技術(shù)特征：

1.一種基于對(duì)稱性分裂柵結(jié)構(gòu)的溝槽型sic?mosfet器件的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于對(duì)稱性分裂柵結(jié)構(gòu)的溝槽型sic?mosfet器件的制備方法，其特征在于，所述s1具體實(shí)現(xiàn)過程包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于對(duì)稱性分裂柵結(jié)構(gòu)的溝槽型sic?mosfet器件的制備方法，其特征在于，所述電流擴(kuò)展層為階梯型電流擴(kuò)展層，包括五層，均為n型摻雜；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于對(duì)稱性分裂柵結(jié)構(gòu)的溝槽型sic?mosfet器件的制備方法，其特征在于，所述s2具體實(shí)現(xiàn)過程包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于對(duì)稱性分裂柵結(jié)構(gòu)的溝槽型sic?mosfet器件的制備方法，其特征在于，所述s3具體實(shí)現(xiàn)過程包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于對(duì)稱性分裂柵結(jié)構(gòu)的溝槽型sic?mosfet器件的制備方法，其特征在于，所述s4具體實(shí)現(xiàn)過程包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于對(duì)稱性分裂柵結(jié)構(gòu)的溝槽型sic?mosfet器件的制備方法，其特征在于，所述s5具體實(shí)現(xiàn)過程包括：

8.一種基于對(duì)稱性分裂柵結(jié)構(gòu)的溝槽型sic?mosfet器件，其特征在于，采用權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的基于對(duì)稱性分裂柵結(jié)構(gòu)的溝槽型sic?mosfet器件的制備方法制備而成。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于對(duì)稱性分裂柵結(jié)構(gòu)的溝槽型SiC?MOSFET器件及制備方法，本發(fā)明設(shè)計(jì)的溝槽型SiC?MOSFET器件中，設(shè)計(jì)倒T型P+屏蔽層實(shí)現(xiàn)P+屏蔽層與源極的直接接觸，同時(shí)設(shè)計(jì)上下左右對(duì)稱的分裂柵結(jié)構(gòu)，減少柵極與漏極的交疊面積，降低兩者間的耦合效應(yīng)，減少器件開關(guān)損耗。另外，該溝槽型SiC?MOSFET器件引入多級(jí)階梯型電流擴(kuò)展層，擴(kuò)大電子的導(dǎo)通路徑，增加電子濃度，提升器件的熱性能和可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：徐峰,李發(fā)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：揚(yáng)州大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19