技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種閃存單元器件及閃存，應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域，該閃存單元器件包括：半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底中的溝道區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)，源區(qū)和漏區(qū)分別與溝道區(qū)連接，漏區(qū)包括多個(gè)相互隔離的子漏區(qū)；位于溝道區(qū)上方的浮柵層和位于浮柵層上方的控制柵層，浮柵層與溝道區(qū)之間、浮柵層與控制柵層之間、以及覆蓋控制柵層的均為氧化物隔離區(qū)域，浮柵層包括多個(gè)相互隔離的浮柵塊，浮柵塊的個(gè)數(shù)與子漏區(qū)的個(gè)數(shù)相同。通過(guò)本發(fā)明，只要浮柵層中的浮柵塊沒(méi)有全部損壞，就可以讀取到閃存單元器件中保存的數(shù)據(jù)，因此，增加了閃存單元器件中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：郝寧;羅家俊;韓鄭生;劉海南
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.28
技術(shù)公布日：2017.09.15