本發(fā)明涉及芯片，尤其涉及一種發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、發(fā)光器件是一種能夠發(fā)射光線的器件，該發(fā)光器件發(fā)射的光線可作為供pd(photo-diode，光電二極管)接收并檢測(cè)的光源，也可作為顯示裝置的光源使用，或可作為照明的光源使用。

2、然而，發(fā)光器件的側(cè)出光會(huì)影響發(fā)光器件的發(fā)光性能，同時(shí)，基板的焊盤表面與基板自身表面均會(huì)對(duì)光線造成一定的影響，且由于基板的焊盤表面與基板自身表面對(duì)光線的吸收、反射性能不相同，因此，基板的焊盤表面以及基板自身表面對(duì)發(fā)光器件的發(fā)光性能產(chǎn)生的影響不一致，導(dǎo)致發(fā)光器件的發(fā)光性能難以得到提升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的一個(gè)目的在于：提供一種發(fā)光器件，能夠減少發(fā)光器件的側(cè)出光，避免基板的焊盤表面與基板自身表面對(duì)光線造成影響，便于提升發(fā)光器件的發(fā)光性能。

2、本發(fā)明的另一個(gè)目的在于：提供一種發(fā)光器件的制備方法，能夠制造得到如前述的發(fā)光器件。

3、為達(dá)到此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

4、第一方面，提供一種發(fā)光器件，包括：

5、基板；

6、發(fā)光組件，所述發(fā)光組件設(shè)置于所述基板且電連接于所述基板的焊盤；

7、底膠層，所述底膠層噴設(shè)于所述基板，所述底膠層與所述發(fā)光組件位于所述基板的同一側(cè)，且所述底膠層覆蓋位于所述發(fā)光組件的外周的所述基板的表面；

8、透光封裝層，所述透光封裝層從所述基板朝向所述底膠層的一側(cè)覆蓋所述發(fā)光組件以及部分所述底膠層；以及，

9、圍墻層，所述圍墻層覆蓋所述透光封裝層的周部，且所述圍墻層連接于所述底膠層。

10、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述底膠層包括第一部分以及第二部分，所述第一部分的背離所述基板的表面覆蓋有所述透光封裝層，所述第二部分環(huán)繞并連接于所述第一部分的外周，所述第二部分連接于所述圍墻層，沿垂直于所述基板的板面的方向上，所述第一部分的高度為h1，所述第二部分的高度為h2，h1＞h2；和/或，

11、沿垂直于所述基板的板面的方向上，所述底膠層與所述透光封裝層整體的高度為h3，0.4mm≤h3≤0.5mm；和/或，

12、所述透光封裝層的硬度范圍為d50～d60。

13、作為所述的發(fā)光器件的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述發(fā)光組件包括多個(gè)發(fā)光元件，多個(gè)所述發(fā)光元件間隔設(shè)置于所述基板且電連接于所述基板的焊盤，所述底膠層覆蓋位于所述發(fā)光元件的外周的所述基板的表面；

14、沿垂直于所述基板的板面的方向上，所述底膠層凸出于所述基板的凸出高度為e1，所述發(fā)光元件凸出于所述基板的凸出高度為e2，e1＜e2。

15、第二方面，提供一種發(fā)光器件的制備方法，能夠制備得到如前述第一方面所述的發(fā)光器件，所述制備方法包括：

16、步驟s10、提供基板，所述基板的一側(cè)間隔陣列設(shè)置有多個(gè)發(fā)光組件，所述基板的板面具有環(huán)繞各個(gè)所述發(fā)光組件的環(huán)繞區(qū)域；

17、步驟s11、提供噴膠設(shè)備以及底膠，使所述噴膠設(shè)備向所述環(huán)繞區(qū)域噴設(shè)所述底膠；

18、步驟s12、經(jīng)過間隔時(shí)間后進(jìn)行第一次固化，使所述底膠形成底膠層；

19、步驟s13、向所述底膠層以及所述發(fā)光組件的表面覆蓋透明封裝膠；

20、步驟s14、對(duì)所述底膠層以及所述透明封裝膠整體進(jìn)行第二次固化，使所述透明封裝膠形成透光封裝層；

21、步驟s15、從各所述發(fā)光組件的外周對(duì)所述透光封裝層進(jìn)行劃片，以刮除部分所述透光封裝層和部分所述底膠層并得到環(huán)繞各個(gè)所述發(fā)光組件的設(shè)置凹槽，所述設(shè)置凹槽的槽底面位于所述底膠層的頂面與所述基板的板面之間；

22、步驟s16、向所述設(shè)置凹槽內(nèi)填充圍墻膠；

23、步驟s17、進(jìn)行第三次固化，以使所述圍墻膠形成圍墻層；

24、步驟s20、從任意兩個(gè)相鄰的所述發(fā)光組件之間切割所述基板、所述底膠層以及所述圍墻層，得到所述發(fā)光器件。

25、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述底膠以質(zhì)量份計(jì)包括：透明膠100份、鈦白粉20份～40份以及抗沉淀粉0.5份～2份，或者，所述底膠以質(zhì)量份計(jì)包括：透明膠100份、黑粉0.15份～10份、鈦白粉0份～25份以及抗沉淀粉0份～3份；和/或，

26、所述底膠的粘度范圍為7000mpa·s～25000mpa·s。

27、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述噴膠設(shè)備向所述環(huán)繞區(qū)域噴設(shè)所述底膠時(shí)，

28、所述噴膠設(shè)備的噴嘴的移動(dòng)速度范圍為100mm/s～150mm/s，和/或，沿垂直于所述基板的板面的方向上，所述噴膠設(shè)備的噴嘴與所述基板的板面之間具有間距h，2mm≤h≤4mm。

29、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述間隔時(shí)間為t，0.2h≤t≤2h。

30、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第一次固化的第一固化溫度范圍為100℃～150℃，第一固化時(shí)間范圍為0.5min～30min。

31、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述噴膠設(shè)備包括間隔設(shè)置的多個(gè)噴嘴，在所述步驟s11中，使所述噴膠設(shè)備的多個(gè)噴嘴同時(shí)向所述環(huán)繞區(qū)域噴設(shè)所述底膠。

32、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述環(huán)繞區(qū)域包括第一區(qū)域、第二區(qū)域以及第三區(qū)域，沿第一方向上相鄰的任意兩個(gè)所述發(fā)光組件之間具有所述第一區(qū)域，沿第二方向上相鄰的任意兩個(gè)所述發(fā)光組件之間具有所述第二區(qū)域，第三區(qū)域環(huán)繞所有的所述發(fā)光組件整體的外周；

33、其中，所述第一方向與所述第二方向相垂直，且所述第一方向與所述第二方向均平行于所述基板的板面；

34、所述步驟s11包括：

35、步驟s111a、提供所述噴膠設(shè)備以及所述底膠；

36、步驟s112a、使所述噴膠設(shè)備的噴嘴相對(duì)所述基板沿所述第二方向移動(dòng)并向所述第一區(qū)域噴設(shè)所述底膠，使所述噴膠設(shè)備的噴嘴相對(duì)所述基板沿所述第一方向移動(dòng)并向所述第二區(qū)域噴設(shè)所述底膠；

37、步驟s113a、使所述噴膠設(shè)備的噴嘴環(huán)繞所有的所述發(fā)光組件整體移動(dòng)并向所述第三區(qū)域噴設(shè)所述底膠。

38、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第二次固化的第二固化溫度范圍為130℃～150℃，第二固化時(shí)間范圍為3h～4h。

39、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，多個(gè)所述發(fā)光組件沿第一方向以及第二方向間隔排列成矩型陣列，其中，所述第一方向與所述第二方向相垂直，且所述第一方向與所述第二方向均平行于所述基板的板面；

40、所述步驟s15包括：

41、步驟s150、提供第一刀具，使所述第一刀具在所述發(fā)光組件沿所述第一方向上的一側(cè)沿所述第二方向移動(dòng)，以刮除位于所述發(fā)光組件沿所述第二方向上的一側(cè)的部分所述透光封裝層以及部分所述底膠層，使所述第一刀具在所述發(fā)光組件沿所述第二方向上的一側(cè)沿所述第一方向移動(dòng)，以刮除位于所述發(fā)光組件沿所述第一方向上的一側(cè)的部分所述透光封裝層，得到所述設(shè)置凹槽。

42、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，沿垂直于所述基板的板面的方向上，所述步驟s15中的劃片深度為d1，所述透明封裝膠的厚度為d2，所述透明封裝膠凸出于所述基板的板面的高度為d3，d2＜d1＜d3。

43、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述圍墻膠以質(zhì)量份計(jì)包括：透明膠100份、鈦白粉10份～40份以及抗沉淀粉0.5份～2份，或者，所述圍墻膠以質(zhì)量份計(jì)包括：透明膠100份、黑粉0.15份～10份、鈦白粉0份～25份以及抗沉淀粉0份～3份；和/或，

44、所述圍墻膠的粘度范圍為2000mpa·s～12000mpa·s。

45、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述步驟s16包括：

46、步驟s16a、通過注膠設(shè)備將所述圍墻膠注入所述設(shè)置凹槽內(nèi)；

47、或者，所述步驟s16包括：

48、步驟s16b、通過模壓設(shè)備將所述圍墻膠模壓至所述設(shè)置凹槽內(nèi)。

49、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第三次固化包括三步固化過程；

50、第一步固化的第一步固化溫度范圍為50℃～100℃，第一步固化時(shí)間范圍為0.2h～2h；

51、第二步固化的第二步固化溫度范圍為60℃～130℃，第二步固化時(shí)間范圍為0.2h～3h；

52、第三步固化的第三步固化溫度范圍為110℃～160℃，第三步固化時(shí)間范圍為1h～5h。

53、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述步驟s15中使用第一刀具進(jìn)行劃片，所述第一刀具具有寬度a，所述步驟s20中使用第二刀具進(jìn)行切割，所述第二刀具具有寬度b，沿平行于所述基板的方向上，所述發(fā)光器件的所述圍墻層具有厚度c；

54、a＝b+2*c，和/或，0.05mm≤b≤0.5mm，和/或，0.015mm≤c≤0.4mm。

55、作為所述的發(fā)光器件的制備方法的一種優(yōu)選的技術(shù)方案，在所述步驟s17之后，所述步驟s20之前，所述制備方法還包括：

56、步驟s18、從所述圍墻層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)進(jìn)行打磨，使所述圍墻層遠(yuǎn)離所述基板的表面與所述透光封裝層遠(yuǎn)離所述基板的表面相平齊。

57、本發(fā)明的有益效果為：

58、通過在位于發(fā)光組件的外周的基板的表面覆蓋底膠層，使得底膠層能夠遮蓋基板的焊盤的表面以及基板自身的表面，從而避免基板焊盤的表面與基板自身的表面對(duì)發(fā)光組件發(fā)出的光線造成影響。可以理解的，此時(shí)，在發(fā)光組件的靠近基板處，僅有底膠層會(huì)對(duì)發(fā)光組件的發(fā)光性能造成影響，因此，可以通過調(diào)整底膠層對(duì)光線的吸收、反射性能，來較簡(jiǎn)便地提升發(fā)光器件的發(fā)光性能。

59、與此同時(shí)，通過在透光封裝層的周部覆蓋圍墻層，使圍墻層能夠?qū)ι湎蛲腹夥庋b層的周部的光線進(jìn)行阻擋，以能夠減少發(fā)光器件的側(cè)出光，進(jìn)一步地提升發(fā)光器件的發(fā)光性能。