技術(shù)特征：

1.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板的基板包括正反兩面，在基板正面設(shè)置有薄膜晶體管，在基板反面直接制作的固態(tài)光源。

2.一種固態(tài)光源的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板表面沉積氮化鎵形成氮化鎵緩沖層；

在所述氮化鎵緩沖層上沉積合金，通過構(gòu)圖工藝制備固定線寬的電極，形成N型電極層；

在所述N型電極層上沉積N型氮化鎵形成N型氮化鎵層；

在所述N型氮化鎵層上沉積銦氮化鎵形成量子阱層；

對所述量子阱層的不同區(qū)域摻雜不同的雜質(zhì)；

在所述量子阱層上沉積P型氮化鎵形成P型氮化鎵層；

將所述N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層通過構(gòu)圖工藝形成與N型電極同寬的基色芯片；

在所述P型氮化鎵層上沉積合金，通過構(gòu)圖工藝制備與N型電極同寬的電極，形成P型電極層；

使用填充介質(zhì)填充相鄰的兩個基色芯片之間的間隙并覆蓋P型電極層；

在填充介質(zhì)上沉積發(fā)光反射層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對所述量子阱層的不同區(qū)域摻雜不同的雜質(zhì)包括：

對G基色芯片區(qū)域摻雜磷、砷中任一種雜質(zhì)；

對B基色芯片區(qū)域摻雜硅、碳或鋁中任一種雜質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述對G基色芯片區(qū)域摻雜磷、砷中任一種雜質(zhì)包括：

采用光刻膠遮蓋所述G基色芯片區(qū)域之外的銦氮化鎵；

對裸露的銦氮化鎵摻雜磷、砷中任一種雜質(zhì)；

去除光刻膠。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，R基色芯片區(qū)域為無摻雜的本征發(fā)光區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述將所述N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層通過構(gòu)圖工藝形成與N型電極同寬的基色芯片包括：

采用干法刻蝕工藝刻蝕P型氮化鎵、銦氮化鎵、N型氮化鎵，其中刻蝕后的P型氮化鎵、銦氮化鎵、N型氮化鎵均與N型電極同寬。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述通過構(gòu)圖工藝制備與N型電極同寬的電極，形成P型電極層包括：

采用濕法刻蝕工藝刻蝕合金形成P型電極，其中刻蝕后的P型電極與N型電極同寬。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述在基板表面沉積氮化鎵形成氮化鎵緩沖層之前，所述方法還包括：

翻轉(zhuǎn)基板，用于將所述固態(tài)光源制備在基板反面。

9.一種固態(tài)光源，其特征在于，包括：N型電極層、N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層、P型電極層；

其中，所述N型電極層、N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層、P型電極層從基板表面向上依次疊加，并具有相同的線寬；所述量子阱層的不同區(qū)域摻雜有不同的雜質(zhì)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述固態(tài)光源，其特征在于，還包括：氮化鎵緩沖層、發(fā)光反射層、填充介質(zhì)；

所述氮化鎵緩沖層設(shè)置在基板與N型電極層之間，覆蓋整個基板表面；

所述填充介質(zhì)包括填充在相鄰的兩個基色芯片之間的部分和覆蓋在所述P型電極層上的部分；

所述發(fā)光反射層設(shè)置在所述填充介質(zhì)上，覆蓋整個基板。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)光源，其特征在于，所述填充介質(zhì)為酚醛樹脂；

所述發(fā)光反射層的材料為鈦鈀合金。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固態(tài)光源，其特征在于，所述N型氮化鎵層的材料為摻雜硅的氮化鎵，所述P型氮化鎵層的材料為摻雜鎂的氮化鎵。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固態(tài)光源，其特征在于，所述N型電極層和P型電極層的材料為鎳銀合金。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)光源，其特征在于，所述氮化鎵緩沖層、N型氮化鎵層、P型氮化鎵層的厚度均為

所述N型電極層和P型電極層的厚度均為

所述量子阱層的厚度為

所述發(fā)光反射層的厚度為

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固態(tài)光源，其特征在于，所述N型電極層的線寬為3-10μm。

16.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板的基板包括正反兩面，在基板正面設(shè)置有薄膜晶體管，在基板反面設(shè)置有按照權(quán)利要求2-8所述的方法制備的固態(tài)光源。