技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环N基片干燥裝置和基片處理方法。該裝置可包括：配置為具有內(nèi)部空間的處理室；布置于所述處理室內(nèi)用于支撐基片的基片支撐件；第一供應(yīng)口，其配置為向位于所述基片以下的所述內(nèi)部空間的一個區(qū)域提供超臨界流體；第二供應(yīng)口，其配置為向位于所述基片以上的所述內(nèi)部空間的另一個區(qū)域提供超臨界流體；和排出口，其配置為將超臨界流體從所述處理室排出到外部區(qū)域。

技術(shù)研發(fā)人員：李曉山;高鏞璿;金慶燮;金光秀;金石訓(xùn);李根澤;田溶明;趙庸真
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2012.12.07
技術(shù)公布日：2017.09.15