本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示面板。

背景技術(shù)：

顯示行業(yè)一直將提高顯示品質(zhì)，降低生產(chǎn)成本作為制勝的關(guān)鍵因素。并且隨著技術(shù)的發(fā)展，各種工藝技術(shù)也在不斷的提高，所能進(jìn)行的工藝精細(xì)程度也越來越高，這體現(xiàn)在像素的關(guān)鍵尺寸可以越做越小。并且人們追求顯示品質(zhì)也有了一定的改變，不再單純追求高亮度高度比，而對(duì)視角、色彩空間加更注重。

在這些顯示技術(shù)中，ips(橫向電場效應(yīng)顯示技術(shù))無疑是一個(gè)非常好的選擇。但是傳統(tǒng)的ips像素工藝制程相對(duì)比較多，至少需要四道制程，包括m1(第一金屬層)、activelayer(有源層)與m2(第二金屬層)、pv(有機(jī)層)及像素電極。這對(duì)于大量生產(chǎn)來說，成本也就相對(duì)比較高。半導(dǎo)體顯示技術(shù)如果減少制程道次，相對(duì)來說就能降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示面板，能夠在陣列基板的制作制程中只需要兩道光罩，提高了生產(chǎn)效率，降低了產(chǎn)品生產(chǎn)的成本。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板的制作方法，該制作方法包括：在基板上制作第一金屬層；采用第一張光罩對(duì)第一金屬層進(jìn)行刻蝕工藝以形成柵極和公共電極；在第一金屬層上依次制作柵極絕緣層、有源層和第二金屬層；采用第二張光罩對(duì)第二金屬層和有源層進(jìn)行刻蝕工藝以形成源極、漏極和像素電極。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板，該陣列基板包括依次層疊形成的第一金屬層，柵極絕緣層、有源層以及第二金屬層；其中，第一金屬層包括柵極和公共電極，第二金屬層包括源極、漏極和像素電極。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括陣列基板、彩膜基板以及陣列基板和彩膜基板之間的液晶層，其中，陣列基板是采用如上的制作方法制得，或是如上的陣列基板。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的陣列基板的制作方法包括：在基板上制作第一金屬層；采用第一張光罩對(duì)第一金屬層進(jìn)行刻蝕工藝以形成柵極和公共電極；在第一金屬層上依次制作柵極絕緣層、有源層和第二金屬層；采用第二張光罩對(duì)第二金屬層和有源層進(jìn)行刻蝕工藝以形成源極、漏極和像素電極。通過上述方式，整個(gè)陣列基板的制作制程只需要兩道光罩，提高了生產(chǎn)效率，降低了產(chǎn)品生產(chǎn)的成本。

附圖說明

圖1是本發(fā)明提供的陣列基板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法一實(shí)施例的流程示意圖；

圖3-圖6是本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法一實(shí)施例中步驟s21-s22的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法一實(shí)施例中步驟s23的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8-圖13是本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法一實(shí)施例中步驟s24的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14是本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法一實(shí)施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15是本發(fā)明提供的液晶顯示面板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

參閱圖1，圖1是本發(fā)明陣列基板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板包括依次層疊設(shè)置在基板10上的第一金屬層11、柵極絕緣層12、有源層以及第二金屬層15。

其中，有源層包括半導(dǎo)體層13以及離子注入層14。

其中，第一金屬層11包括柵極111和公共電極112，第二金屬層15包括源極151、漏極152和像素電極153。

具體地，第一金屬層11在第一張光罩下被刻蝕形成柵極111和公共電極112，第二金屬層15在第二張光罩下被刻蝕形成源極151、漏極152和像素電極153。

其中，第二金屬層15為抗氧化金屬層，且第二金屬層15裸露在陣列基板與彩膜基板之間的液晶層中。

下面參閱圖2的流程示意圖以及圖3-圖13的結(jié)構(gòu)示意圖，對(duì)上述陣列基板的制作方法進(jìn)行詳細(xì)說明。

如圖2所示，該陣列基板的制作方法包括：

s21：在基板上制作第一金屬層。

s22：采用第一張光罩對(duì)第一金屬層進(jìn)行刻蝕工藝以形成柵極和公共電極。

基板10可以是透明的玻璃基板，也可以是透明的塑料基板；第一金屬層可以采用pt、ru、au、ag、mo、cr、al、ta、ti或w中的一種金屬或多種金屬的合金。

具體地，可以采用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積的方式在基板10上沉積一層金屬，具體可以采用物理濺射、旋涂、噴墨、狹縫涂布或者光刻工藝等方法中的一種或多種，本實(shí)施例不作限定。

如圖3所示，在金屬沉積之后，在第一金屬層11上涂覆光刻膠31，采用第一張光罩32對(duì)光刻膠31進(jìn)行曝光顯影。曝光顯影后的光刻膠如圖4所示，然后對(duì)第一金屬層進(jìn)行刻蝕，形成如圖5所示的結(jié)構(gòu)，最后對(duì)光刻膠31進(jìn)行剝離，以形成如圖6所示的柵極111和公共電極112。

值得注意的是，在上述制程中，柵極111和公共電極112采用同一金屬層(即第一金屬層11)制作，在圖形化時(shí)，僅使用一道光罩。

s23：在第一金屬層上依次制作柵極絕緣層、有源層和第二金屬層。

具體地，如圖7所示，在第一金屬層11上制作柵極絕緣層12；在柵極絕緣層12上制作半導(dǎo)體層13，并在半導(dǎo)體層13的表面進(jìn)行離子注入，以形成離子注入層14；在離子注入層14上制作第二金屬層15。

其中，柵極絕緣層12可以是siox、sinx或其混合物；半導(dǎo)體層13可以采用si、ge或gaas等，在本實(shí)施例中，可以采用as制作；離子注入層14也可以叫做離子摻雜層，可以根據(jù)tft的具體功能而注入不同的離子，若要形成n型半導(dǎo)體，可以注入磷，若要形成p型半導(dǎo)體，可以注入硼、鎵。

其中，由于在陣列基板和彩膜基板對(duì)盒形成液晶盒時(shí)，第二金屬層15裸露出來直接與液晶接觸，因此，第二金屬層15需要采用難以氧化的金屬，例如ag或ag、mo組合形成的多層結(jié)構(gòu)金屬。

s24：采用第二張光罩對(duì)第二金屬層和有源層進(jìn)行刻蝕工藝以形成源極、漏極和像素電極。

具體地，如圖8所示，在第二金屬層15上涂覆光刻膠33；采用第二張光罩34對(duì)光刻33膠進(jìn)行曝光顯影；圖9為光刻膠33曝光顯影后的結(jié)構(gòu)示意圖。

然后對(duì)第二金屬層15、半導(dǎo)體層13以及離子注入層14進(jìn)行刻蝕，以形成源極、漏極以及像素電極。

具體地，如圖10所示，對(duì)未被光刻膠33覆蓋的第二金屬層15、半導(dǎo)體層13以及離子注入層14進(jìn)行刻蝕，以使未被光刻膠33覆蓋的區(qū)域裸露出柵極絕緣層12。可選的，在對(duì)第二金屬層15進(jìn)行刻蝕時(shí)，可以采用濕法刻蝕，在對(duì)半導(dǎo)體層13以及離子注入層14進(jìn)行刻蝕時(shí)，可以才是干法刻蝕。

如圖11所示，然后在光刻膠33上挖孔，形成過孔331，以使光刻膠33覆蓋的第二金屬層15部分裸露，具體地，是裸露出柵極111對(duì)應(yīng)的部分；如圖12所示再對(duì)裸露的第二金屬層15進(jìn)行刻蝕，以裸露出離子注入層14；對(duì)裸露的離子注入層14進(jìn)行刻蝕，以裸露出半導(dǎo)體層13。

如圖13所示，最后對(duì)第二金屬層15上面的光刻膠進(jìn)行剝離，形成陣列基板，其中，第二金屬層15在上述刻蝕過程中形成源極151、漏極152以及像素電極153。

值得注意的是，在上述制程中，源極151、漏極152以及像素電極153采用同一金屬層(即第二金屬層15)制作，在圖形化時(shí)，僅使用一道光罩。

如圖14所示，其中，豎線填充區(qū)域表示第一金屬層11的圖案，橫線填充區(qū)域表示第二金屬層15的圖案。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施方式提供的陣列基板的制作方法包括：在基板上制作第一金屬層；采用第一張光罩對(duì)第一金屬層進(jìn)行刻蝕工藝以形成柵極和公共電極；在第一金屬層上依次制作柵極絕緣層、有源層和第二金屬層；采用第二張光罩對(duì)第二金屬層和有源層進(jìn)行刻蝕工藝以形成源極、漏極和像素電極。通過上述方式，整個(gè)陣列基板的制作制程只需要兩道光罩，提高了生產(chǎn)效率，降低了產(chǎn)品生產(chǎn)的成本。

參閱圖15，圖15是本發(fā)明提供的液晶顯示面板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，該液晶顯示面板包括陣列基板40、彩膜基板50以及陣列基板40和彩膜基板50之間的液晶層60。

其中，陣列基板40是如上述實(shí)施方式中所提供的陣列基板，其中的第二金屬層(包括源極、漏極以及像素電極)裸露在液晶層60中，因此第二金屬層需要采用難以氧化的金屬材料制得，例如ag或ag、mo組合形成的多層結(jié)構(gòu)金屬。

彩膜基板50中設(shè)置有光阻，具體地，可以包括rgb三色光阻。

具體地，該液晶顯示面板為ips型液晶顯示面板。

另外，本發(fā)明還可以提供一種ips型液晶顯示器，包括液晶顯示面板以及背光，其中，該液晶顯示面板是如上的面板，其結(jié)構(gòu)相同，這里不再贅述。

在本發(fā)明提供的液晶顯示面板中，由于陣列基板中第一金屬層在第一張光罩下被刻蝕形成柵極和公共電極，第二金屬層在第二張光罩下被刻蝕形成源極、漏極和像素電極，因此在制程中只使用兩道光罩，提高了生產(chǎn)效率，降低了產(chǎn)品生產(chǎn)的成本。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。