j+Ι。詳細(xì)地，子發(fā)射像素RPij的LED E與像素電路分離，分離的LED E耦接至主修復(fù)線V.RLj，主修復(fù)線V.RLj通過使用輔助修復(fù)線H.RLi耦接至主修復(fù)線V.RLj+1,并且主修復(fù)線V.RLj+Ι耦接至子偽像素RDPj+Ι。修復(fù)線可在交點(diǎn)126和127處耦接。
[0119]根據(jù)如上所述的修復(fù)方法，當(dāng)多個有缺陷的像素被檢測出位于一列中時，該多個有缺陷的像素可使用與其他列對應(yīng)地形成的偽像素來修復(fù)。
[0120]參照圖11，當(dāng)修復(fù)了第j列中的多個有缺陷的像素時，切斷第j列中的主修復(fù)線V.RLj的一部分。參照圖11，主修復(fù)線V.RLj用于修復(fù)多個子發(fā)射像素RPij、GPij和GP(i+l)j。在這種情況下，主修復(fù)線V.RLj的一部分被切斷以使得電路徑彼此分離或電隔離，其中各子發(fā)射像素經(jīng)由這些電路徑被耦接至子偽像素。
[0121]例如，參照圖11，子發(fā)射像素GP(i+l) j經(jīng)由主修復(fù)線V.RLj耦接至子偽像素⑶Pj。此外，位于子發(fā)射像素GP(1-l) j與主修復(fù)線V.RLj的連接點(diǎn)121下方的主修復(fù)線V.RLj將子發(fā)射像素GP (i+1) j與子偽像素⑶Pj彼此耦接。在這種情況下，切斷位于連接點(diǎn)121上方的部分(112)，從而允許主修復(fù)線V.RLj的上部部分用于修復(fù)諸如GPij和RPij的其他子發(fā)射像素。
[0122]相似地，當(dāng)修復(fù)子發(fā)射像素GPij時，切斷位于連接點(diǎn)122上方的部分(111)，從而允許主修復(fù)線V.RLj的上部部分用于修復(fù)諸如RPij的另一子發(fā)射像素。
[0123]也就是說，當(dāng)主修復(fù)線V.RLj用于修復(fù)至少兩個有缺陷的像素(例如第一有缺陷的像素和第二有缺陷的像素)時，切斷位于主修復(fù)線V.RLj耦接至第一有缺陷的像素處的點(diǎn)與主修復(fù)線V.RLj耦接至第二有缺陷的像素處的點(diǎn)之間的部分，從而使路徑彼此分離，其中信號經(jīng)由主修復(fù)線V.RLj傳送至各有缺陷的像素。
[0124]相似地，雖然在圖11中未示出，還切斷了位于輔助修復(fù)線H.RLi的用于修復(fù)的部分的兩側(cè)上的外部部分，從而將電路徑與未用于修復(fù)的部分分尚。例如，切斷連接點(diǎn)126的左側(cè)和/或連接點(diǎn)127的右側(cè)，可允許輔助修復(fù)線H.RLi的其他部分用于修復(fù)其他有缺陷的像素。
[0125]參照圖11，用于修復(fù)的輔助修復(fù)線H.RLi和H.RLi+Ι與電源電隔離，并且不再耦接至電源。
[0126]當(dāng)發(fā)生多個有缺陷的像素時，有缺陷的像素和偽像素可通過包括某一算法的處理器而彼此相配。還可通過包括某一算法的該處理器確定主修復(fù)線V.RL和輔助修復(fù)線H.RL的切斷點(diǎn)，位于修復(fù)線H.RL和V.RL之間的連接點(diǎn)以及位于像素與主修復(fù)線V.RL之間的連接點(diǎn)。
[0127]在圖11中，為了便于描述修復(fù)方法，簡要說明了發(fā)射像素、偽像素和修復(fù)線之間的短路。然而，如圖8所示，在修復(fù)有缺陷的像素的過程中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可已知包括分離的其他修復(fù)過程，即可相同地執(zhí)行切斷像素電路和OLED并且可相同地應(yīng)用所描述的切斷和短路方法。因此，雖然省略了與圖11相關(guān)的描述，但是可相同地應(yīng)用與圖8相關(guān)的描述。
[0128]圖12和圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的顯示面板的視圖。
[0129]在上面描述的包括圖10和圖11的其他附圖中，輔助修復(fù)線H.RL對于每個像素行形成至少一個。下文中，將參照圖12和圖13描述另一示例。
[0130]參照圖12，輔助修復(fù)線H.RL可對于多個像素行中的每個形成至少一個。例如，如圖12中所示，至少一個輔助修復(fù)線H.RL可形成為用于每兩個像素行。
[0131]參照圖13，輔助修復(fù)線H.RL可在顯示面板中形成至少一個。例如，如圖13中所示，子偽像素RDP1、RDP2、RDP3、…可在顯示面板的下部部分中形成為用于每個像素列，并且輔助修復(fù)線H.RL可在顯示面板的上部部分中形成至少一個。然而，本發(fā)明實(shí)施方式并不限于此，偽像素可形成在顯示面板的上部部分中并且輔助修復(fù)線H.RL可在顯示面板的下部部分中形成至少一個。
[0132]參照圖12和圖13，當(dāng)多個有缺陷的像素發(fā)生在一列中時，該多個有缺陷的像素通過使用輔助修復(fù)線H.RL和主修復(fù)線V.RL而耦接至不同的偽像素，從而修復(fù)了有缺陷的像素。
[0133]如圖12和圖13中所示，可在設(shè)計布線中確定如何布置輔助修復(fù)線H.RL。例如，為了滿足諸如顯示面板的開口率和布線之間的寄生電容的顯示面板的規(guī)格，可控制輔助修復(fù)線H.RL的設(shè)計。
[0134]圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的發(fā)射像素EP的電路圖。
[0135]參照圖14，發(fā)射像素EP包括LED E和用于向LED E供給電流的發(fā)射像素電路PC。LED E可以是包括第一電極、與第一電極相對的第二電極以及位于第一電極與第二電極之間的發(fā)射層的0LED。第一電極和第二電極分別可以是陽極和陰極。發(fā)射像素電路PC可包括兩個晶體管Tl和T2以及一個電容器Cst。
[0136]在第一晶體管Tl的情況中，柵極電極耦接至掃描線，第一電極耦接至數(shù)據(jù)線，以及第二電極稱接至第一節(jié)點(diǎn)NI。
[0137]在第二晶體管T2的情況中，柵極電極耦接至第一節(jié)點(diǎn)NI，第一電極從第一電源接收第一電源電壓ELVDD，以及第二電極耦接至LED E的像素電極。
[0138]在電容器Cst的情況中，第一電極耦接至第一節(jié)點(diǎn)NI，第二電極從第一電源接收第一電源電壓ELVDD。
[0139]當(dāng)掃描信號S從掃描線SL供給時，第一晶體管Tl將從數(shù)據(jù)線DL供給的數(shù)據(jù)信號D傳送至電容器Cst的第一電極。因此，電容器Cst充有與數(shù)據(jù)信號D對應(yīng)的電壓，并且與用于對電容器Cst充電的電壓對應(yīng)的驅(qū)動電流經(jīng)由第二晶體管T2傳送至LED E，從而允許了 LED E發(fā)光。
[0140]在圖14中，示出了兩個晶體管和一個電容器包括在一個像素中的2Tr_lCap結(jié)構(gòu)。然而，本發(fā)明實(shí)施方式并不限于此。相應(yīng)地，兩個或更多個薄膜晶體管(TFT)和一個或多個電容器可包括在一個像素中。還可進(jìn)一步形成附加布線并且現(xiàn)有的布線可被省略以形成為具有多種結(jié)構(gòu)。
[0141]圖15是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用偽像素DP修復(fù)發(fā)射像素EP的方法的視圖。
[0142]參照圖15，發(fā)射像素EP包括LED E和用于向LED E供給電流的發(fā)射像素電路PC。圖15的發(fā)射像素EP可與圖14的發(fā)射像素EP相同。因此，在下文中，雖然省略了與發(fā)射像素EP相關(guān)的描述，但是應(yīng)理解，可將在上文中與圖14的發(fā)射像素EP相關(guān)聯(lián)地描述的內(nèi)容相同地應(yīng)用到圖15的發(fā)射像素EP。
[0143]偽像素DP可布置在發(fā)射像素EP的相同行或列中，并且包括偽像素電路DPC。偽像素電路DPC可與發(fā)射像素電路PC相同或不同。
[0144]偽像素電路DPC可包括耦接至偽掃描線DSL和偽數(shù)據(jù)線的第一偽晶體管DT1、耦接在第一電源電壓ELVDD與第一偽晶體管DTl之間的第二偽晶體管DT2、以及耦接在第一電源電壓ELVDD與第一偽晶體管DTl之間的偽電容器DCst。圖15示出了偽像素電路DPC的示例，但是偽像素電路DPC并不限于此，而是可形成為具有多種結(jié)構(gòu)，如包括一個或多個TFT與電容器和省略電容器。
[0145]偽掃描線DSL可與位于發(fā)射像素電路PC中的掃描線SL相同或分離。偽數(shù)據(jù)線DDL可與位于發(fā)射像素電路PC中的數(shù)據(jù)線DL相同或分離。
[0146]當(dāng)發(fā)射像素電路PC有缺陷時，發(fā)射像素電路PC與LED E分離。此外，LED E經(jīng)由修復(fù)線RL耦接至位于相同列或另一列中的偽像素電路DPC。因此，發(fā)射像素EP的LED E可從偽像素電路DPC接收驅(qū)動電流并且可正常發(fā)光。二極管之間的分離和耦接可通過使用激光束的切割過程和使用激光束的焊接過程來執(zhí)行，但并不限于此。
[0147]另一方面，當(dāng)多個發(fā)射像素電路PC有缺陷時，有缺陷的像素的各個LED E可耦接至不同的偽像素電路DPC。
[0148]本發(fā)明實(shí)施方式并不限制上述的某些像素結(jié)構(gòu)，而是可應(yīng)用至多種像素以通過修復(fù)因像素電路的缺陷所導(dǎo)致的有缺陷的像素的亮點(diǎn)或暗點(diǎn)來允許發(fā)出光并且未損失亮度。
[0149]圖16是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的偽像素DP的視圖。圖17是示出了圖16的偽像素DP的一部分的俯視圖。圖18是示出了沿著圖17所示的線B-B’所取的部分的剖視圖。
[0150]參照圖16，耦接至第I和/或第η+1掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL的偽像素DP僅包括偽像素電路DPC，而不包括LED E0偽像素DP的偽像素電路DPC與發(fā)射像素EP的像素電路PC相同。然而，如上所述，偽像素DP可包括作為電路二極管的LED E0
[0151]參照圖17和圖18，電力連接布線18形成在襯底101和緩沖層102上方。電力連接布線18例如可由非晶硅、多晶硅和氧化物半導(dǎo)體之一形成。電力連接布線18可由與相同層上的用于形成像素電路PC的TFT的有源層相同的材料形成。第一絕緣膜103形成在電力連接布線18上方，修復(fù)連接布線16形成在第一絕緣膜103上方。
[0152]修復(fù)連接布線16可由與用于形成像素電路PC的TFT的一個傳導(dǎo)電極(例如，相同層上的柵極電極)相同的材料形成。第二絕緣膜104形成在修復(fù)連接布線16上方。在第二絕緣膜104上方，耦接至像素電路PC的短路布線17與修復(fù)連接布線16的將臨時耦接在第二短路節(jié)點(diǎn)SN2處的部分重疊。修復(fù)線RL通過接觸孔耦接至修復(fù)連接布線16。
[0153]位于顯示面板10的外部部分上的修復(fù)線RL和電源電壓線ELVDDL通過接觸孔耦接至電力連接布線18，從而將修復(fù)線RL與電源電壓線ELVDDL彼此電耦接。當(dāng)修復(fù)線RL用于修復(fù)發(fā)射像素EP時，電源電壓線ELVDDL與修復(fù)線RL通過切斷電力連接布線18而被分離。當(dāng)不用于修復(fù)發(fā)射像素EP時，修復(fù)線RL平行地耦接至電源電壓線ELVDDL。
[0154]考慮到這點(diǎn)，當(dāng)設(shè)計電源電壓線ELVDDL的寬度時，可考慮修復(fù)線RL的寬度。例如，由于修復(fù)線RL的寬度，可減小電源電壓線ELVDDL的現(xiàn)有寬度。通過減小布線的寬度可增加顯示面板的開口率并且可減小寄生電容。
[0155]修復(fù)線RL、短路布線17和電源電壓線ELVDDL可由與用于形成像素電路PC的TFT的一個傳導(dǎo)電極(例如，相同層上的源極電極和漏極電極)相同的材料形成。第三絕緣膜105和第四絕緣膜106依次形成在修復(fù)線RL、短路布線17和電源電壓線ELVDDL上方。
[0156]圖19是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中發(fā)射像素EP的修復(fù)的剖視圖。圖20是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中偽像素的連接的剖視圖。
[0157]在圖19和圖20中，為了便于描述，在發(fā)射像素EP和偽像素DP的像素電路中，僅示出了耦接至修復(fù)線RL的TFT。圖19和圖20中所示的實(shí)施方式涉及在測試顯示面板的視覺(例如，顯示質(zhì)量)后進(jìn)行修復(fù)的情況。
[0158]參照圖1