技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種閃存存儲陣列及其制造方法，通過定義新的存儲陣列，取消有源區(qū)之間的隔離結(jié)構(gòu)以及每個存儲位漏極區(qū)的導(dǎo)電接觸插塞結(jié)構(gòu)，使同列的所有存儲位的源極區(qū)和漏極區(qū)由兩個導(dǎo)電接觸插塞分別連接，從而大幅減低單個存儲位的面積，大幅降低導(dǎo)電接觸插塞的工藝窗口的刻蝕和填充難度，為控制柵極線方向的設(shè)計(jì)尺寸微縮提供了可行性。

技術(shù)研發(fā)人員：周文斌;曹開瑋;賀吉偉;孫鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.23
技術(shù)公布日：2017.11.03