本發(fā)明涉及一種形成于對(duì)象基板上的抗蝕劑圖案及導(dǎo)體圖案中的任一者的圖案的檢查方法、形成于對(duì)象基板上的抗蝕劑圖案的制造方法、對(duì)象基板的分選方法及對(duì)象基板的制造方法，上述對(duì)象基板為用于裝載半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體封裝基板及印刷線路板中的任一者。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體元件的制造中，使用掃描型顯微鏡，檢查形成于作為半導(dǎo)體元件的基板的硅晶片上的抗蝕劑圖案或?qū)w圖案(例如，參考專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2)。在形成于該硅晶片上的抗蝕劑圖案或?qū)w圖案的檢查中，通過使用了掃描型顯微鏡的圖案觀察求出抗蝕劑圖案或?qū)w圖案的粗糙度指標(biāo)來進(jìn)行。

2、另一方面，在用于裝載半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體封裝基板上或印刷線路板上也形成抗蝕劑圖案或?qū)w圖案(例如，參考專利文獻(xiàn)3)。然而，形成于半導(dǎo)體封裝基板上或印刷線路板上的抗蝕劑圖案或?qū)w圖案的間距與形成于半導(dǎo)體元件的基板上的抗蝕劑圖案或?qū)w圖案的間距相比非常大。因此，形成于半導(dǎo)體封裝基板上或印刷線路板上的抗蝕劑圖案或?qū)w圖案的粗糙度對(duì)電特性造成的影響與形成于半導(dǎo)體元件的基板上的抗蝕劑圖案或?qū)w圖案的粗糙度對(duì)電特性造成的影響相比非常小。作為該電特性，可舉出有偏高加速應(yīng)力測試(biased?highly?accelerated?stress?test)(絕緣可靠性)、傳遞損失等。因此，以往，形成于半導(dǎo)體封裝基板上或印刷線路板上的抗蝕劑圖案或?qū)w圖案的粗糙度未被檢查、或者僅通過顯微鏡或通過肉眼進(jìn)行了定性檢查。

3、以往技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：日本特開2006-215020號(hào)公報(bào)

6、專利文獻(xiàn)2：日本特開2004-251743號(hào)公報(bào)

7、專利文獻(xiàn)3：日本特開2005-207802號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、近年來，在半導(dǎo)體封裝基板或印刷線路板中，要求導(dǎo)體圖案的微細(xì)化。并且，伴隨導(dǎo)體圖案的微細(xì)化的要求，也要求用于形成導(dǎo)體圖案的抗蝕劑圖案的微細(xì)化。若抗蝕劑圖案或?qū)w圖案被微細(xì)化，則有可能導(dǎo)致所制造的半導(dǎo)體封裝件的電特性降低等不良情況。

3、在此，只要能夠檢查形成于半導(dǎo)體封裝基板上或印刷線路板上的抗蝕劑圖案或?qū)w圖案，則能夠在半導(dǎo)體封裝件等的制造中的更早的階段發(fā)現(xiàn)如上述般的不良。并且，通過評(píng)價(jià)半導(dǎo)體封裝基板或印刷線路板中的抗蝕劑圖案形成或?qū)w圖案形成的產(chǎn)率，能夠改善半導(dǎo)體封裝基板或印刷線路板中的抗蝕劑圖案形成或?qū)w圖案形成。

4、然而，如上所述，以往，形成于半導(dǎo)體封裝基板上或印刷線路板上的抗蝕劑圖案或?qū)w圖案未被檢查、或者僅通過顯微鏡或通過肉眼進(jìn)行了定性檢查。并且，半導(dǎo)體封裝基板或印刷線路板在檢查范圍的寬度及檢查對(duì)象的厚度的均勻性、檢查對(duì)象的基板的應(yīng)變及翹曲的方面與半導(dǎo)體元件不同，因此以往無法檢查或難以檢查形成于半導(dǎo)體封裝基板上或印刷線路板上的抗蝕劑圖案或?qū)w圖案。因此，以往在形成于半導(dǎo)體封裝基板上或印刷線路板上的抗蝕劑圖案或?qū)w圖案被微細(xì)化的情況下，完全不知道如何評(píng)價(jià)形成于半導(dǎo)體封裝基板上或印刷線路板上的抗蝕劑圖案或?qū)w圖案。

5、因此，本發(fā)明的目的為提供一種即使形成于對(duì)象基板上的抗蝕劑圖案及導(dǎo)體圖案中的任一者的圖案被微細(xì)化也能夠評(píng)價(jià)圖案的圖案的檢查方法、抗蝕劑圖案的制造方法、對(duì)象基板的分選方法及對(duì)象基板的制造方法，上述對(duì)象基板為半導(dǎo)體封裝基板及印刷線路板中的任一者。

6、用于解決技術(shù)課題的手段

7、本發(fā)明人等對(duì)上述課題進(jìn)行深入探討的結(jié)果，獲得了對(duì)于形成于對(duì)象基板上的圖案，也能夠測定該圖案的輪廓的坐標(biāo)，并根據(jù)該測定結(jié)果來進(jìn)行評(píng)價(jià)的見解。本發(fā)明是根據(jù)該見解而完成的。

8、[1]本發(fā)明的圖案的檢查方法為形成于對(duì)象基板上的抗蝕劑圖案及導(dǎo)體圖案中的任一者的圖案的檢查方法，上述對(duì)象基板為用于裝載半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體封裝基板及印刷線路板中的任一者。該圖案的檢查方法包括：坐標(biāo)測定工序，測定圖案的輪廓的坐標(biāo)；及檢查工序，根據(jù)所測定的坐標(biāo)來檢查圖案。

9、在該圖案的檢查方法中，測定形成于對(duì)象基板上的圖案的輪廓的坐標(biāo)，并根據(jù)該所測定的坐標(biāo)來檢查圖案。因此，即使形成于對(duì)象基板上的圖案被微細(xì)化，也能夠評(píng)價(jià)圖案。而且，與通過肉眼檢查的情況相比，能夠高精度地評(píng)價(jià)圖案。

10、[2]在[1]所述的圖案的檢查方法中，在檢查工序中，作為圖案的檢查，可以根據(jù)所測定的坐標(biāo)來計(jì)算圖案的粗糙度。在該圖案的檢查方法中，作為圖案的檢查，根據(jù)所測定的輪廓的坐標(biāo)來計(jì)算圖案的粗糙度。因此，能夠適當(dāng)?shù)卦u(píng)價(jià)圖案的形成狀態(tài)。

11、[3]在[1]或[2]所述的圖案的檢查方法中，在檢查工序中，作為圖案的檢查，可以根據(jù)所測定的坐標(biāo)來計(jì)算圖案的輪廓的偏差。在該圖案的檢查方法中，作為圖案的檢查，根據(jù)所測定的輪廓的坐標(biāo)來計(jì)算圖案的輪廓的偏差。因此，能夠適當(dāng)?shù)卦u(píng)價(jià)圖案的形成狀態(tài)。

12、[4]在[1]或[2]所述的圖案的檢查方法中可，在檢查工序中，作為圖案的檢查，可以根據(jù)所測定的坐標(biāo)來計(jì)算圖案的線寬及線寬的偏差。在該圖案的檢查方法中，作為圖案的檢查，根據(jù)所測定的輪廓的坐標(biāo)來計(jì)算圖案的線寬及線寬的偏差。因此，能夠適當(dāng)?shù)卦u(píng)價(jià)圖案的形成狀態(tài)。

13、[5]在[1]至[4]中任一項(xiàng)所述的圖案的檢查方法中，在檢查工序中，作為圖案的檢查，可以將所測定的坐標(biāo)與用于形成圖案的圖案進(jìn)行對(duì)比。在該圖案的檢查方法中，作為圖案的檢查，將所測定的輪廓的坐標(biāo)與用于形成圖案的圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比。因此，能夠高精度地評(píng)價(jià)圖案的形成狀態(tài)。

14、[6]在[1]至[5]中任一項(xiàng)所述的圖案的檢查方法中，對(duì)象基板可以具有：無機(jī)成分，包含二氧化硅填料及玻璃布中的至少一個(gè)；及有機(jī)成分，包含馬來酰亞胺樹脂、雙馬來酰亞胺-三嗪樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、氰酸酯樹脂、異氰酸酯樹脂、苯并噁嗪樹脂、氧雜環(huán)丁烷樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、烯丙基樹脂、二環(huán)戊二烯樹脂、三嗪樹脂、三聚氰胺樹脂及聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹脂中的至少一個(gè)。在該圖案的檢查方法中，對(duì)象基板具有：無機(jī)成分，包含不用于半導(dǎo)體元件的基板的二氧化硅填料及玻璃布中的至少一個(gè)；及有機(jī)成分，包含馬來酰亞胺樹脂、雙馬來酰亞胺-三嗪樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、氰酸酯樹脂、異氰酸酯樹脂、苯并噁嗪樹脂、氧雜環(huán)丁烷樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、烯丙基樹脂、二環(huán)戊二烯樹脂、三嗪樹脂、三聚氰胺樹脂及聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹脂中的至少一個(gè)。因此，與檢查形成于半導(dǎo)體元件的基板上的圖案的情況相比，存在檢查對(duì)象的應(yīng)變及翹曲的問題、困難性等。然而，通過包括上述的坐標(biāo)測定工序及檢查工序，能夠評(píng)價(jià)形成于對(duì)象基板上的圖案。

15、[7]在[1]至[6]中任一項(xiàng)所述的圖案的檢查方法中，對(duì)象基板具有芯層及增層中的至少一者。在該圖案的檢查方法中，對(duì)象基板具有與半導(dǎo)體元件的基板的結(jié)構(gòu)不同的芯層及增層中的至少一者。因此，與檢查形成于半導(dǎo)體元件的基板上的圖案的情況相比，存在檢查對(duì)象的應(yīng)變及翹曲的問題、困難性等。然而，通過包括上述的坐標(biāo)測定工序及檢查工序，能夠評(píng)價(jià)形成于對(duì)象基板上的圖案。

16、[8]在[1]至[7]中任一項(xiàng)所述的圖案的檢查方法中，對(duì)象基板的厚度可以為50μm以上且3000μm以下。在該圖案的檢查方法中，對(duì)象基板的厚度為與半導(dǎo)體元件的基板的厚度不同的50μm以上且3000μm以下。因此，與檢查形成于半導(dǎo)體元件的基板上的圖案的情況相比，由于檢查對(duì)象的應(yīng)變及翹曲、檢查對(duì)象的厚度的偏差，根據(jù)觀察位置而檢查對(duì)象的焦點(diǎn)位置大幅改變，存在不與抗蝕劑圖案及導(dǎo)體對(duì)焦的問題、困難性等。然而，通過包括上述的坐標(biāo)測定工序及檢查工序，能夠評(píng)價(jià)形成于對(duì)象基板上的圖案。

17、[9]在[1]至[8]中任一項(xiàng)所述的圖案的檢查方法中，圖案為抗蝕劑圖案，抗蝕劑圖案可以具備具有羧基的粘合劑聚合物、具有烯屬不飽和鍵的自由基聚合性化合物及光自由基聚合引發(fā)劑。在該圖案的檢查方法中，形成于對(duì)象基板上的抗蝕劑圖案與形成于半導(dǎo)體元件的基板上的抗蝕劑圖案不同，且具有羧基的粘合劑聚合物、具有烯屬不飽和鍵的自由基聚合性化合物及光自由基聚合引發(fā)劑。在半導(dǎo)體元件的基板中，由于沒有支撐體且膜厚也薄，因此在半導(dǎo)體元件的基板制造中使用了具有羧基的粘合劑聚合物、具有烯屬不飽和鍵的自由基聚合性化合物及光自由基聚合引發(fā)劑的情況下，由于曝光氛圍中的氧的影響而樹脂的固化受到阻礙，存在不易形成圖案的問題、困難性等。然而，在對(duì)象基板上形成抗蝕劑圖案的情況下，即使抗蝕劑圖案具備具有羧基的粘合劑聚合物、具有烯屬不飽和鍵的自由基聚合性化合物及光自由基聚合引發(fā)劑，也能夠在對(duì)象基板上形成抗蝕劑圖案。因此，通過包括上述的坐標(biāo)測定工序及檢查工序，能夠評(píng)價(jià)形成于對(duì)象基板上的抗蝕劑圖案。

18、[10]在[1]至[9]中任一項(xiàng)所述的圖案的檢查方法中，圖案為抗蝕劑圖案，在抗蝕劑圖案上設(shè)置有樹脂膜，在坐標(biāo)測定工序中，可以通過樹脂膜測定圖案的輪廓的坐標(biāo)。在該圖案的檢查方法中，在抗蝕劑圖案上設(shè)置有在形成于半導(dǎo)體元件的基板上的抗蝕劑圖案上未設(shè)置的樹脂膜，通過該樹脂膜測定圖案的輪廓的坐標(biāo)。因此，與檢查形成于半導(dǎo)體元件的基板上的抗蝕劑圖案的情況相比，存在通過樹脂膜檢查抗蝕劑圖案的問題、困難性等。然而，通過包括上述的坐標(biāo)測定工序及檢查工序，能夠評(píng)價(jià)形成于對(duì)象基板上的抗蝕劑圖案。

19、[11]在[1]至[10]中任一項(xiàng)所述的圖案的檢查方法中，圖案為抗蝕劑圖案，抗蝕劑圖案的厚度可以為3μm以上且200μm以下。在該圖案的檢查方法中，形成于對(duì)象基板上的抗蝕劑圖案為具有與形成于半導(dǎo)體元件的基板上的抗蝕劑圖案不同的厚度的圖案。因此，與檢查形成于半導(dǎo)體元件的基板上的抗蝕劑圖案的情況相比，存在抗蝕劑圖案與基板的檢測對(duì)比度容易變低的問題、困難性等。然而，通過包括上述的坐標(biāo)測定工序及檢查工序，能夠評(píng)價(jià)形成于對(duì)象基板上的抗蝕劑圖案。

20、[12]在[1]至[11]中任一項(xiàng)所述的圖案的檢查方法中，在坐標(biāo)測定工序中，根據(jù)來自對(duì)象基板的反射光來測定圖案的輪廓的坐標(biāo)。在半導(dǎo)體元件中，基板由硅形成，在該硅的氧化膜上或氮化膜上形成抗蝕劑圖案。因此，即使檢測出來自半導(dǎo)體元件的基板的反射光，也無法根據(jù)該反射光，在基板(硅的氧化膜或氮化膜)與抗蝕劑圖案之間，獲得能夠確定基板與抗蝕劑圖案的邊界的程度的對(duì)比度。對(duì)此，在對(duì)象基板中，在銅等導(dǎo)體層上形成抗蝕劑圖案。因此，若檢測出來自對(duì)象基板的反射光，則能夠根據(jù)該反射光，在基板(導(dǎo)體層)與抗蝕劑圖案之間，獲得能夠確定基板與抗蝕劑圖案的邊界的程度的對(duì)比度。因此，在該圖案的檢查方法中，根據(jù)來自對(duì)象基板的反射光來測定圖案的輪廓的坐標(biāo)。由此，能夠高精度且適當(dāng)?shù)販y定圖案的輪廓的坐標(biāo)。

21、[13]在[1]至[11]中任一項(xiàng)所述的圖案的檢查方法中，在坐標(biāo)測定工序中，可以根據(jù)來自對(duì)象基板的熒光來測定圖案的輪廓的坐標(biāo)。在半導(dǎo)體元件中，基板由硅形成，在該硅的氧化膜上或氮化膜上形成抗蝕劑圖案。因此，即使檢測出來自半導(dǎo)體元件的基板的熒光，也無法根據(jù)該熒光，在基板(硅的氧化膜或氮化膜)與抗蝕劑圖案之間，獲得能夠確定基板與抗蝕劑圖案的邊界的程度的對(duì)比度。對(duì)此，在對(duì)象基板中，在銅等導(dǎo)體層上形成抗蝕劑圖案。因此，若檢測出來自對(duì)象基板的熒光，則能夠根據(jù)該熒光，在基板(導(dǎo)體層)與抗蝕劑圖案之間，獲得能夠確定基板與抗蝕劑圖案的邊界的程度的對(duì)比度。因此，在該圖案的檢查方法中，根據(jù)來自對(duì)象基板的熒光來測定圖案的輪廓的坐標(biāo)。由此，能夠高精度且適當(dāng)?shù)販y定圖案的輪廓的坐標(biāo)。

22、[14]在[1]至[11]中任一項(xiàng)所述的圖案的檢查方法中，在坐標(biāo)測定工序中，可以根據(jù)來自對(duì)象基板的電子束來測定圖案的輪廓的坐標(biāo)。在該圖案的檢查方法中，根據(jù)來自對(duì)象基板的電子束來測定圖案的輪廓的坐標(biāo)。由此，能夠高精度且適當(dāng)?shù)販y定圖案的輪廓的坐標(biāo)。

23、[15]本發(fā)明的抗蝕劑圖案的制造方法包括：抗蝕劑圖案形成工序，在對(duì)象基板上形成抗蝕劑圖案，上述對(duì)象基板為用于裝載半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體封裝基板及印刷線路板中的任一者；坐標(biāo)測定工序，在抗蝕劑圖案形成工序之后，測定抗蝕劑圖案的輪廓的坐標(biāo)；及檢查工序，根據(jù)坐標(biāo)來檢查抗蝕劑圖案。

24、在該抗蝕劑圖案的制造方法中，在對(duì)象基板上形成抗蝕劑圖案之后，測定形成于對(duì)象基板上的抗蝕劑圖案的輪廓的坐標(biāo)，根據(jù)該所測定的坐標(biāo)來檢查抗蝕劑圖案。由此，即使形成于對(duì)象基板上的抗蝕劑圖案被微細(xì)化，也能夠評(píng)價(jià)抗蝕劑圖案。因此，能夠制造粗糙度程度小的抗蝕劑圖案。

25、[16]在[15]所述的抗蝕劑圖案的制造方法中，在坐標(biāo)測定工序中，可以根據(jù)來自對(duì)象基板的反射光、來自對(duì)象基板的熒光或來自對(duì)象基板的電子束來測定抗蝕劑圖案的輪廓的坐標(biāo)。在該抗蝕劑圖案的制造方法中，根據(jù)來自對(duì)象基板的反射光、來自對(duì)象基板的熒光或來自對(duì)象基板的電子束來測定抗蝕劑圖案的輪廓的坐標(biāo)。由此，能夠高精度且適當(dāng)?shù)販y定圖案的輪廓的坐標(biāo)。

26、[17]本發(fā)明的對(duì)象基板的分選方法是對(duì)象基板的分選方法，所述對(duì)象基板是用于裝載半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體封裝基板及印刷線路板中的任一者。該對(duì)象基板的分選方法包括：坐標(biāo)測定工序，測定形成于對(duì)象基板上的圖案的輪廓的坐標(biāo)；檢查工序，根據(jù)所測定的坐標(biāo)來檢查圖案；及評(píng)價(jià)工序，根據(jù)檢查工序的檢查結(jié)果來評(píng)價(jià)圖案。

27、在該對(duì)象基板的分選方法中，測定作為形成于對(duì)象基板上的抗蝕劑圖案及導(dǎo)體圖案中的任一者的圖案的輪廓的坐標(biāo)，根據(jù)該所測定的坐標(biāo)來檢查圖案，根據(jù)該檢查結(jié)果來評(píng)價(jià)圖案。因此，與通過肉眼檢查的情況相比，能夠高精度地評(píng)價(jià)圖案。

28、[18]在[17]所述的對(duì)象基板的分選方法中，在檢查工序中，作為圖案的檢查，可以根據(jù)所測定的坐標(biāo)來計(jì)算圖案的粗糙度，在評(píng)價(jià)工序中，根據(jù)圖案的粗糙度來評(píng)價(jià)圖案。在該對(duì)象基板的分選方法中，根據(jù)基于所測定的輪廓的坐標(biāo)算出的圖案的粗糙度來評(píng)價(jià)圖案，因此能夠適當(dāng)?shù)卦u(píng)價(jià)圖案的形成狀態(tài)。

29、[19]在[17]或[18]所述的對(duì)象基板的分選方法中，在檢查工序中，作為圖案的檢查，可以根據(jù)所測定的坐標(biāo)來計(jì)算輪廓的偏差，在評(píng)價(jià)工序中，根據(jù)輪廓的偏差來評(píng)價(jià)圖案。在該對(duì)象基板的分選方法中，根據(jù)基于所測定的輪廓的坐標(biāo)算出的輪廓的偏差來評(píng)價(jià)圖案，因此能夠適當(dāng)?shù)卦u(píng)價(jià)圖案的形成狀態(tài)。

30、[20]在[17]至[19]中任一項(xiàng)所述的對(duì)象基板的分選方法中，在檢查工序中，作為圖案的檢查，可以根據(jù)所測定的坐標(biāo)來計(jì)算圖案的線寬及線寬的偏差，在評(píng)價(jià)工序中，根據(jù)線寬的偏差來評(píng)價(jià)圖案。在該對(duì)象基板的分選方法中，根據(jù)基于所測定的輪廓的坐標(biāo)算出的線寬的偏差來評(píng)價(jià)圖案，因此能夠適當(dāng)?shù)卦u(píng)價(jià)圖案的形成狀態(tài)。

31、[21]在[17]至[20]中任一項(xiàng)所述的對(duì)象基板的分選方法中，在檢查工序中，作為圖案的檢查，可以將所測定的坐標(biāo)與用于形成圖案的圖案數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比，在評(píng)價(jià)工序中，根據(jù)所測定的坐標(biāo)與圖案數(shù)據(jù)的對(duì)比結(jié)果來評(píng)價(jià)圖案。在該對(duì)象基板的分選方法中，根據(jù)所測定的輪廓的坐標(biāo)與用于形成圖案的圖案數(shù)據(jù)的對(duì)比結(jié)果來評(píng)價(jià)圖案，因此能夠適當(dāng)?shù)卦u(píng)價(jià)圖案的形成狀態(tài)。

32、[22]在[17]至[21]中任一項(xiàng)所述的對(duì)象基板的分選方法中，在坐標(biāo)測定工序中，可以根據(jù)來自對(duì)象基板的反射光、來自對(duì)象基板的熒光或來自對(duì)象基板的電子束來測定圖案的輪廓的坐標(biāo)。在該對(duì)象基板的分選方法中，根據(jù)來自對(duì)象基板的反射光、來自對(duì)象基板的熒光或來自對(duì)象基板的電子束來測定圖案的輪廓的坐標(biāo)，由此能夠高精度且適當(dāng)?shù)販y定圖案的輪廓的坐標(biāo)。

33、[23]本發(fā)明的對(duì)象基板的制造方法包括：導(dǎo)體圖案形成工序，對(duì)[17]至[22]中任一項(xiàng)所述的對(duì)象基板的分選方法中的抗蝕劑圖案的評(píng)價(jià)滿足基準(zhǔn)的、形成有抗蝕劑圖案的對(duì)象基板進(jìn)行蝕刻處理或鍍敷處理而形成導(dǎo)體圖案。

34、在該對(duì)象基板的制造方法中，對(duì)形成有抗蝕劑圖案的對(duì)象基板中的、上述的對(duì)象基板的分選方法中的抗蝕劑圖案的評(píng)價(jià)滿足基準(zhǔn)的對(duì)象基板進(jìn)行蝕刻處理或鍍敷處理而形成導(dǎo)體圖案，因此能夠抑制導(dǎo)體圖案的形成不良、所制造的半導(dǎo)體封裝件的電性的降低等不良的發(fā)生。

35、發(fā)明效果

36、根據(jù)本發(fā)明，即使形成于對(duì)象基板上的抗蝕劑圖案及導(dǎo)體圖案中的任一者的圖案被微細(xì)化，也能夠評(píng)價(jià)圖案，上述對(duì)象基板為半導(dǎo)體封裝基板及印刷線路板中的任一者。