)口部118、190之后，為了將層間膜120的一部分氧化而進(jìn)行氧化處理(圖11b)。氧化處理只要使用第1實(shí)施方式所述的方法進(jìn)行即可。由此，在第2膜124形成第1區(qū)域140(圖12a)。該第1區(qū)域140與第2膜124的其它區(qū)域相比氧的組成高。此時(shí)，第1區(qū)域140不僅在開(kāi)口部118露出，在開(kāi)口部190也露出。換言之，氧組成高的第1區(qū)域140構(gòu)成開(kāi)口部118和190的側(cè)面，并且以包圍開(kāi)口部118和190的方式形成。

通過(guò)氧化處理，源極漏極區(qū)域164b、164c、166b、166c的表面被氧化，形成薄的氧化膜。而且，根據(jù)使用的材料不同，在源極漏極電極114、116上也形成氧化膜。不除去它的情況下，與之后形成的第1端子128、第2端子130、源極漏極電極180、182、184、186之間產(chǎn)生大的接觸電阻。因此為了除去氧化膜，使用氫氟酸等對(duì)半導(dǎo)體膜164、166的表面進(jìn)行酸處理。

如第1實(shí)施方式所述，優(yōu)選的方式之一是在包含氮化硅、其氫的組成小的條件下，以較低的溫度形成第2膜124。由于這樣的膜對(duì)酸的耐受性較低，所以由于酸處理而消失、損傷。

但是如上所述，對(duì)層間膜120進(jìn)行氧化處理，從第2膜124的表面進(jìn)行氧化反應(yīng)，由此膜的氧的組成增大，化學(xué)穩(wěn)定性提高，對(duì)酸的耐受性大幅提高。其結(jié)果是，能夠防止層間膜120的消失及其功能劣化，能夠提供電特性優(yōu)良的半導(dǎo)體器件300。

2-9.端子、源極漏極電極

接著以填埋開(kāi)口部118、190的方式并且以與源極漏極電極114、116和源極漏極區(qū)域164b、164c、166b、166c電連接的方式形成第1端子128、第2端子130和源極漏極電極180、182、184、186(圖12b)。這些端子、電極能夠使用第1實(shí)施方式中所述的材料、方法同時(shí)形成。因此，第1端子128、第2端子130和源極漏極電極180、182、184、186能夠存在于同一層。

2-10.平坦化膜

與第1實(shí)施方式同樣形成平坦化膜132作為任意的結(jié)構(gòu)(圖12b)。形成方法如第1實(shí)施方式中所述。

經(jīng)過(guò)以上工藝能夠形成半導(dǎo)體器件300。

本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件300在襯底104上具有支配電特性的半導(dǎo)體膜的材料不同的多個(gè)晶體管(第1晶體管102、第2晶體管160、第3晶體管162)。在包含氧化物半導(dǎo)體膜112的第1晶體管102上形成的層間膜120中包含具有防止雜質(zhì)侵入的功能但化學(xué)穩(wěn)定性低的第2膜124，通過(guò)對(duì)第2膜124進(jìn)行氧化處理能夠保留防止雜質(zhì)侵入的功能并提高化學(xué)穩(wěn)定性。其結(jié)果是，能夠獲得差異少且具有優(yōu)良的電特性的第1晶體管102。

含有氧化物半導(dǎo)體膜112的第1晶體管102的特征在于截止電流低。另一方面，具有硅半導(dǎo)體膜164、166的第2晶體管160、第3晶體管162的特征在于場(chǎng)效應(yīng)遷移率高。通過(guò)應(yīng)用本實(shí)施方式，能夠提供同時(shí)具有這些特征的半導(dǎo)體器件。

(第4實(shí)施方式)

在本實(shí)施方式中，用圖13至圖15說(shuō)明包含第1實(shí)施方式至第3實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體器件100、200或300的顯示裝置及其制作方法。與第1實(shí)施方式至第3實(shí)施方式重復(fù)的記載有時(shí)省略。

[1.整體結(jié)構(gòu)]

圖13是表示本實(shí)施方式的顯示裝置400的俯視示意圖。顯示裝置400在襯底104的一個(gè)面(上表面)上具有包括多個(gè)像素204的顯示區(qū)域206和柵極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路(以下稱為驅(qū)動(dòng)電路)208。能夠?qū)Χ鄠€(gè)像素204設(shè)置提供彼此不同的顏色的發(fā)光元件或液晶元件等顯示元件，由此能夠進(jìn)行全彩色顯示。例如能夠?qū)⑻峁┘t色、綠色和藍(lán)色的顯示元件分別設(shè)置于三個(gè)像素204?；蛘?，在所有的像素204中使用提供白色的顯示元件，使用濾色片按每個(gè)像素204提取紅色、綠色或藍(lán)色來(lái)進(jìn)行彩色顯示。最終提取的顏色不限于紅色、綠色和藍(lán)色的組合。例如能夠從四個(gè)像素204分別提取紅色、綠色、藍(lán)色、白色這4種顏色。像素204的排列也無(wú)限制，能夠采用條紋排列、三角形排列、p(pentile)排列等。

配線210從顯示區(qū)域206向著襯底104的側(cè)面(圖13中的顯示裝置400的短邊)延伸，配線210在襯底104的端部露出，露出部形成端子212。端子212與撓性印刷電路(fpc)等的連接器(未圖示)連接。顯示區(qū)域206也經(jīng)配線210與ic芯片214電連接。由此，從外部電路(未圖示)供給來(lái)的影像信號(hào)經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路208、ic芯片214供給到像素204，像素204的顯示元件被控制，影像在顯示區(qū)域206上被再現(xiàn)。其中雖未圖示，顯示裝置400也可以在顯示區(qū)域206的周邊具有源極側(cè)驅(qū)動(dòng)電路來(lái)代替ic芯片214。在本實(shí)施方式中驅(qū)動(dòng)電路208以?shī)A著顯示區(qū)域206的方式設(shè)置有兩個(gè)，但驅(qū)動(dòng)電路208也可以設(shè)置一個(gè)。而且，也可以不將驅(qū)動(dòng)電路208設(shè)置在襯底104上，而將設(shè)置于不同的襯底上的驅(qū)動(dòng)電路208形成在連接器上。

[2.像素電路]

圖14表示像素204的等效電路的一例。在圖14中，作為顯示元件236示出了具有有機(jī)電致發(fā)光元件等的發(fā)光元件238的例子。像素204具有柵極線220、信號(hào)線222、電流供給線224和電源線226。

像素204具有開(kāi)關(guān)晶體管230、驅(qū)動(dòng)晶體管232、保持電容器234和顯示元件236。開(kāi)關(guān)晶體管230的柵極、源極、漏極分別與柵極線220、信號(hào)線222、驅(qū)動(dòng)晶體管232的柵極電連接。驅(qū)動(dòng)晶體管232的源極與電流供給線224電連接。保持電容器234的一個(gè)電極與開(kāi)關(guān)晶體管230的漏極和驅(qū)動(dòng)晶體管232的柵極電連接，另一個(gè)電極與驅(qū)動(dòng)晶體管232的漏極和顯示元件236的一個(gè)電極(第1電極)電連接。顯示元件236的另一個(gè)電極(第2電極)與電源線226電連接。其中，各晶體管的源極、漏極有時(shí)根據(jù)電流的流向或晶體管的極性而互換。

在圖14中表示的是像素204具有兩個(gè)晶體管(開(kāi)關(guān)晶體管230、驅(qū)動(dòng)晶體管232)和一個(gè)保持電容器(保持電容器234)的結(jié)構(gòu)，但是本實(shí)施方式的顯示裝置不限于該結(jié)構(gòu)，晶體管的數(shù)量可以是一個(gè)，也可以是三個(gè)以上。像素204可以不包含保持電容器，也可以具有多個(gè)保持電容器。而且，顯示元件236不限于發(fā)光元件，也可以是液晶元件或電泳元件。配線也不限于上述柵極線220、信號(hào)線222、電流供給線224和電源線226，例如像素204也可以具有多個(gè)柵極線和具有其它功能的配線?；蛘?，這些配線的至少一個(gè)也可以被多個(gè)像素204所共用。

[3.截面結(jié)構(gòu)]

圖15示出顯示裝置400的截面示意圖。圖15示意地表示顯示區(qū)域206的一個(gè)像素204的結(jié)構(gòu)。顯示裝置400具有第3實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體器件300的一部分。此處，半導(dǎo)體器件300的第1晶體管102、第2晶體管160包含在像素204內(nèi)。前者相當(dāng)于圖14中的開(kāi)關(guān)晶體管230，后者相當(dāng)于驅(qū)動(dòng)晶體管232。因此雖未圖示，第1晶體管102的源極漏極電極114、116中的一者與第2晶體管160的第2柵極電極170連接。

顯示裝置400具有平坦化膜132，平坦化膜132具有到達(dá)第2晶體管160的源極漏極電極180的開(kāi)口部。顯示裝置400還具有覆蓋開(kāi)口部的側(cè)面且與源極漏極電極180電連接的連接電極240。連接電極240例如能夠使用銦-錫氧化物(ito)或銦-鋅氧化物(izo)等具有透光性的導(dǎo)電性氧化物，利用濺射法等形成。連接電極240不必一定設(shè)置，但通過(guò)設(shè)置連接電極240，能夠保護(hù)第2晶體管160的源極漏極電極180，能夠防止接觸電阻的增大。

顯示裝置400還具有覆蓋連接電極240的側(cè)面和平坦化膜132的上表面的絕緣膜242。絕緣膜242能夠包含含硅的無(wú)機(jī)材料，能夠通過(guò)使用濺射法或cvd法等來(lái)形成。在平坦化膜132的開(kāi)口部，連接電極240從絕緣膜242露出，由此連接電極240與發(fā)光元件238的第1電極250連接。此處如圖15所示，絕緣膜242在平坦化膜132上具有開(kāi)口部244，在此之后形成的間隔壁256與平坦化膜132相接觸。該開(kāi)口部244起到使從平坦化膜132脫離的雜質(zhì)(水和氧等氣體)向間隔壁256一側(cè)移動(dòng)的功能。

顯示裝置400在平坦化膜132上具有發(fā)光元件238。發(fā)光元件238的第1電極250在設(shè)置于平坦化膜132的開(kāi)口部經(jīng)由連接電極240與源極漏極電極180電連接。

在通過(guò)襯底104獲取來(lái)自發(fā)光元件238的發(fā)光的情況下，能夠?qū)⒕哂型腹庑缘牟牧?、例如ito和izo等導(dǎo)電性氧化物用于第1電極250。另一方面，在從與襯底104相反的一側(cè)提取來(lái)自發(fā)光元件238的發(fā)光的情況下，能夠使用鋁、銀等金屬或它們的合金?；蛘吣軌虿捎蒙鲜鼋饘倩蚝辖鹋c導(dǎo)電性氧化物的疊層，例如用導(dǎo)電性氧化物夾持金屬而成的疊層結(jié)構(gòu)(例如ito/銀/ito等)。

間隔壁256以覆蓋第1電極250的端部和設(shè)置于平坦化膜132的開(kāi)口部的方式設(shè)置，具有吸收起因于此的階差，并且將相鄰的像素204的第1電極250彼此電絕緣的功能。間隔壁256也被稱為堤(肋)。間隔壁256能夠使用環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂等在平坦化膜132中可使用的材料。間隔壁256具有開(kāi)口部以使第1電極250的一部分露出，其開(kāi)口端優(yōu)選坡度小的楔形狀。開(kāi)口部的端部具有陡峭的傾斜時(shí)，容易導(dǎo)致之后形成的el層252和第2電極254等的覆蓋不良。

發(fā)光元件238具有el層252，el層252以覆蓋第1電極250和間隔壁256的方式形成。在本說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中，el層表示由一對(duì)電極夾持的層整體，可以由單一的層形成，也可以由多個(gè)層形成。例如能夠適當(dāng)組合載流子注入層、載流子傳輸層、發(fā)光層、載流子阻擋層、激子阻擋層等來(lái)形成el層252。此外，相鄰的像素204之間el層252的結(jié)構(gòu)也可以不同。例如可以以在相鄰的像素204之間發(fā)光層不同而其它層具有相同的結(jié)構(gòu)的方式形成el層252。由此，相鄰的像素204彼此能夠獲得不同的發(fā)光色，能夠進(jìn)行全彩色顯示。相反，也可以在所有的像素204中使用相同的el層252。此時(shí)，例如將提供白色發(fā)光的el層252以被所有的像素204所共有的方式形成，使用濾色片等選擇從各像素204獲取的光的波長(zhǎng)即可。el層252能夠采用蒸鍍法或上述的濕式成膜法來(lái)形成。

發(fā)光元件238在el層252上具有第2電極254。由第1電極250、el層252、第2電極254來(lái)形成發(fā)光元件238。載流子(電子、空穴)從第1電極250和第2電極254注入到el層252，經(jīng)過(guò)由載流子的再結(jié)合而獲得的激勵(lì)狀態(tài)緩和到基態(tài)的過(guò)程而獲得發(fā)光。因此，在發(fā)光元件238中，el層252與第1電極250彼此直接接觸的區(qū)域?yàn)榘l(fā)光區(qū)域。

在通過(guò)襯底104獲取來(lái)自發(fā)光元件238的發(fā)光的情況下，能夠?qū)X和銀等金屬或它們的合金用于第2電極254。另一方面，通過(guò)第2電極254獲取來(lái)自發(fā)光元件238的發(fā)光的情況下，使用上述金屬或合金以具有透射可見(jiàn)光的程度的膜厚的方式形成第2電極254?；蛘咴诘?電極254中，能夠使用具有透光性的材料，例如ito和izo等導(dǎo)電性氧化物。而且，能夠在第2電極254中采用上述金屬或合金與導(dǎo)電性氧化物的疊層結(jié)構(gòu)(例如mg-ag/ito等)。第2電極254能夠使用蒸鍍法、濺射法等來(lái)形成。

第2電極254上設(shè)置有鈍化膜(密封膜)260。鈍化膜260的一個(gè)功能為防止來(lái)自外部的水分侵入之前形成的發(fā)光元件238，作為鈍化膜260優(yōu)選具有高的氣體阻隔性。例如優(yōu)選使用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧氮化硅等無(wú)機(jī)材料形成鈍化膜260?；蛘咭部梢允褂冒┧針?shù)脂、聚硅氧烷、聚酰亞胺、聚酯等的有機(jī)樹(shù)脂。在圖15所例示的結(jié)構(gòu)中，鈍化膜260具有包含第1層262、第2層264、第3層266的三層結(jié)構(gòu)。

具體而言，第1層262能夠包含氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等無(wú)機(jī)絕緣體，采用cvd法或?yàn)R射法來(lái)形成即可。作為第2層264例如能夠使用高分子材料，高分子材料能夠選自環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚酰亞胺、聚酯、聚碳酸酯、聚硅氧烷等。第2層264也能夠通過(guò)上述濕式成膜法來(lái)形成，但也可以在減壓狀態(tài)下使作為上述高分子材料的原料的低聚物成為霧狀或氣體狀，將其吹至第1層262，之后使低聚物聚合來(lái)形成。此時(shí)，也可以在低聚物中混合聚合引發(fā)劑。此外，也可以一邊冷卻襯底104一邊將低聚物吹至第1層262。第3層266能夠采用與第1層262同樣的材料、形成方法來(lái)形成。

雖未圖示，鈍化膜260上也可以設(shè)置對(duì)置襯底作為任意的結(jié)構(gòu)。對(duì)置襯底使用粘接劑與襯底104固定。此時(shí)，可以在對(duì)置襯底與鈍化膜260之間的空間填充不活潑氣體，或者也可以填充樹(shù)脂等填充材料，或者也可以用粘接劑將鈍化膜260與對(duì)置襯底直接粘合。在使用填充材料的情況下，優(yōu)選對(duì)可見(jiàn)光具有高的透明性。在將對(duì)置襯底固定于襯底104時(shí)，也可以在粘接劑或填充劑中包含間隔件來(lái)調(diào)整間隙?；蛘?，也可以在像素204之間形成作為間隔件的結(jié)構(gòu)體。

進(jìn)而，也可以在對(duì)置襯底設(shè)置在與發(fā)光區(qū)域重疊的區(qū)域具有開(kāi)口的遮光膜、設(shè)置于與發(fā)光區(qū)域重疊的區(qū)域的濾色片。遮光膜使用鉻和鉬等反射率較低的金屬或樹(shù)脂材料中含有黑色或相當(dāng)于黑色的著色材料的物質(zhì)形成，具有遮斷從發(fā)光區(qū)域直接得到的光以外的散射光和外部光反射等的功能。濾色片的光學(xué)特性按相鄰的像素204中的每個(gè)像素204不同，例如能夠以獲取紅色、綠色、藍(lán)色發(fā)光的方式形成。遮光膜和濾色片也可以隔著基底膜設(shè)置于對(duì)置襯底，或者，可以以覆蓋遮光膜和濾色片的方式進(jìn)一步設(shè)置保護(hù)層。

本實(shí)施方式所示的顯示裝置400具有含硅半導(dǎo)體膜的第2晶體管160作為驅(qū)動(dòng)晶體管232。硅半導(dǎo)體膜、特別是含多晶硅半導(dǎo)體膜的晶體管具有高的場(chǎng)效應(yīng)遷移率，所以能夠流動(dòng)大的電流。因此，能夠?qū)Πl(fā)光元件238提供大的電流。

另一方面，含氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管的截止電流小，所以將第1晶體管102用于開(kāi)關(guān)晶體管230，由此能夠?qū)男盘?hào)線222傳送來(lái)的影像數(shù)據(jù)長(zhǎng)時(shí)間保持于作為驅(qū)動(dòng)晶體管232的第2晶體管160的第2柵極電極170或保持電容器234。因此，無(wú)需設(shè)置保持電容器234或者能夠減小其大小。其結(jié)果是，能夠降低顯示裝置400的消耗電力，增大開(kāi)口率。而且，包含氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管的閾值電壓的差異小，所以能夠降低發(fā)光元件238中流動(dòng)的電流的差異。其結(jié)果是，能夠獲得能夠提供高品質(zhì)的影像的顯示裝置400。

(第5實(shí)施方式)

在本實(shí)施方式中，用圖13、14、16說(shuō)明包含第1實(shí)施方式至第3實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體器件100、200或300的顯示裝置及其制作方法。與第1實(shí)施方式至第4實(shí)施方式重復(fù)的記載有時(shí)省略。

圖16是表示本實(shí)施方式的顯示裝置500的截面示意圖。圖16相當(dāng)于圖13所示的像素204的截面示意圖。顯示裝置500在像素204中具有第3實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體器件300的一部分，第1晶體管102的源極漏極電極116與發(fā)光元件238電連接。即，第1晶體管102在圖14所示的像素204中作為驅(qū)動(dòng)晶體管232起作用。而且，第2晶體管160相當(dāng)于開(kāi)關(guān)晶體管230。雖在圖16中未圖示，但第2晶體管160的源極漏極電極180、182中的一者與第1晶體管102的柵極電極108電連接。

本實(shí)施方式所示的顯示裝置500具有含有硅半導(dǎo)體膜的第2晶體管160作為開(kāi)關(guān)晶體管230。含有硅半導(dǎo)體膜、特別是多晶硅半導(dǎo)體膜的晶體管具有高的場(chǎng)效應(yīng)遷移率，所以在像素204中能夠獲得高速的開(kāi)關(guān)特性。

另一方面，像素204具有包含氧化物半導(dǎo)體膜112的第1晶體管102作為驅(qū)動(dòng)晶體管232。包含氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管的閾值電壓的差異小，所以能夠降低發(fā)光元件238中流動(dòng)的電流的差異。其結(jié)果是，能夠獲得能夠提供高品質(zhì)的影像的顯示裝置500。

(第6實(shí)施方式)

在本實(shí)施方式中，用圖13、圖14和圖17說(shuō)明包含第1實(shí)施方式至第3實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體器件100、200或300的顯示裝置及其制作方法。與第1實(shí)施方式至第5實(shí)施方式重復(fù)的記載有時(shí)省略。

圖17是表示本實(shí)施方式的顯示裝置600的截面示意圖。圖17示意地表示顯示區(qū)域206中與驅(qū)動(dòng)電路208最近的一個(gè)像素204和驅(qū)動(dòng)電路208的一部分及其周邊的結(jié)構(gòu)。顯示裝置600具有第3實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體器件300。此處，半導(dǎo)體器件300的第1晶體管102包含在像素204內(nèi)，作為圖14所示的開(kāi)關(guān)晶體管230起作用。另一方面，第2晶體管160、第3晶體管162包含在驅(qū)動(dòng)電路208中。

在包含驅(qū)動(dòng)電路208的區(qū)域，在平坦化膜132上設(shè)置有電源線226。電源線226能夠包含ito和izo等具有透光性的導(dǎo)電性氧化物或鋁等金屬及其合金，發(fā)光元件238的第1電極250或第4實(shí)施方式所述的連接電極240能夠同時(shí)形成。電源線226的端部被間隔壁256覆蓋，從間隔壁256露出的部分與從發(fā)光元件238延伸的第2電極254連接。由此，能夠?qū)Φ?電極254供給施加到電源線226的一定電壓。

輔助電極228設(shè)置成與電源線226接觸。輔助電極228被間隔壁256覆蓋。輔助電極228能夠包含鋁或鉬等金屬及其合金，一個(gè)功能為補(bǔ)償電源線226的低導(dǎo)電性。在第2電極254的電阻較大的情況下，通過(guò)設(shè)置輔助電極228，能夠防止因第2電極254的電壓降。因此，在電源線226具有足夠的導(dǎo)電性的情況下也可以不設(shè)置輔助電極228。

本實(shí)施方式所示的顯示裝置600在驅(qū)動(dòng)電路208中具有包含硅半導(dǎo)體膜的第2晶體管160、第3晶體管162。含有硅半導(dǎo)體膜、特別是多晶硅半導(dǎo)體膜的晶體管具有高的場(chǎng)效應(yīng)遷移率，所以包含其的驅(qū)動(dòng)電路208能夠高速驅(qū)動(dòng)。另一方面，像素204具有包含氧化物半導(dǎo)體膜112的第1晶體管102。包含氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管的截止電流小，所以能夠?qū)男盘?hào)線222傳送的影像數(shù)據(jù)長(zhǎng)時(shí)間保持于驅(qū)動(dòng)晶體管232的柵極或保持電容器234。因此，無(wú)需設(shè)置保持電容器234或者能夠減小其大小。其結(jié)果是，能夠降低顯示裝置600的消耗電力，增大開(kāi)口率。而且，包含氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管的閾值電壓的差異小，所以能夠降低發(fā)光元件238中流動(dòng)的電流的差異。其結(jié)果是，能夠獲得能夠提供高品質(zhì)的影像的顯示裝置600。

(第7實(shí)施方式)

在本實(shí)施方式中，用圖13、18說(shuō)明包含第1實(shí)施方式至第3實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體器件100、200或300的顯示裝置及其制作方法。與第1實(shí)施方式至第6實(shí)施方式重復(fù)的記載有時(shí)省略。

圖18是表示本實(shí)施方式的顯示裝置700的截面示意圖。在圖18中，示意地表示圖13中所示的顯示區(qū)域206內(nèi)的像素204和驅(qū)動(dòng)電路208的一部分。顯示裝置700具有第3實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體器件300，在像素204內(nèi)設(shè)置有含有氧化物半導(dǎo)體膜112的第1晶體管102，在驅(qū)動(dòng)電路208內(nèi)設(shè)置有各自具有硅半導(dǎo)體膜164、166的第2晶體管160、第3晶體管162。

顯示裝置700不同于顯示裝置400、500、600，在像素204內(nèi)具有液晶元件302作為顯示元件。液晶元件302具有平坦化膜132上的第1電極304、第1電極304上的第1取向膜306、第1取向膜306上的液晶層308、液晶層308上的第2取向膜310、第2取向膜310上的第2電極312。在液晶元件302上設(shè)置有濾色片314作為任意的結(jié)構(gòu)。而且，在與驅(qū)動(dòng)電路208重疊的區(qū)域設(shè)置有遮光膜316。

液晶元件302上設(shè)置有對(duì)置襯底318，通過(guò)密封件320固定于襯底104。液晶層308被襯底104和對(duì)置襯底318夾持，由間隔件322保持液晶層308的厚度、即襯底104與對(duì)置襯底318之間的距離。雖未圖示，但也可以在襯底104之下或?qū)χ靡r底318之上設(shè)置偏振片或相位差膜等。

在本實(shí)施方式中，顯示裝置700記載為具有所謂的va(verticalalignment：垂直取向)方式或tn(twistednematic：扭轉(zhuǎn)向列)方式的液晶元件302，但液晶元件302不限于此方式，也可以是其它模式例如ips(in-plane-switching：平面轉(zhuǎn)換)方式。在使用透過(guò)型的液晶元件的情況下，也可以設(shè)置成液晶元件302與第1晶體管102不重疊。

本實(shí)施方式所示的顯示裝置700在驅(qū)動(dòng)電路208中具有包含硅半導(dǎo)體膜的第2晶體管160、第3晶體管162。含有硅半導(dǎo)體膜、特別是多晶硅半導(dǎo)體膜的晶體管具有高的場(chǎng)效應(yīng)遷移率，所以包含其的驅(qū)動(dòng)電路208能夠高速驅(qū)動(dòng)。另一方面，像素204具有包含氧化物半導(dǎo)體膜112的第1晶體管102。包含氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管的閾值電壓的差異小，所以能夠降低施加于液晶元件302的電壓的差異。其結(jié)果是，液晶元件302的透過(guò)率的差異減小，能夠獲得能夠提供高品質(zhì)的影像的顯示裝置700。

作為本發(fā)明的實(shí)施方式在上文敘述的各實(shí)施方式只要不彼此矛盾，就能夠適當(dāng)組合來(lái)實(shí)施。而且，本領(lǐng)域技術(shù)人員以各實(shí)施方式的顯示裝置為基礎(chǔ)適當(dāng)?shù)卦黾?、減少構(gòu)成要素或進(jìn)行設(shè)計(jì)變更而得到的顯示裝置，或者進(jìn)行工序的增加、省略或條件變更而得到的制作方法，只要具有本發(fā)明的主旨，都包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。

在本說(shuō)明書(shū)中，作為公開(kāi)例主要例示了el顯示裝置的情況，作為其它適用例，能夠列舉其它自發(fā)光型顯示裝置、液晶顯示裝置或具有電泳元件等的電子紙型顯示裝置等所有的平板型顯示裝置。而且，從中小型到大型沒(méi)有特別限定均能夠適用。

即使是與由上述各實(shí)施方式帶來(lái)的作用效果不同的其它作用效果，從本說(shuō)明書(shū)的記載明顯可知的作用效果或者本領(lǐng)域技術(shù)人員容易預(yù)測(cè)到的作用效果也自然該理解為是由本發(fā)明帶來(lái)的作用效果。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

100：半導(dǎo)體器件、102：第1晶體管、104：襯底、106：底涂層、108：柵極電極、110：柵極絕緣膜、112：氧化物半導(dǎo)體膜、114：源極漏極電極、116：源極漏極電極、118：開(kāi)口部、120：層間膜、122：第1膜、124：第2膜、126：第3膜、128：第1端子、130：第2端子、132：平坦化膜、140：第1區(qū)域、142：直線、143：曲線、144：曲線、147：曲線、148：曲線、150：第1區(qū)域、152：第2區(qū)域、160：第2晶體管、162：第3晶體管、164：硅半導(dǎo)體膜、164a：溝道區(qū)域、164b：源極漏極區(qū)域、164c：源極漏極區(qū)域、166：硅半導(dǎo)體膜、166a：溝道區(qū)域、166b：源極漏極區(qū)域、166c：源極漏極區(qū)域、168：第2柵極絕緣膜、170：第2柵極電極、172：第3柵極電極、180：源極漏極電極、182：源極漏極電極、184：源極漏極電極、186：源極漏極電極、190：開(kāi)口部、200：半導(dǎo)體器件、204：像素、206：顯示區(qū)域、208：驅(qū)動(dòng)電路、210：配線、212：端子、214：ic芯片、220：柵極線、222：信號(hào)線、224：電流供給線、226：電源線、228：輔助電極、230：開(kāi)關(guān)晶體管、232：驅(qū)動(dòng)晶體管、234：保持電容器、236：顯示元件、238：發(fā)光元件、240：連接電極、242：絕緣膜、244：開(kāi)口部、250：第1電極、252：層、254：第2電極、256：間隔壁、260：鈍化膜、262：第1層、264：第2層、266：第3層、300：半導(dǎo)體器件、302：液晶元件、304：第1電極、306：第1取向膜、308：液晶層、310：第2取向膜、312：第2電極、314：濾色片、316：遮光膜、318：對(duì)置襯底、320：密封件、322：間隔件、400：顯示裝置、500：顯示裝置、600：顯示裝置、700：顯示裝置。