本申請是申請日為2012年12月7日，申請?zhí)枮椤?01210524045.x”，發(fā)明名稱為“處理基片的裝置和方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。

本申請要求2011年12月7日提交的韓國專利申請no.10-2011-0130385的優(yōu)先權(quán)，該申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及用于處理基片的裝置和方法，更具體地，涉及用于使用超臨界流體干燥基片的裝置和方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體裝置的制造包括從基片或晶片上去除污染物的清洗處理。清洗處理包括使用化學(xué)材料從基片上去除污染物的化學(xué)處理步驟，使用沖洗(rinse)溶液從基片上去除化學(xué)材料的沖洗步驟，和從基片上干燥沖洗溶液的干燥步驟。

在干燥步驟中，可將有機(jī)溶劑用于基片表面以替換沖洗溶液，接著可以對基片進(jìn)行加熱。然而，在半導(dǎo)體裝置包括寬度較窄的電路圖案的情況下，在干燥步驟中可能發(fā)生圖案傾塌(patterncollapse)現(xiàn)象，其中電路圖案受損或被破壞。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種用于有效干燥基片的裝置和方法。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，一種基片干燥裝置可以包括：具有內(nèi)部空間的處理室；布置于所述處理室內(nèi)用于支撐基片的基片支撐件；第一供應(yīng)口，其配置為向位于所述基片以下的所述內(nèi)部空間的一個(gè)區(qū)域提供超臨界流體；第二供應(yīng)口，其配置為向位于所述基片以上的所述內(nèi)部空間的一個(gè)區(qū)域提供超臨界流體；和排出口，其配置為將超臨界流體從所述處理室排出到外部區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，一種干燥基片的方法可以包括：將基片放置于處理室；向位于所述基片以下的所述處理室的較低內(nèi)部空間中提供超臨界流體以將所述處理室的內(nèi)部壓力增大超過大氣壓；以及隨后向位于所述基片以上的所述處理室的較高內(nèi)部空間中提供超臨界流體以干燥所述基片。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，一種基片干燥裝置可以包括：具有內(nèi)部空間的處理室；布置于所述處理室的內(nèi)部空間中的基片支撐件，所述基片支撐件配置為接收和支撐基片；布置于所述處理室的內(nèi)部空間中的在所述基片支撐件以下的擋板(blockingplate)；第一供應(yīng)口；第二供應(yīng)口；和排出口。所述第一供應(yīng)口可延伸穿透所述處理室的底壁，并且配置為向所述擋板的底面和位于所述基片以下和所述擋板的頂面以上的所述內(nèi)部空間的一個(gè)區(qū)域提供超臨界流體。所述第二供應(yīng)口可延伸穿透所述處理室的頂壁，并且配置為向位于所述基片以上的所述內(nèi)部空間的一個(gè)區(qū)域提供超臨界流體。所述排出口可以延伸穿透所述處理室的底壁，并且配置為將超臨界流體從所述處理室排出到外部區(qū)域。

附圖說明

通過以下結(jié)合附圖進(jìn)行的簡要說明將會更加清楚地理解這些示例實(shí)施例。在此所述的圖1到圖12代表非限定性的示例實(shí)施例。

圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的基片處理裝置的截面圖；

圖2是示出了在封閉狀態(tài)下的圖1的裝置的處理室的截面圖；

圖3是示出了圖1的裝置的基片支撐件的平面圖；

圖4是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的升壓步驟的示圖；

圖5是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的基片干燥步驟的示圖；

圖6是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的排出步驟的示圖；

圖7是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一些實(shí)施例的排出步驟的示圖；

圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一些實(shí)施例的擋板的平面圖；

圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一些實(shí)施例的基片干燥裝置的截面圖；

圖10是示出了圖9的裝置的基片支撐件的平面圖；

圖11是示出了在打開狀態(tài)下的圖9的裝置的處理室的截面圖；和

圖12是顯示了不同的擋板結(jié)構(gòu)與所導(dǎo)致的技術(shù)效果之間的關(guān)系的示圖。

應(yīng)注意的是，這些附圖是為了示出特定示例實(shí)施例中采用的方法、結(jié)構(gòu)和/或材料的一般特征，并對以下提供的書面說明進(jìn)行補(bǔ)充。然而，這些附圖沒有按照比例，而且不能精確地反應(yīng)出任意給定的實(shí)施例的精確結(jié)構(gòu)或性能特性，也不應(yīng)解釋為限定或限制由這些示例實(shí)施例所涵蓋的值或?qū)傩缘姆秶＠?，為清楚起見會縮小或放大分子、層、區(qū)域和/或結(jié)構(gòu)元件的相對厚度和位置。在不同的附圖中使用相似或相同的參考編號是為了表示存在相似或相同的元件或特征。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖對本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例進(jìn)行更全面的說明，在附圖中顯示了示例實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例可以以許多不同的形式進(jìn)行實(shí)施，而不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了使得本公開是充分和完整的，并將向本領(lǐng)域普通技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_(dá)本發(fā)明構(gòu)思的范圍。在附圖中，為了清起見會放大層和區(qū)域的厚度。在附圖中，相同的參考編號表示相同的元件，因此會省略對它們的說明。

要理解的是，當(dāng)一個(gè)元件被稱作“連接到”或“耦接到”另一個(gè)元件時(shí)，能夠?qū)⑺鲆粋€(gè)元件直接連接或耦接到所述另一個(gè)元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱作“直接連接到”、“直接耦接到”另一個(gè)元件時(shí)，不存在中間元件。相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。在此所用的術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)的任意及全部組合。用于描述各元件或各層之間的關(guān)系的其它詞語(比如，“在…之間”與“直接在…之間”，“鄰近”與“直接鄰近”，“在…上”與“直接在…上”)應(yīng)以相同的方式進(jìn)行解釋。

要理解的是，盡管這里可能使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)由這些術(shù)語限制。這些術(shù)語只是用來將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分進(jìn)行區(qū)分。因此，下面所討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分也能夠被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分，而不背離示例實(shí)施例的教導(dǎo)。

為了方便說明，在此會使用諸如“在…下”、“在…以下”、“較低的”、“在…以上”、“較高的”等空間相對術(shù)語以說明附圖中所示出的一個(gè)元件或特征相對于另一個(gè)(或一些)元件或特征的關(guān)系。要理解的是，空間相對術(shù)語是為了涵蓋裝置在使用或操作中除附圖中所示的指向之外的不同指向。例如，如果將附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則描述為“在其它元件或特征以下”或“在其它元件或特征下”的元件的指向?qū)⑹恰霸谄渌蛱卣饕陨稀?。因此，示例性術(shù)語“在…以下”能夠涵蓋“在…以上”和“在…以下”兩種指向。還可令裝置處于其它指向(旋轉(zhuǎn)90度或者處于其它指向)，并且相應(yīng)地解釋在此所使用的空間相對關(guān)系的描述。

這里所使用的用語僅以說明具體的實(shí)施例為目的，而并非意在限制本發(fā)明構(gòu)思。除非上下文明確另有指出，否則在此使用的單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”和“該”也包括復(fù)數(shù)形式。還要理解的是，如果在此使用了術(shù)語“包括”、“包括…的”、“包含”和/或“包含…的”來指定存在所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件，那么并未排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

在此參考示例實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意性圖示說明對本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例進(jìn)行說明。因此，作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果，可以預(yù)期與圖示說明的形狀有所不同。因此，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不應(yīng)解釋為限于在此所示出的這些區(qū)域的特定形狀，而是包括由例如制造所產(chǎn)生的在形狀上的偏差。例如，示為矩形的注入?yún)^(qū)可能在其邊緣具有圓角或曲線特征和/或在其邊緣處的注入濃度梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。類似地，通過注入形成的掩埋區(qū)可以導(dǎo)致在掩埋區(qū)和借以發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，附圖中所示的這些區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀并非意在必要地示出一個(gè)裝置的某一區(qū)域的實(shí)際形狀，也并非意在限制本方明構(gòu)思的范圍。

除非另有限定，否則在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科技術(shù)語)的含義與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員常通常理解相同。還要理解的是，諸如已在常用詞典中定義的術(shù)語應(yīng)解釋為與在相關(guān)領(lǐng)域的情景中一致的含義，不應(yīng)以理想化或者過于正式的意思來理解，除非在此明確地如此定義。

圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的基片處理裝置的截面圖，圖2是示出了在封閉狀態(tài)下的圖1的裝置的處理室的截面圖。

參考圖1和圖2，可以將基片處理裝置10配置為(比如在沖洗處理已經(jīng)結(jié)束時(shí))干燥晶片或基片w。在一些實(shí)施例中，可以將基片處理裝置10配置為使用超臨界流體來干燥晶片w。超臨界流體可以用于溶解和干燥沖洗處理后會剩余在晶片w的表面上的沖洗溶液(比如，有機(jī)溶劑)的殘?jiān)?。在一些?shí)施例中，超臨界流體可以是處于超臨界狀態(tài)下的二氧化碳(co2)。二氧化碳在30℃或更高溫度或者7.4mpa或更大壓力下到達(dá)其超臨界狀態(tài)。為了簡單起見，下面的許多說明將參考其中超臨界流體是處于超臨界狀態(tài)的二氧化碳的實(shí)施例。

基片處理裝置10可以包括處理室100、基片支撐件200、第一供應(yīng)口310、第二供應(yīng)口320、排出口330和擋板340。

處理室100可以限定或者提供在其中對晶片w進(jìn)行干燥處理的空間。例如，可以在處理室100內(nèi)提供內(nèi)部空間101。處理室100可配置為能夠承受高于使用中的超臨界流體的臨界溫度和臨界壓力的溫度和壓力。處理室100可以包括上部室110、下部室120和室驅(qū)動部件130。

可以將上部室110配置為具有底部敞開(即，敞開的底部)的空間。在一些實(shí)施中，上部室110的頂壁可以作為處理室100的頂壁102。上部室110的側(cè)壁可以提供為處理室100的側(cè)壁103的一部分。

下部室120可以置于上部室110以下。在一些實(shí)施例中，可以將下部室120配置為具有頂部敞開(即，敞開的頂部)的空間。下部室120的敞開的頂部可以面向上部室110的敞開的底部。下部室120的底壁可以作為處理室100的底壁104。下部室120的側(cè)壁可以提供為處理室100的側(cè)壁103的一部分。

可以將室驅(qū)動部件130配置為垂直移動上部室110和下部室120中的至少一個(gè)?？梢酝ㄟ^上部室110和/或下部室120的垂直移動來打開或閉合處理室100的內(nèi)部空間101。在一些實(shí)施例中，可以將室驅(qū)動部件130配置為在將晶片w裝載到處理室100或從處理室100卸載晶片w時(shí)打開處理室100的內(nèi)部空間101，在將要對晶片w進(jìn)行干燥步驟時(shí)閉合處理室100的內(nèi)部空間101。在一些實(shí)施例中，可以將室驅(qū)動部件130配置為沿垂直方向(比如，向上和/或向下)移動下部室120。

室驅(qū)動部件130可包括導(dǎo)桿131、升降桿132和驅(qū)動器133?？梢詫?dǎo)桿131配置為將上部室110的下部與下部室120的上部連接，此外，可以以這樣的方式引導(dǎo)下部室120的移動，即，下部室120的上部與上部室110的下部相接以密封處理室120的內(nèi)部空間101?？梢栽谙虏渴?20的下部以下提供升降桿132，并將升降桿132配置為使用來自驅(qū)動器133的驅(qū)動力向上或向下移動下部室120?？梢詫Ⅱ?qū)動器133配置為即使當(dāng)處理室100的內(nèi)部空間101處于由于超臨界流體所導(dǎo)致的高壓狀態(tài)下時(shí)也使得處理室100密封。在一些實(shí)施例中，驅(qū)動器133可以包括液壓設(shè)備。

可以以掩埋方式在處理室100的頂壁120、側(cè)壁103和底壁104中的至少一壁上提供加熱器(未示出)?？梢酝ㄟ^加熱器對處理室100進(jìn)行加熱，以使得能處理室100能夠保持具有比處理室100中的超臨界流體的臨界溫度更高的溫度。

處理室100的底壁104可形成為具有凹部106。凹部106可以形成為具有預(yù)定的深度。由于存在凹部106，所以處理室100可形成為具有不平坦的內(nèi)部底面105。

處理室100可以形成為具有傾斜的內(nèi)部側(cè)面108(下文中稱為“傾斜面”)。傾斜面108可以連接處理室100的內(nèi)部底面105與處理室100的側(cè)面107(例如，內(nèi)部側(cè)面)。由于存在傾斜面108，所以處理室100的內(nèi)部空間101的寬度可以自內(nèi)部底面105到側(cè)面107增加。在不同的實(shí)施例中，傾斜面108的角度范圍可以從約10°到約45°。

可以在處理室100內(nèi)提供基片支撐件200以支撐晶片w?？梢詫⒒渭?00配置為支撐晶片w的底部邊緣部分。例如，可以通過基片支撐件200暴露晶片w的底面的中心部分。在一些實(shí)施例中，基片支撐件200可以與處理室100的頂壁102垂直地隔開。

圖3是示出了圖1的裝置的基片支撐件的平面圖。

參考圖1到圖3，基片支撐件200可以包括至少一個(gè)垂直桿或垂直件210，以及至少一個(gè)水平桿或水平件220。垂直桿210可以與處理室100的頂壁102垂直并與處理室100的頂壁102連接。在一些實(shí)施例中，基片支撐件200可以包括一對垂直桿210，可以將這一對垂直桿210水平地彼此隔開。

在一些實(shí)施例中，基片支撐件200可以包括一對水平桿220，每一個(gè)水平桿220可以與對應(yīng)的一個(gè)垂直桿210的底端部分連接?？梢砸员“寤蚱脚_形式提供一個(gè)(或多個(gè))水平桿220，并且與一個(gè)(或多個(gè))垂直桿210垂直。可以在水平桿220的頂面上提供一個(gè)或多個(gè)支撐凸起物230。一個(gè)(或多個(gè))支撐凸起物230可以從水平桿220的頂面上凸起。在每個(gè)水平桿220上可以有多個(gè)支撐凸起物230?？梢詫⒕瑆放置在支撐凸起物230上，并在晶片w的邊緣部分處由支撐凸起物230支撐晶片w。

可以通過第一供應(yīng)口310和第二供應(yīng)口320將超臨界流體提供到處理室100的內(nèi)部空間101中?？梢栽谔幚硎?00的底壁104的中心附近形成第一供應(yīng)口310。第一供應(yīng)口310的排放孔311可以形成為穿透設(shè)有凹部106的處理室100的底壁104的一部分。在一些實(shí)施例中，可以通過第一供應(yīng)口310將超臨界流體提供到位于晶片w以下的內(nèi)部空間101的一部分中。

可以在處理室100的頂壁102的中心附近提供第二供應(yīng)口320?？梢酝ㄟ^第二供應(yīng)口320將超臨界流體提供到位于晶片w以上或高于晶片w的內(nèi)部空間101的一部分中。可以將通過第二供應(yīng)口320提供的超臨界流體提供到晶片w的頂面上。

排出口330可以配置為將處理室100中的剩余流體排出到外部空間。排出口330可以設(shè)置為穿過處理室100的底壁104?？梢耘c第一供應(yīng)口310相鄰地形成排出口330。在一些實(shí)施例中，可以將包含有機(jī)溶劑的超臨界流體從排出口330排出或放氣。排出口330可以與再生裝置(未示出)連接，再生裝置可以配置為從超臨界流體中分離有機(jī)溶劑，但是本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于此。

可以在基片支撐件200以下提供擋板340。在一些實(shí)施例中，可以以平板形式提供擋板340。擋板340可以包括頂面341、底面342和側(cè)面343。頂面341可以與底面342平行。頂面341可以具有比底面342的面積更大的面積。在處理室100處于閉合狀態(tài)的情況下，擋板340的頂面341可以布置為與晶片w的底面隔開預(yù)定的間隔a。例如，擋板340的頂面341與晶片w的底面之間的間隔a的范圍可以從約0.2cm到約1.0cm。底面342可以布置為與處理室100的內(nèi)部底面105平行面對?？梢砸灶A(yù)定的間隔b將底面342與處理室100的內(nèi)部底面105隔開。例如，底面342與內(nèi)部底面105之間的間隔b的范圍可以從約0.1cm到約2cm?？梢蕴峁﹤?cè)面343以連接頂面341和底面342。在一些實(shí)施例中，可以以這樣的方式使側(cè)面343傾斜，即，擋板340的截面面積可以從底面342向上到頂面341增加。側(cè)面343可以與傾斜面108平行。側(cè)面343可以以預(yù)定的間隔c將側(cè)面343與傾斜面108隔開。例如，側(cè)面343與傾斜面108之間的間隔c的范圍可以從約0.1cm到約20cm。

擋板340的底面342和處理室100的內(nèi)部底面105之間的間隔可以與擋板340的側(cè)面343與處理室100的傾斜面108之間的間隔連接，從而提供了這樣的間隔，通過第一供應(yīng)口310提供的超臨界流體可以流過該間隔。可以將超臨界流體提供在擋板340的底面342上，接著通過擋板340和處理室100之間的間隔將超臨界流體移動和擴(kuò)散到處理室100的內(nèi)部空間101中。

可以在擋板340以下提供至少一個(gè)支撐桿或支撐件350以支撐擋板340。例如，可以提供彼此隔開的多個(gè)支撐桿350?？梢詫⒚總€(gè)支撐桿350的頂端部分與擋板340連接，并可以將底端部分放置在處理室100的內(nèi)部底面105上。在一些實(shí)施例中，可以將支撐桿350的底端部分放在處理室100的內(nèi)部底面105的凹部106。

在下文中，將參考附圖對利用前述基片處理裝置干燥基片的方法進(jìn)行說明。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，干燥基片的方法可以包括增壓或升壓步驟、干燥步驟和排出步驟。在增壓步驟中，可以以這樣的方式將超臨界流體提供到處理室100中，即，處理室100能具有高于大氣壓的內(nèi)部壓力。在干燥步驟中，可以在已增加的內(nèi)部壓力的條件下，使用提供到晶片w的頂面上的超臨界流體對晶片w進(jìn)行干燥。在干燥步驟之后，可以執(zhí)行排出步驟以排出在處理室100中剩余的流體，從而減少處理室100的內(nèi)部壓力。

圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的升壓步驟的示圖。參考圖4，可以通過第一供應(yīng)口310將超臨界流體l提供到處理室100中?？梢詫⒊R界流體l提供到擋板340的底面342上，并且超臨界流體l通過擋板340與處理室100的底壁104之間的間隔流動。擋板340可以改變通過第一供應(yīng)口310注入的超臨界流體l的流動。當(dāng)將超臨界流體l直接注入到晶片w的底面上時(shí)，超臨界流體l所施加的壓力可能會使晶片w變形或者使其偏離原來的形狀或位置。然而，擋板340的存在可以防止將超臨界流體l直接提供到晶片w上，因此，能夠防止前述問題。

超臨界流體l可以通過擋板340與處理室100的底壁104之間的間隔擴(kuò)散到處理室100中。超臨界流體l的提供可以增加處理室100的內(nèi)部壓力。在一些實(shí)施例中，可以至少在處理室100的內(nèi)部壓力達(dá)到超臨界流體l的臨界壓力之前提供超臨界流體l。如果在處理室100的內(nèi)部壓力低于所述臨界壓力的條件下從第二供應(yīng)口320提供超臨界流體，那么超臨界流體由于低壓而液化并隨意地落到晶片w的頂面上。這會導(dǎo)致在晶片w上提供的圖案的腐化(decay)。

可以在處理室100的內(nèi)部壓力高于臨界壓力的條件下執(zhí)行干燥步驟。

圖5是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的基片干燥步驟的示圖。參考圖5，可以通過第二供應(yīng)口320將超臨界流體l提供到處理室100中。通過第二供應(yīng)口320提供的超臨界流體l可以與通過第一供應(yīng)口310提供的超臨界流體相同。在一些實(shí)施例中，通過第二供應(yīng)口320提供的超臨界流體l可以直接提供到晶片w的頂面上。超臨界流體可以溶解在晶片w的頂面上可能剩余的有機(jī)溶劑，使得晶片w能夠被干燥。可以在預(yù)定的持續(xù)時(shí)間內(nèi)通過第二供應(yīng)口320提供超臨界流體l然后中斷。

圖6是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的排出步驟的示圖。參考圖6，排出口330可以配置為將在處理室100中剩余的流體l'排出到處理室100的外部。剩余流體l'的排出可以降低處理室100的內(nèi)部壓力?？梢栽谔幚硎?00的內(nèi)部壓力達(dá)到大氣壓之前執(zhí)行剩余流體l'的排出。在處理室100的內(nèi)部壓力保持在大氣壓的情況下，可以降低下部室120以打開處理室100的內(nèi)部空間?？梢杂衫鐐魉蜋C(jī)器人(未示出)卸載已經(jīng)結(jié)束干燥處理的晶片w。

圖7是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一些實(shí)施例的排出步驟的示圖。參考圖7，第一排出洞、孔或通道345可以提供為穿透擋板340。第一排出孔345可以包括從擋板340的頂面延伸到其底面的通孔。可以在擋板340的中心區(qū)域附近形成第一排出孔345。可以在穿過排出口330的垂直軸或垂直線上提供第一排出孔345。在干燥步驟中，大部分的流體l'會停留在擋板340的頂面上。在圖6的基片處理裝置中，剩余在擋板340上的流體l'可以經(jīng)由擋板340與處理室100的底壁104之間的間隔流入到排出口330中。在這種情況下，會延長用于排出流體l'的路徑，而且由于擋板340與處理室100之間的間隔可能較窄，因此流體l'不可以順暢地流動。然而，在圖7的基片干燥裝置中，剩余在擋板340上的流體l'可以經(jīng)由第一排出孔345直接地流入到排出口330中。也就是說，能夠縮短用于排出流體l'的路徑。而且，由于可以沿相同的垂直軸或垂直線(即，對齊的)形成流體l'的排出流動路徑345和330，因此流體l'能夠更容易地流入到排出口330中。

圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一些實(shí)施例的擋板的平面圖。參考圖8，擋板340可以形成為具有第一排出洞、孔或通道345'和至少一個(gè)第二排出洞、孔或通道346。與圖7所示的第一排出孔345相似，可以以這樣的形式提供第一排出孔345'，即，垂直穿透擋板340并且布置于穿過圖7的排出口330的相同的垂直軸或垂直線上。可以以垂直穿透擋板340的通孔的形式提供第二排出孔346。在一些實(shí)施例中，擋板340可以包括圍繞第一排出孔345'布置的多個(gè)第二排出孔346。剩余在擋板340上或以上的流體可以通過第一排出孔345'和第二排出孔346容易地流到位于擋板340以下的區(qū)域。

圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一些實(shí)施例的基片干燥裝置的截面圖，圖10是圖9所示基片支撐件的平面圖。

參考圖9和圖10，基片支撐件200可以包括第一垂直桿或垂直件210和第二垂直桿或垂直件220，以及第一水平桿或水平件230和第二水平桿或水平件240?？梢詫⒌谝淮怪睏U210的頂端部分與處理室100的頂壁102連接，可以以預(yù)定的距離將第一垂直桿210的底端部分與處理室100的頂壁102隔開。在一些實(shí)施例中，基片支撐件200可以包括一對彼此面對布置的第一垂直桿210。在一些實(shí)施例中，如所示，可以延長和/或第一垂直桿或垂直件210，或者第一垂直桿或垂直件210可以是弓形的。

可以將每個(gè)第一水平桿230與各個(gè)第一垂直桿210的底端部分連接。可以以弧形板或平臺的形式提供每個(gè)第一水平桿230。可以在第一水平桿230的頂面上提供一個(gè)或多個(gè)支撐突起物231。每個(gè)支撐突起物231可以從第一水平桿230的頂面向上突起?？梢詫⒕瑆裝載到支撐突起物231上。

可以將每個(gè)第二垂直桿220的底端部分與處理室100的底壁104連接，并且可以以預(yù)定的距離將每個(gè)第二垂直桿220的頂端部分與處理室100的頂壁102隔開。

可以將每個(gè)第二水平桿240與各個(gè)第二垂直桿220的頂部部分連接。可以以弧形板或平臺的形式提供每個(gè)第二水平桿240。當(dāng)處理室100閉合時(shí)，可以將第二水平桿240放置在與第一水平桿230相同的水平處?？梢匝氐谝凰綏U230布置第二水平桿240以形成環(huán)形結(jié)構(gòu)?？稍诿總€(gè)第二水平桿240的頂面上提供引導(dǎo)部241。引導(dǎo)部241可以從第二水平桿240的頂面向上突起，并置于由(多個(gè))支撐突起物231所支撐的晶片w外部。可以以弧形和加長的平板形式提供引導(dǎo)部241，并且引導(dǎo)部241的長度可以與第二水平桿240的長度相對應(yīng)?？梢砸跃哂懈邠]發(fā)性和低粘度的流體形式提供有機(jī)溶劑，因此，有機(jī)溶劑可以從晶片w流下。在通過使用有機(jī)溶劑從晶片w流下的方式來干燥晶片w的表面的情況下，可能污染晶片w或者可能存在在晶片w的干燥量方面的空間變化。可以將(多個(gè))垂直桿210和(多個(gè))引導(dǎo)部241提供為圍繞晶片w的底面和側(cè)面，因此，可抑制或甚至阻止有機(jī)溶劑從晶片w流下。此外，即使在使用超臨界流體執(zhí)行干燥步驟之前，一部分有機(jī)溶劑可能殘留在晶片w上，因此，可防止有機(jī)溶劑自然干燥。

如圖11所示，在降低下部室120以打開處理室100的內(nèi)部空間的情況下，(多個(gè))第二垂直桿220和(多個(gè))第二水平桿240可以隨著下部室120降低。例如可以通過將晶片w放置于支撐突起物231上將晶片w裝載到處理室100中。在提升下部室120以閉合處理室100的內(nèi)部空間的情況下，(多個(gè))第二垂直桿220和(多個(gè))第二水平桿240可以隨著下部室120提升。于是第二水平桿240的引導(dǎo)部241可以位于晶片w的外部。

圖12是顯示了不同的擋板結(jié)構(gòu)與所導(dǎo)致的技術(shù)效果之間的關(guān)系的示圖。圖12的縱軸代表在晶片的表面上產(chǎn)生的粒子數(shù)，橫軸表示三個(gè)不同的實(shí)驗(yàn)。

在實(shí)驗(yàn)1中，將擋板340配置為不具有圖7的第一排出孔345。擋板340的頂面341與晶片w的底面之間的間隔是1.5mm，擋板340的底面342與處理室100的內(nèi)部底面105之間的間隔是3mm，擋板340的側(cè)面343與處理室100的傾斜面108之間的間隔是1.5mm。

在實(shí)驗(yàn)2中，將擋板340配置為具有圖7的第一排出孔345。擋板340的頂面341與晶片w的底面之間的間隔、擋板340的底面342與處理室100的內(nèi)部底面105之間的間隔和擋板340的側(cè)面343與處理室100的傾斜面108之間的間隔與實(shí)驗(yàn)1中的各間隔相等。

在實(shí)驗(yàn)3中，將擋板340配置為不具有圖7的第一排出孔345。擋板340的頂面341與晶片w的底面之間的間隔是4mm，擋板340的底面342與處理室100的內(nèi)部底面105之間的間隔是3mm，擋板340的側(cè)面343與處理室100的傾斜面108之間的間隔是3mm。

試驗(yàn)2和實(shí)驗(yàn)1的結(jié)果的對比表明擋板340的第一排出孔345能有助于減少在干燥處理中所產(chǎn)生的粒子數(shù)。從這個(gè)意義上講，能理解第一排出孔345有利于流體的排出流動。

試驗(yàn)3和實(shí)驗(yàn)1的結(jié)果的對比表明隨著(頂面341與晶片w的底面之間的、底面342與內(nèi)部底面105之間的、側(cè)面343與傾斜面108之間的)間隔的增加，晶片上所產(chǎn)生的粒子數(shù)減少。也就是說，增加的間隔有利于流體的排出流動。然而，如果間隔增加到超出合理的水平，則可能伴隨有處理室100的內(nèi)部空間內(nèi)的增加。這意味著將處理室100的內(nèi)部壓力增加到臨界壓力的處理時(shí)間可能增加。也就是說，可以根據(jù)影響排出流動以及用于增加處理室100的內(nèi)部壓力所需的處理時(shí)間來設(shè)計(jì)間隔。例如，擋板340的頂面341與晶片w的底面之間的間隔的范圍可以是0.2cm到1.ocm，擋板340的底面342與處理室100的內(nèi)部底面105之間的間隔的范圍可以是0.1cm到4cm，擋板340的側(cè)面343與處理室100的傾斜面108之間的間隔的范圍可以是0.1cm到20cm。

前述示例實(shí)施例中的有機(jī)溶劑可以包括異丙醇、乙二醇、1-丙醇、四氫呋喃(tetrahydrofuran)、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、1-丁醇、2-丁醇、甲醇、乙醇、正丙醇、二甲基乙醚等。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，超臨界流體可以用于溶解可能剩余在基片上的沖洗溶液。作為使用超臨界流體的結(jié)果，可以有效地干燥基片。

依靠所提供的流體，基片處理裝置和方法不僅能用于干燥處理，還能用于其它的基片處理過程。

雖然已對本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例詳細(xì)地進(jìn)行了展示和說明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員要理解的是，在不背離所附權(quán)利要求的精神和范圍的前提下，可以在形式和細(xì)節(jié)方面進(jìn)行改變。