本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示器(lcd)陣列基板中，基于電容的考慮，會(huì)在源漏金屬層圖形上方形成平坦化層，然后在平坦化層上方形成透明導(dǎo)電氧化物層圖形(像素電極或公共電極)，并在透明導(dǎo)電氧化物層圖形上方形成金屬層圖形?？紤]到成本原因，在制作透明導(dǎo)電氧化物層圖形和金屬層圖形時(shí)，應(yīng)盡量采用htm(半色調(diào)掩膜，halftonemask)工藝。

相關(guān)的htm工藝的流程步驟如下：

步驟11：在平坦化層上依次形成透明導(dǎo)電氧化物層和金屬層；

步驟12：在所述金屬層上涂布光刻膠(pr)，并采用半色調(diào)掩膜版，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行構(gòu)圖，形成光刻膠全保留區(qū)、光刻膠半保留區(qū)和光刻膠全去除區(qū)；

步驟13：刻蝕掉所述光刻膠全去除區(qū)的金屬層；

步驟14：刻蝕掉所述光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的透明導(dǎo)電氧化物層，形成透明導(dǎo)電氧化物層圖形；

步驟15：采用灰化(ashing)工藝，去除所述光刻膠半保留區(qū)內(nèi)的全部光刻膠以及所述光刻膠全保留區(qū)域的部分光刻膠；

步驟16：刻蝕掉所述光刻膠半保留區(qū)內(nèi)的金屬層，形成金屬層圖形；

步驟17：剝離所述光刻膠全保留區(qū)內(nèi)的光刻膠。

上述步驟15中，灰化工藝中使用的氣體通常為o2(氧氣)，o2產(chǎn)生的游離態(tài)氧原子以及氧離子作用在光刻膠上使其減薄。平坦化層和光刻膠通常采用有機(jī)樹脂制成，所以在灰化過(guò)程中，氧氣對(duì)兩種物質(zhì)的刻蝕速率相似。相似的刻蝕速率造成平坦化層在灰化后損傷較大。平坦化層被損傷后會(huì)影響設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，降低顯示效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示裝置，用于解決平坦化層在灰化過(guò)程產(chǎn)生的損傷問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，包括：

形成平坦化層；

在所述平坦化層上依次形成透明導(dǎo)電氧化物層和金屬層；

在所述金屬層上涂布光刻膠，并采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行構(gòu)圖，形成光刻膠全保留區(qū)、光刻膠半保留區(qū)和光刻膠全去除區(qū)；

刻蝕掉所述光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的金屬層；

采用灰化工藝，去除所述光刻膠半保留區(qū)內(nèi)的全部光刻膠以及所述光刻膠全保留區(qū)域的部分光刻膠；

刻蝕掉所述光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的透明導(dǎo)電氧化物層，形成透明導(dǎo)電氧化物層圖形；

刻蝕掉所述光刻膠半保留區(qū)內(nèi)的金屬層，形成金屬層圖形；

剝離所述光刻膠全保留區(qū)內(nèi)的光刻膠。

優(yōu)選地，所述平坦化層和所述光刻膠均采用有機(jī)樹脂制成。

優(yōu)選地，所述灰化工藝中采用的作用氣體包括氧氣。

優(yōu)選地，所述刻蝕掉所述光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的透明導(dǎo)電氧化物層的步驟中，選取預(yù)定刻蝕液，使得所述透明導(dǎo)電氧化物層的刻蝕速率與所述金屬層的刻蝕速率的比值高于預(yù)設(shè)閾值。

優(yōu)選地，所述透明金屬氧化物層采用ito制成。

優(yōu)選地，所述金屬層采用mo制成。

優(yōu)選地，所述形成平坦化層的步驟之前還包括：

形成源漏金屬層圖形。

本發(fā)明還提供一種陣列基板，采用上述制作方法形成，所述陣列基板包括：

平坦化層；

設(shè)置于所述平坦化層之上的透明導(dǎo)電氧化物層圖形；

設(shè)置于所述透明導(dǎo)電氧化物層圖形之上的金屬層圖形。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括：

柵金屬層圖形、柵絕緣層、有源層和源漏金屬層圖形，所述平坦化層位于所述源漏金屬層上方。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

調(diào)整現(xiàn)有技術(shù)中的工藝步驟，在進(jìn)行灰化工藝之前，并不刻蝕光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的透明導(dǎo)電氧化物層，因此，在進(jìn)行灰化工藝時(shí)，由于光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的透明導(dǎo)電氧化層未被刻蝕，光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的平坦化層上有透明導(dǎo)電氧化物層保護(hù)，因而，灰化工藝中使用的氣體不會(huì)對(duì)平坦化層造成損傷，從而使得平坦化層保持了原有形貌，確保了平坦化層的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，提高了具有該陣列基板的顯示裝置的顯示效果。

附圖說(shuō)明

圖1-圖8為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制作方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于所描述的本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參考圖1至圖8，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，包括：

步驟21：請(qǐng)參考圖1，形成平坦化層101；

所述平坦化層101通常采用有機(jī)樹脂制成。當(dāng)然，也不排除采用其他類型的材料制成。

步驟22：請(qǐng)參考圖2，在所述平坦化層101上依次形成透明導(dǎo)電氧化物層102和金屬層103；

其中，所述透明導(dǎo)電氧化物層通常采用ito(氧化銦錫)制成，當(dāng)然，也可以采用其他透明導(dǎo)電氧化層制成，例如izo(氧化銦鋅)等。

所述金屬層103可以采用cu、al、mo等金屬制成。

步驟23：請(qǐng)參考圖3，在所述金屬層103上涂布光刻膠104，并采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版，對(duì)所述光刻膠104進(jìn)行構(gòu)圖，形成光刻膠全保留區(qū)、光刻膠半保留區(qū)和光刻膠全去除區(qū)；

所述光刻膠104可以采用有機(jī)樹脂制成，即與平坦化層101可以采用相同的材料制成，當(dāng)然，在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，兩者也可以采用不同材料制成。

步驟24：請(qǐng)參考圖4，刻蝕掉所述光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的金屬層103；

該步驟為金屬層103的第一次刻蝕，通常采用濕刻工藝。

該步驟中形成的金屬層圖形與所需的透明導(dǎo)電氧化物層圖形一致，以使得后續(xù)在對(duì)透明導(dǎo)電氧化物層102的刻蝕時(shí)，按照該步驟中形成的金屬層圖形進(jìn)行刻蝕。

金屬層103的刻蝕需要保證較小的cdbias(直徑差值)，以保證透明導(dǎo)電氧化物層的cd。

步驟25：請(qǐng)參考圖5，采用灰化工藝，去除所述光刻膠半保留區(qū)內(nèi)的全部光刻膠104以及所述光刻膠全保留區(qū)域的部分光刻膠104；圖5為201為灰化工藝中的作用氣體；

現(xiàn)有技術(shù)總，由于在灰化工藝中，光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的平坦化層裸露在外，灰化工藝中的氣體會(huì)對(duì)平坦化層造成損傷。

而，本發(fā)明實(shí)施例中，由于在灰化工藝之前，并未刻蝕掉光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的透明導(dǎo)電氧化物層102，因此，在進(jìn)行灰化工藝時(shí)，光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的平坦化層101上有透明導(dǎo)電氧化物層102保護(hù)，灰化工藝中使用的氣體不會(huì)對(duì)平坦化層造成損傷。

該步驟中，形成的光刻膠圖形與后續(xù)所需的金屬層圖形一致，灰化的時(shí)間及流量等參數(shù)，需滿足將光刻膠的不需要的部分去除，但不能對(duì)所需的用于形成金屬層圖形的部分造成損傷。

步驟26：請(qǐng)參考圖6，刻蝕掉所述光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的透明導(dǎo)電氧化物層102，形成透明導(dǎo)電氧化物層圖形102’；

該步驟中，對(duì)光刻膠去除區(qū)內(nèi)的透明導(dǎo)電氧化物層102進(jìn)行刻蝕時(shí)，優(yōu)選地，選取預(yù)定刻蝕液，使得所述透明導(dǎo)電氧化物層102的刻蝕速率與所述金屬層103的刻蝕速率的比值高于預(yù)設(shè)閾值，所述透明導(dǎo)電氧化物層的刻蝕速率與所述金屬層的刻蝕速率的比值即刻蝕選擇比，本發(fā)明實(shí)施例中，選取刻蝕選擇比較高的刻蝕液，從而使得在刻蝕透明導(dǎo)電氧化物層102時(shí)，盡量減少對(duì)光刻膠半保留區(qū)內(nèi)的金屬層103造成的影響，使得所述光刻膠半保留區(qū)內(nèi)的金屬層103完全不會(huì)被刻蝕，或者刻蝕速率小于透明導(dǎo)電氧化物層102的刻蝕速率。所述預(yù)設(shè)閾值可以根據(jù)需要設(shè)定。

而，位于金屬層103下方的透明導(dǎo)電氧化物層102由于受到金屬層103的保護(hù)，不會(huì)被刻蝕。

因?yàn)橥该鲗?dǎo)電氧化物的刻蝕本身cdbias較小，所以可以很好的確?？涛g后的透明導(dǎo)電氧化物層的形貌。

步驟27：請(qǐng)參考圖7，刻蝕掉所述光刻膠半保留區(qū)1042內(nèi)的金屬層，形成金屬層圖形103’；

步驟28：請(qǐng)參考圖8，剝離所述光刻膠全保留區(qū)1041內(nèi)的光刻膠。

通過(guò)上述實(shí)施例提供的方法，調(diào)整現(xiàn)有技術(shù)中的工藝步驟，在進(jìn)行灰化工藝之前，并不刻蝕光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的透明導(dǎo)電氧化物層，因此，在進(jìn)行灰化工藝時(shí)，由于光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的透明導(dǎo)電氧化層未被刻蝕，光刻膠全去除區(qū)內(nèi)的平坦化層上有透明導(dǎo)電氧化物層保護(hù)，因而，灰化工藝中使用的氣體不會(huì)對(duì)平坦化層造成損傷，從而使得平坦化層保持了原有形貌，確保了平坦化層的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，提高了具有該陣列基板的顯示裝置的顯示效果。

上述實(shí)施例中，優(yōu)選地，所述灰化工藝中采用的作用氣體包括氧氣，當(dāng)然，在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，灰化工藝中也不排除采用其他類型的氣體作為作用氣體。

上述實(shí)施例中，優(yōu)選地，所述平坦化層是形成在陣列基板的源漏金屬層圖形上方，也就是說(shuō)，上述方法中，在形成平坦化層的步驟之前還包括：形成源漏金屬層圖形。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，采用上述制作方法形成，所述陣列基板包括：

平坦化層；

設(shè)置于所述平坦化層之上的透明導(dǎo)電氧化物層圖形；

設(shè)置于所述透明導(dǎo)電氧化物層圖形之上的金屬層圖形。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括：柵金屬層圖形、柵絕緣層、有源層和源漏金屬層圖形，所述平坦化層位于所述源漏金屬層上方。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板，所述顯示裝置可以為顯示面板，也可以為包括顯示面板和驅(qū)動(dòng)電路的顯示裝置。

除非另作定義，本發(fā)明使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”或者“一”等類似詞語(yǔ)也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)。“連接”或者“相連”等類似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也相應(yīng)地改變。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。