本實(shí)用新型屬于LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及高亮度大功率SMD型LED。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)的大功率型SMD LED存在散熱低、亮度低、光衰快等缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，針對現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的所要解決的技術(shù)問題就是提供一種高散熱、高亮度、光色均勻和高可靠性的高亮度大功率SMD型LED。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案為：

一種高亮度大功率SMD型LED，包括LED支架電極、LED晶片、陶瓷主支架、銅材碗杯，所述銅材碗杯設(shè)在所述陶瓷主支架上，所述LED支架電極設(shè)在所述銅材碗杯空腔中，所述LED晶片設(shè)在所述LED支架電極上，所述LED 支架電極與所述銅材碗杯之間填充陶瓷粉，所述LED晶片通過進(jìn)行與所述LED 支架電極電連接形成電氣通路。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述銅材碗杯上表面附有鍍銀層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述鍍銀層厚度80～120微米。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述LED支架電極包括LED支架正極和LED支架負(fù)極，至少兩顆所述LED晶片固晶在所述LED支架負(fù)極上。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述陶瓷主支架中部設(shè)有容置所述銅材碗杯的凹槽。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述銅材碗杯的銅材厚度0.2-0.4mm。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述LED支架長3.2mm，寬3.0mm，厚0.52-0.6mm。

相對現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的高亮度大功率SMD型LED，銅材碗杯表面鍍銀，增加了支架散熱面積、快速的導(dǎo)出熱量、光衰低，銀的光澤度高，能將LED 晶片發(fā)出的光盡量多的導(dǎo)出來，提升LED的發(fā)光亮度。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的高亮度大功率SMD型LED俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的高亮度大功率SMD型LED主視結(jié)構(gòu)示意圖。

以上圖中，10--LED支架電極；11--LED支架正極；12--LED支架負(fù)極； 20--LED晶片；30--陶瓷主支架；40--銅材碗杯；50--鍍銀層。

具體實(shí)施方式

下面參考附圖并結(jié)合實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，以下各實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

圖1和圖2分別給出了本實(shí)用新型的高亮度大功率SMD型LED主視和結(jié)構(gòu)示意圖，由圖可知，該高亮度大功率SMD型LED，包括LED支架電極10、 LED晶片20、陶瓷主支架30、銅材碗杯40，銅材碗杯40設(shè)在陶瓷主支架30 上，LED支架電極10設(shè)在銅材碗杯40空腔中，LED晶片20設(shè)在LED支架電極10上，LED支架電極10與銅材碗杯40之間填充陶瓷粉，LED晶片20 通過進(jìn)行與LED支架電極電連接形成電氣通路。

銅材碗杯40上表面附有鍍銀層50。鍍銀層50厚度80～120微米。LED支架電極10包括LED支架正極11和LED支架負(fù)極12，至少兩顆LED晶片固晶在LED支架負(fù)極12上。陶瓷主支架10中部設(shè)有容置銅材碗杯40的凹槽。銅材碗杯50的銅材厚度0.2-0.4mm。

從上面可知，本實(shí)用新型的高亮度大功率SMD型LED，銅材碗杯表面鍍銀，增加了支架散熱面積、快速的導(dǎo)出熱量、光衰低，銀的光澤度高，能將LED晶片發(fā)出的光盡量多的導(dǎo)出來，提升LED的發(fā)光亮度。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。