本發(fā)明涉及TFT-LCD技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示面板、固態(tài)光源的制備方法和固態(tài)光源。

背景技術(shù)：

隨著顯示產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展，對于TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)-LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)的顯示品質(zhì)以及顯示效果的要求不斷提高?，F(xiàn)有背光源需要導(dǎo)光板及光源等復(fù)雜結(jié)構(gòu)，占用顯示面板空間，并且背光源為單獨模塊，需要與TFT基板工序貼合，導(dǎo)致顯示面板厚度增加；常用的日光燈光源中含有汞介質(zhì)，受熱會揮發(fā)易造成汞蒸氣污染。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于上述問題，提出了本發(fā)明實施例以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的顯示面板、固態(tài)光源的制備方法和固態(tài)光源。

為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種顯示面板，所述顯示面板的基板包括正反兩面，在基板正面設(shè)置有薄膜晶體管，在基板反面直接制作的固態(tài)光源。

為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種固態(tài)光源的制備方法，所述方法包括：

在基板表面沉積氮化鎵形成氮化鎵緩沖層；

在所述氮化鎵緩沖層上沉積合金，通過構(gòu)圖工藝制備固定線寬的電極，形成N型電極層；

在所述N型電極層上沉積N型氮化鎵形成N型氮化鎵層；

在所述N型氮化鎵層上沉積銦氮化鎵形成量子阱層；

對所述量子阱層的不同區(qū)域摻雜不同的雜質(zhì)；

在所述量子阱層上沉積P型氮化鎵形成P型氮化鎵層；

將所述N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層通過構(gòu)圖工藝形成與N型電極同寬的基色芯片；

在所述P型氮化鎵層上沉積合金，通過構(gòu)圖工藝制備與N型電極同寬的電極，形成P型電極層；

使用填充介質(zhì)填充相鄰的兩個基色芯片之間的間隙并覆蓋P型電極層；

在填充介質(zhì)上沉積發(fā)光反射層。

可選地，所述對所述量子阱層的不同區(qū)域摻雜不同的雜質(zhì)包括：

對G基色芯片區(qū)域摻雜磷、砷中任一種雜質(zhì)；

對B基色芯片區(qū)域摻雜硅、碳或鋁中任一種雜質(zhì)。

可選地，所述對G基色芯片區(qū)域摻雜磷、砷中任一種雜質(zhì)包括：

采用光刻膠遮蓋所述G基色芯片區(qū)域之外的銦氮化鎵；

對裸露的銦氮化鎵摻雜磷、砷中任一種雜質(zhì)；

去除光刻膠。

可選地，R基色芯片區(qū)域為無摻雜的本征發(fā)光區(qū)域。

可選地，所述將所述N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層通過構(gòu)圖工藝形成與N型電極同寬的基色芯片包括：

采用干法刻蝕工藝刻蝕P型氮化鎵、銦氮化鎵、N型氮化鎵，其中刻蝕后的P型氮化鎵、銦氮化鎵、N型氮化鎵均與N型電極同寬。

可選地，所述通過構(gòu)圖工藝制備與N型電極同寬的電極，形成P型電極層包括：

采用濕法刻蝕工藝刻蝕合金形成P型電極，其中刻蝕后的P型電極與N型電極同寬。

可選地，在所述在基板表面沉積氮化鎵形成氮化鎵緩沖層之前，所述方法還包括：

翻轉(zhuǎn)基板，用于將所述固態(tài)光源制備在基板反面。

為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種固態(tài)光源，包括：N型電極層、N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層、P型電極層；

其中，所述N型電極層、N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層、P型電極層從基板表面向上依次疊加，并具有相同的線寬；所述量子阱層的不同區(qū)域摻雜有不同的雜質(zhì)。

可選地，還包括：氮化鎵緩沖層、發(fā)光反射層、填充介質(zhì)；

所述氮化鎵緩沖層設(shè)置在基板與N型電極層之間，覆蓋整個基板表面；

所述填充介質(zhì)包括填充在相鄰的兩個基色芯片之間的部分和覆蓋在所述P型電極層上的部分；

所述發(fā)光反射層設(shè)置在所述填充介質(zhì)上，覆蓋整個基板。

可選地，所述填充介質(zhì)為酚醛樹脂；

所述發(fā)光反射層的材料為鈦鈀合金。

可選地，所述N型氮化鎵層的材料為摻雜硅的氮化鎵，所述P型氮化鎵層的材料為摻雜鎂的氮化鎵。

可選地，所述N型電極層和P型電極層的材料為鎳銀合金。

可選地，所述氮化鎵緩沖層、N型氮化鎵層、P型氮化鎵層的厚度均為

所述N型電極層和P型電極層的厚度均為

所述量子阱層的厚度為

所述發(fā)光反射層的厚度為

可選地，N型電極層的線寬為3-10μm。

為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種顯示面板，所述顯示面板的基板包括正反兩面，在基板正面設(shè)置有薄膜晶體管，在基板反面設(shè)置有按照上述制備方法制備的固態(tài)光源。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點：

通過本發(fā)明實施例提供的顯示面板，基板正面設(shè)置有薄膜晶體管，基板反面直接制作固態(tài)光源，無需進(jìn)行背光源和陣列基板的貼合，顯示面板更輕薄。并且顯示面板背面的固態(tài)光源不含有汞介質(zhì)，顯示面板更環(huán)保。

進(jìn)一步的，固態(tài)光源的發(fā)光原理與常用的白熾燈和氣體放電燈的發(fā)光原理不同，因而固態(tài)光源的能量轉(zhuǎn)化效率高，耗電量小，并且壽命長。

上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉本發(fā)明的具體實施方式。

附圖說明

通過閱讀下文優(yōu)選實施方式的詳細(xì)描述，各種其他的優(yōu)點和益處對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優(yōu)選實施方式的目的，而并不認(rèn)為是對本發(fā)明的限制。而且在整個附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例一的顯示面板的截面圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例二的一種固態(tài)光源的制備方法的步驟流程圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例二的N型電極層構(gòu)圖工藝后的截面圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例二的量子阱層摻雜工藝的截面圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例二的基色芯片構(gòu)圖工藝后的截面圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明實施例二的P型電極層構(gòu)圖工藝后的截面圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例三的固態(tài)光源的截面圖。

具體實施方式

下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本公開的示例性實施例。雖然附圖中顯示了本公開的示例性實施例，然而應(yīng)當(dāng)理解，可以以各種形式實現(xiàn)本公開而不應(yīng)被這里闡述的實施例所限制。相反，提供這些實施例是為了能夠更透徹地理解本公開，并且能夠?qū)⒈竟_的范圍完整的傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。

實施例一

參見圖1，詳細(xì)介紹本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板。

所述顯示面板的基板101包括正反兩面，在基板101正面設(shè)置有薄膜晶體管20，在基板101反面直接制作的固態(tài)光源10。

本實施例中，顯示面板的基板101包括正反兩面，首先翻轉(zhuǎn)基板101，在基板101的反面直接制備固態(tài)光源10，固態(tài)光源10制備完成后翻轉(zhuǎn)基板101，在基板101的正面制備薄膜晶體管20。

綜上所述，本發(fā)明實施例中，顯示面板的基板正面設(shè)置有薄膜晶體管，基板反面直接制作固態(tài)光源，無需進(jìn)行背光源和陣列基板的貼合，顯示面板更輕薄。并且顯示面板背面的固態(tài)光源不含有汞介質(zhì)，顯示面板更環(huán)保。進(jìn)一步的，固態(tài)光源的發(fā)光原理與常用的白熾燈和氣體放電燈的發(fā)光原理不同，因而固態(tài)光源的能量轉(zhuǎn)化效率高，耗電量小，并且壽命長。

實施例二

詳細(xì)介紹本發(fā)明實施例提供的一種固態(tài)光源的制備方法。

參照圖2，示出了本發(fā)明實施例提供的一種固態(tài)光源的制備方法的步驟流程圖。所述方法包括：

步驟201，在基板表面沉積氮化鎵形成氮化鎵緩沖層。

本實施例中，制備固態(tài)光源首先在基板的表面沉積一層氮化鎵GaN覆蓋整個基板表面。GaN是極穩(wěn)定的化合物，堅硬并且熔點很高，熔點約為1700℃。由于GaN堅硬，因此成為一種良好的涂層保護(hù)材料。在基板表面沉積GaN一方面可以起到保護(hù)基板的作用，另一方面便于沉積合金，使N型電極層與基板緊密結(jié)合、不易脫落。沉積GaN的方式有多種，常規(guī)的有MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor DePosition，金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積)，如APMOCVD(常壓MOCVD)、LPMOCVD(低壓MOCVD)。本發(fā)明實施例對氮化鎵沉積工藝不作詳細(xì)限定，可以根據(jù)實際情況選取。

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，沉積氮化鎵形成氮化鎵緩沖層之前，翻轉(zhuǎn)基板，用于將固態(tài)光源制備在基板反面。

步驟202，在所述氮化鎵緩沖層上沉積合金，通過構(gòu)圖工藝制備固定線寬的電極，形成N型電極層。

本實施例中，沉積氮化鎵形成氮化鎵緩沖層后，在氮化鎵緩沖層上沉積合金，沉積合金可以采用Sputter(濺射)設(shè)備，也可以采用其他設(shè)備，本發(fā)明實施例對此不作詳細(xì)限定，可以根據(jù)實際情況選取。

沉積合金后，通過構(gòu)圖工藝將合金圖案化，制備成固定線寬的電極，形成N型電極層，見圖3所示。圖3中氮化硅緩沖層107沉積在基板101表面，N型電極層102在氮化硅緩沖層107上，N型電極層102的寬度為固定線寬。本發(fā)明實施例對于電極的線寬不作詳細(xì)限定，可以根據(jù)實際情況設(shè)置。

步驟203，在所述N型電極層上沉積N型氮化鎵形成N型氮化鎵層。

本實施例中，形成N型電極層后，沉積N型氮化鎵。具體地，在沉積氮化鎵的過程中摻雜雜質(zhì)，雜質(zhì)元素可以是四價元素，如硅，也可以是其他元素。摻雜的雜質(zhì)為氮化鎵提供多余的電子，使沉積的氮化鎵為N型氮化鎵。

步驟204，在所述N型氮化鎵層上沉積銦氮化鎵形成量子阱層。

本實施例中，沉積N型氮化鎵形成N型氮化鎵層后，在N型氮化鎵層上沉積銦氮化鎵，形成量子阱層。沉積銦氮化鎵可以采用MOCVD，也可以采用其他方式，本發(fā)明實施例對此不作詳細(xì)限定，可以根據(jù)實際情況進(jìn)行選取。

步驟205，對所述量子阱層的不同區(qū)域摻雜不同的雜質(zhì)。

本實施例中，對量子阱層摻雜雜質(zhì)，雜質(zhì)與銦氮化鎵復(fù)合發(fā)光。由于摻雜的雜質(zhì)不同，復(fù)合后產(chǎn)生的光線波長也不同，因此對量子阱層的不同區(qū)域摻雜不同的雜質(zhì)，見圖4，可以形成三種基色R(Red)G(Green)B(Blue)芯片，不同基色芯片發(fā)光的組合可以形成不同的顏色。圖4中基板101、氮化硅緩沖層107、N型電極層102、N型氮化硅層103、量子阱層104從下向上依次疊加，光刻膠110未遮蓋的區(qū)域為一個摻雜區(qū)域。

量子阱層的不同區(qū)域具體可以包括R基色芯片區(qū)域、G基色芯片區(qū)域、B基色芯片區(qū)域。優(yōu)選地，R基色芯片區(qū)域為無摻雜的本征發(fā)光區(qū)域，發(fā)出紅光。對G基色芯片區(qū)域可以摻雜磷、砷中任一種雜質(zhì)，也可以摻雜其他雜質(zhì)。對B基色芯片區(qū)域摻雜硅、碳或鋁中任一種雜質(zhì)，也可以摻雜其他雜質(zhì)。

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，對G基色芯片區(qū)域可以摻雜磷、砷中任一種雜質(zhì)可以包括如下步驟：

S1，采用光刻膠110遮蓋所述G基色芯片區(qū)域之外的銦氮化鎵，見圖4。

S2，對裸露的銦氮化鎵摻雜磷、砷中任一種雜質(zhì)。

S3，去除光刻膠110。去除光刻膠的工藝可以采用濕法去膠、干法去膠中至少一種。本發(fā)明實施例對此不作詳細(xì)限定，可以根據(jù)實際情況進(jìn)行選取。

步驟206，在所述量子阱層上沉積P型氮化鎵形成P型氮化鎵層。

本實施例中，對量子阱層摻雜雜質(zhì)后，在量子阱層上沉積氮化硅，沉積過程中可以摻雜三價元素，如鎂，也可以摻雜其他元素。摻雜的雜質(zhì)為氮化鎵提供多余的空穴，從而形成P型氮化鎵層。

步驟207，將所述N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層通過構(gòu)圖工藝形成與N型電極同寬的基色芯片。

本實施例中，由于N型氮化鎵、銦氮化鎵、P型氮化鎵與合金的刻蝕特性不同，因此N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層與合金采用兩次構(gòu)圖工藝。

在沉積N型氮化鎵、銦氮化鎵、P型氮化鎵后，通過構(gòu)圖工藝將N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層圖案化。

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，采用干法刻蝕工藝刻蝕P型氮化鎵、銦氮化鎵、N型氮化鎵，其中刻蝕后的P型氮化鎵、銦氮化鎵、N型氮化鎵均與N型電極同寬，見圖5。圖5中P型氮化鎵層105、量子阱層104、N型氮化鎵層103均與N型電極層102同寬。

步驟208，在所述P型氮化鎵層上沉積合金，通過構(gòu)圖工藝制備與N型電極同寬的電極，形成P型電極層。

本實施例中，在將N型氮化鎵層、銦氮化鎵層、P型氮化鎵層圖案化之后，在P型氮化鎵層上沉積合金，通過構(gòu)圖工藝將合金制備成與N型電極同寬的電極，形成P型電極層。

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，采用濕法刻蝕工藝刻蝕合金形成P型電極，其中刻蝕后的P型電極與N型電極同寬。

形成P型電極層后，由N型電極層102、N型氮化鎵層103、量子阱層104、P型氮化鎵層105、P型電極層106構(gòu)成的發(fā)光部件可以是R基色芯片111、G基色芯片112、B基色芯片113，見圖6。

步驟209，使用填充介質(zhì)填充相鄰的兩個基色芯片之間的間隙并覆蓋P型電極層。

本實施例中，形成獨立的基色芯片后，在相鄰的兩個基色芯片之間填充介質(zhì)，用于隔離兩個基色芯片。同時，填充介質(zhì)覆蓋P型電極層，用于保護(hù)基色芯片。

步驟210，在填充介質(zhì)上沉積發(fā)光反射層。

本實施例中，在發(fā)光部件制備完成后，在填充介質(zhì)上沉積發(fā)光反射層，用于將基色芯片發(fā)出的光反射至基板的另一面。

綜上所述，本發(fā)明實施例中，在基板表面上制備固態(tài)光源，固態(tài)光源的結(jié)構(gòu)簡單，與基板為一體無需進(jìn)行貼合，使顯示面板更輕??；并且制備過程中采用氮化鎵而不含有汞介質(zhì)，使顯示面板更環(huán)保。進(jìn)一步的，固態(tài)光源的發(fā)光原理與常用的白熾燈和氣體放電燈的發(fā)光原理不同，因而固態(tài)光源的能量轉(zhuǎn)化效率高，耗電量小，并且壽命長。

需要說明的是，對于前述的方法實施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動作順序的限制，因為依據(jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實施例均屬于優(yōu)選實施例，所涉及的動作并不一定是本發(fā)明所必需的。

實施例三

參照圖7，示出了本發(fā)明實施例中的一種固態(tài)光源的示意圖。所述固態(tài)光源包括：N型電極層102、N型氮化鎵層103、量子阱層104、P型氮化鎵層105、P型電極層106；

其中，所述N型電極層102、N型氮化鎵層103、量子阱層104、P型氮化鎵層105、P型電極層106從基板表面向上依次疊加，并具有相同的線寬；所述量子阱層的不同區(qū)域摻雜有不同的雜質(zhì)。

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，氮化鎵緩沖層107、發(fā)光反射層108、填充介質(zhì)109；

所述氮化鎵緩沖層107設(shè)置在基板101與N型電極層102之間，覆蓋整個基板表面。

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述填充介質(zhì)109包括填充在相鄰的兩個基色芯片之間的部分和覆蓋在所述P型電極層106上的部分。

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述發(fā)光反射層108設(shè)置在所述填充介質(zhì)109上，覆蓋整個基板。

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述填充介質(zhì)109為酚醛樹脂；

所述發(fā)光反射層108的材料為鈦鈀合金。

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述N型氮化鎵層103的材料為摻雜硅的氮化鎵，所述P型氮化鎵層105的材料為摻雜鎂的氮化鎵。

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述N型電極層102和P型電極層106的材料為鎳銀合金。

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述氮化鎵緩沖層107、N型氮化鎵層103、P型氮化鎵層105的厚度均為

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述N型電極層102和P型電極層106的厚度均為

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述量子阱層104的厚度為

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述發(fā)光反射層108的厚度為

本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，N型電極層102的線寬為3-10μm。

綜上所述，本發(fā)明實施例中，固態(tài)光源制備在基板表面上，結(jié)構(gòu)簡單，與基板為一體無需進(jìn)行貼合，使顯示面板更輕薄；并且固態(tài)光源采用氮化鎵而不含有汞介質(zhì)，使顯示面板更環(huán)保。進(jìn)一步的，固態(tài)光源的發(fā)光原理與常用的白熾燈和氣體放電燈的發(fā)光原理不同，因而固態(tài)光源的能量轉(zhuǎn)化效率高，耗電量小，并且壽命長。

實施例四

參見圖1，詳細(xì)介紹本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板。

所述顯示面板的基板101包括正反兩面，在基板101正面設(shè)置有薄膜晶體管20，在基板101反面設(shè)置有按照實施例二所述的方法制備的固態(tài)光源10。

本實施例中，顯示面板的基板101包括正反兩面，首先翻轉(zhuǎn)基板101，在基板101的反面制備固態(tài)光源10，固態(tài)光源10制備完成后翻轉(zhuǎn)基板101，在基板101的正面制備薄膜晶體管20。

綜上所述，本發(fā)明實施例中，顯示面板的基板正面設(shè)置有薄膜晶體管，基板反面直接制作固態(tài)光源，無需進(jìn)行背光源和陣列基板的貼合，顯示面板更輕薄。并且顯示面板背面的固態(tài)光源不含有汞介質(zhì)，顯示面板更環(huán)保。進(jìn)一步的，固態(tài)光源的發(fā)光原理與常用的白熾燈和氣體放電燈的發(fā)光原理不同，因而固態(tài)光源的能量轉(zhuǎn)化效率高，耗電量小，并且壽命長。

本說明書中的各個實施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。

本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明實施例的實施例可提供為方法、裝置、或計算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明實施例可采用完全硬件實施例、完全軟件實施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實施例的形式。而且，本發(fā)明實施例可采用在一個或多個其中包含有計算機(jī)可用程序代碼的計算機(jī)可用存儲介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲器、CD-ROM、光學(xué)存儲器等)上實施的計算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。

本發(fā)明實施例是參照根據(jù)本發(fā)明實施例的方法、終端設(shè)備(系統(tǒng))、和計算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計算機(jī)程序指令實現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計算機(jī)程序指令到通用計算機(jī)、專用計算機(jī)、嵌入式處理機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理終端設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個機(jī)器，使得通過計算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理終端設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的裝置。

這些計算機(jī)程序指令也可存儲在能引導(dǎo)計算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理終端設(shè)備以特定方式工作的計算機(jī)可讀存儲器中，使得存儲在該計算機(jī)可讀存儲器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能。

這些計算機(jī)程序指令也可裝載到計算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理終端設(shè)備上，使得在計算機(jī)或其他可編程終端設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計算機(jī)實現(xiàn)的處理，從而在計算機(jī)或其他可編程終端設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的步驟。

盡管已描述了本發(fā)明實施例的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明實施例范圍的所有變更和修改。

最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上對本發(fā)明所提供的一種顯示面板、固態(tài)光源的制備方法和固態(tài)光源，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進(jìn)行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。