1.一種基于CMOS工藝的單次可編程只讀存儲(chǔ)器，包括選擇管和存儲(chǔ)器件，所述的選擇管與存儲(chǔ)器件串聯(lián)，所述選擇管的另一端作為只讀存儲(chǔ)器的正極連接端，所述存儲(chǔ)器件的另一端作為只讀存儲(chǔ)器的負(fù)極連接端，并在該端上設(shè)有判限電流源；其特征在于：
所述的選擇管與存儲(chǔ)器件之間連接有壓差產(chǎn)生器件，所述壓差產(chǎn)生器件上的壓降作為存儲(chǔ)器件體端與源端的電壓差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于CMOS工藝的單次可編程只讀存儲(chǔ)器，其特征在于：所述的壓差產(chǎn)生器件至少包括一個(gè)MOS管，所述的MOS管的柵極與漏極短接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于CMOS工藝的單次可編程只讀存儲(chǔ)器，其特征在于：所述的壓差產(chǎn)生器件還包括一個(gè)可控電流源，所述可控電流源的兩端連接在所述MOS管的柵端和只讀存儲(chǔ)器的負(fù)極連接端。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于CMOS工藝的單次可編程只讀存儲(chǔ)器，其特征在于：所述的壓差產(chǎn)生器件包括多個(gè)串聯(lián)的PMOS管或多個(gè)串聯(lián)的NMOS管。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的基于CMOS工藝的單次可編程只讀存儲(chǔ)器，其特征在于：所述壓差產(chǎn)生器件上的壓降在0.6～1.2V之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的基于CMOS工藝的單次可編程只讀存儲(chǔ)器，其特征在于：所述的選擇管為第一PMOS管，所述的存儲(chǔ)器件為浮柵PMOS管，所述浮柵PMOS管的體端與所述只讀存儲(chǔ)器的正極連接端連接。
7.一種基于CMOS工藝的單次可編程只讀存儲(chǔ)器，包括選擇管和存儲(chǔ)器件，所述的選擇管與存儲(chǔ)器件串聯(lián)，所述選擇管的另一端作為只讀存儲(chǔ)器的正極連接端，所述存儲(chǔ)器件的另一端作為只讀存儲(chǔ)器的負(fù)極連接端，并在該端上設(shè)有判限電流源；其特征在于：
所述的存儲(chǔ)器件的柵端與源端之間并聯(lián)有電容。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于CMOS工藝的單次可編程只讀存儲(chǔ)器，其特征在于：增大所述電容尺寸，在浮柵PMOS管的浮柵不存儲(chǔ)電荷的情況下，能進(jìn)一步降低其漏電。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于CMOS工藝的單次可編程只讀存儲(chǔ)器，其特征在于：所述的電容為PIP電容，所述的PIP電容由如下步驟制成：在P型襯底上形成場(chǎng)區(qū)氧化層，在所述場(chǎng)區(qū)氧化層上淀積第一多晶硅層，在所述第一多晶硅層上形成氧化隔離層，在所述的氧化隔離層上淀積第二多晶硅層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于CMOS工藝的單次可編程只讀存儲(chǔ)器，其特征在于：所述的第一多晶硅層的長(zhǎng)度大于所述第二多晶硅層。