9和圖20，發(fā)射像素EP的TFT的有源層21和偽像素DP的TFT的有源層51形成在襯底111上方。雖然未在附圖中示出，但是在襯底111的上表面上可設置有諸如阻礙層、阻擋層和/或緩沖層的輔助層，以防止或減少雜質離子和水的分散或者空氣滲透，并將表面平坦化。
[0159]有源層21和有源層51可包括半導體，并且可通過摻雜而包括離子雜質。此外，有源層21和有源層51可由氧化物半導體形成。有源層21和有源層51可分別包括源極區(qū)和漏極區(qū)和溝道區(qū)。在形成有有源層21和有源層51的襯底111上方形成有柵極絕緣膜GI。
[0160]發(fā)射像素EP的柵極電極24和偽像素DP的柵極電極54形成在柵極絕緣膜GI上方。柵極電極24和柵極電極54形成為分別與有源層21和有源層51的溝道區(qū)對應。柵極電極24和柵極電極54通過在柵極絕緣膜GI上方依次沉積然后蝕刻第一傳導層和第二傳導層而形成。柵極電極24和柵極電極54分別可包括由第一傳導層的一部分形成的第一柵極電極22和第一柵極電極52以及由第二傳導層的一部分形成的第二柵極電極23和第二柵極電極53。
[0161]此外，在柵極絕緣膜GI上方形成有發(fā)射像素EP的像素電極31和第一連接元件41，并形成有偽像素DP的第二連接元件61。像素電極31由第一傳導層的通過移除第二傳導層的一部分而暴露的部分形成。第一連接元件41可以是從像素電極31延伸的延伸部分，并且可包括第一傳導層和第二傳導層的一部分。第二連接元件61可包括由第一傳導層的一部分形成的第一層62和由第二傳導層的一部分形成的第二層63。在形成有柵極電極24和柵極電極54以及第一連接元件41和第二連接元件61的襯底111上方形成有層間絕緣膜 ILD。
[0162]通過接觸孔分別與有源層21和有源層51的源極區(qū)和漏極區(qū)接觸的源極電極/漏極電極25/26和55/56形成在層間絕緣膜ILD上方。此外，在層間絕緣膜ILD上方，修復線RL形成為至少部分地與第一連接元件和第二連接元件41和61重疊。像素限定膜PDL形成在襯底111上方，其中該襯底111形成有源極電極/漏極電極25/26和55/56以及修復線RL0
[0163]在視覺測試后，在檢測為有缺陷的像素的發(fā)射像素EP中，切斷了用于將源極電極/漏極電極25和26之一耦接至像素電極31的切割部130，從而使發(fā)射像素EP的TFT與像素電極31電分離。因此，有缺陷的發(fā)射像素的像素電路和像素電極31彼此電分離。另一方面，為了切斷切割部130，可發(fā)出激光束。然而，切斷切割部130的方法不限于此。
[0164]在發(fā)射像素EP的第一連接部140a的情況中，可通過破壞絕緣膜來執(zhí)行短路。因此，位于修復線RL與第一連接元件41之間的絕緣膜被破壞，并且修復線RL與第一連接元件41彼此電耦接。此外，還在偽像素DP的第二連接部140b上執(zhí)行短路。因此，位于修復線RL與第二連接元件61之間的絕緣膜被破壞并且修復線RL與第二連接元件61彼此電耦接。另一方面，為了執(zhí)行連接部140a和140b的短路，可通過發(fā)射激光束來進行激光焊接，但執(zhí)行短路的方法不限于激光焊接。
[0165]另一方面，在圖19和圖20中，當通過發(fā)射激光束來執(zhí)行切斷和短路時，可從襯底111的頂部或底部發(fā)出激光束。
[0166]在視覺測試前，包括發(fā)射層的有機膜和相反電極依次形成在像素電極31上方。當有機膜分別發(fā)出紅色、綠色和藍色的光時，發(fā)射層分別可被圖案化成紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍色發(fā)射層。另一方面，當有機膜發(fā)出白色光時，用于發(fā)出白色光的發(fā)射層可具有多層式結構，在該多層式結構中沉積有紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍色發(fā)射層，或者用于發(fā)出白色光的發(fā)射層可具有包括紅色發(fā)射材料、綠色發(fā)射材料和藍色發(fā)射材料的單層式結構。相反電極可沉積在襯底111的整個表面上并且可形成為公共電極。在本實施方式中，像素電極31用作陽極，相反電極用作陰極。然而，可相反地應用電極的極性。
[0167]在附圖和上述的實施方式中，像素電路被形成為P-溝道金屬氧化物半導體(PMOS)晶體管，在PMOS晶體管中具有低電平的信號為使能信號，而具有高電平的信號為禁用信號。然而，像素電路可形成為N-溝道金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管，在NMOS晶體管中施加的信號被互換，從而應用實施方式的驅動方法。在這種情況下，具有高電平的信號變成使能信號，而具有低電平的信號變成禁用信號。
[0168]根據(jù)上述實施方式，當像素電路有缺陷時，使用修復線修復有缺陷的像素，從而提高了顯示設備的制造成品率。
[0169]根據(jù)上述實施方式，使用偽像素來修復發(fā)射像素的缺陷，從而允許了有缺陷的像素在不將亮點變成暗點的情況下在正常的時間點發(fā)光。
[0170]根據(jù)上述實施方式，當只有一個主修復線形成為用于每個列時，可使用在行方向形成的輔助修復線修復一列中的多個有缺陷的像素。因為由布線在顯示面板中所占用的區(qū)域隨著形成更多數(shù)量的修復線而增加，所以開口率或穩(wěn)定性可能出現(xiàn)限制。然而，根據(jù)一些實施方式，因為使用最少的修復線來修復有缺陷的像素，所以可有效地修復多個有缺陷的像素并提供開口率和穩(wěn)定性。
[0171]應理解，本文中描述的示例性實施方式只應以描述性含義進行理解，而不是用于限制的目的。每個實施方式中的特征或方面的描述應理解為可用于其他實施方式中的其他相似特征或方面。
[0172]雖然已參照附圖描述了本發(fā)明的一個或多個實施方式，但是本領域的技術人員應理解，在不背離由隨附的權利要求書及其等同限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以對本發(fā)明的形式和細節(jié)進行多種修改。
【主權項】
1.一種有機發(fā)光顯不設備，包括: 多個發(fā)射像素，布置成具有多個行和多個列的矩陣，其中所述多個發(fā)射像素每個包括發(fā)光二極管(LED)； 多個偽像素； 多個修復線，其中所述多個發(fā)射像素中的至少一個能夠經(jīng)由所述多個修復線中的一個耦接至所述多個偽像素中的至少一個；以及 至少一個輔助修復線，能夠耦接所述多個修復線中的至少兩個。
2.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中， 每個所述行或每個所述列包括所述多個修復線中的至少一個， 每個所述行或每個所述列包括多個所述輔助修復線中的至少一個，以及所述多個修復線中的所述至少一個與多個所述輔助修復線中的所述至少一個形成在不同層上并且重疊，其中所述有機發(fā)光顯示設備還包括位于所述多個修復線中的所述至少一個與多個所述輔助修復線中的所述至少一個之間的至少一個絕緣層。
3.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中， 每個所述行包括所述多個修復線中的一個修復線，以及 所述多個列中的一列包括多個所述輔助修復線中的一個輔助修復線。
4.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中所述輔助修復線位于顯示區(qū)域的上部部分或下部部分中的至少一個中。
5.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中， 所述多個發(fā)射像素中的每個包括多個子發(fā)射像素， 所述多個偽像素中的每個包括多個子偽像素，以及 所述多個修復線中的一個或多個能夠將所述子發(fā)射像素耦接至所述子偽像素。
6.如權利要求5所述的有機發(fā)光顯示設備，其中， 所述多個發(fā)射像素中每個的所述多個子發(fā)射像素分別發(fā)出不同顏色的光，并且所述多個子偽像素中每個的像素電路對應于所述多個子發(fā)射像素中每個的發(fā)射像素電路，以及所述多個修復線中的所述一個或多個能夠將所述多個子發(fā)射像素中的至少一個耦接至所述多個子偽像素中與所述子發(fā)射像素對應的一個。
7.如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示設備，其中， 所述多個發(fā)射像素中的每個還包括與所述LED耦接的發(fā)射像素電路， 所述多個偽像素中的每個包括偽像素電路，以及 所述多個修復線中的一個將所述多個發(fā)射像素中的一個發(fā)射像素的所述LED耦接至所述多個偽像素中的一個的所述偽像素電路，所述多個發(fā)射像素中的所述一個發(fā)射像素中的所述發(fā)射像素電路與所述LED彼此分離。
8.如權利要求7所述的有機發(fā)光顯示設備，其中， 所述發(fā)射像素的所述LED包括陽極、陰極以及位于所述陽極與所述陰極之間的發(fā)射層，以及 與所述LED的所述陽極耦接的所述發(fā)射像素電路的布線在所述多個發(fā)射像素中的與所述多個修復線中的一個修復線耦接的一個發(fā)射像素中斷路。
9.一種修復有機發(fā)光顯不設備的方法,所述有機發(fā)光顯不設備包括: 多個發(fā)射像素，布置成具有多個行和多個列的矩陣，其中所述多個發(fā)射像素中的每個包括LED ； 多個偽像素； 多個修復線，能夠將所述多個發(fā)射像素中的至少一個耦接至所述多個偽像素中的至少一個；以及 至少一個輔助修復線，能夠耦接所述多個修復線中的至少兩個， 所述方法包括: 使所述多個發(fā)射像素中位于第一行中的第一有缺陷的發(fā)射像素的LED和第二有缺陷的發(fā)射像素的LED分別與所述第一有缺陷的發(fā)射像素的發(fā)射像素電路和所述第二有缺陷的發(fā)射像素的發(fā)射像素電路電隔離； 將所述多個修復線中與所述第一行對應的第一修復線電耦接至所述第一有缺陷的發(fā)射像素的LED ； 將所述多個修復線中與第二行對應的第二修復線電耦接至所述第二有缺陷的發(fā)射像素的LED ； 將所述多個偽像素中第一偽像素的第一偽像素電路電耦接至所述第一修復線以使得第一數(shù)據(jù)信號能夠施加到所述第一有缺陷的發(fā)射像素并施加到所述第一偽像素，從而經(jīng)由所述第一修復線將與所述第一數(shù)據(jù)信號對應的第一驅動電流供給到所述第一有缺陷的發(fā)射像素的LED;以及 將所述多個偽像素中第二偽像素的第二偽像素電路電耦接至所述第二修復線以使得第二數(shù)據(jù)信號能夠施加到所述第二有缺陷的發(fā)射像素并施加到所述第二偽像素，從而經(jīng)由所述第二修復線將與所述第二數(shù)據(jù)信號對應的第二驅動電流供給到所述第二有缺陷的發(fā)射像素的LED。
10.如權利要求9所述的方法，其中，所述將與第二行對應的第二修復線電耦接至所述第二有缺陷的發(fā)射像素的LED的步驟包括: 將所述第一修復線電耦接至所述第二有缺陷的發(fā)射像素的LED ;以及 使用所述至少一個輔助修復線將所述第一修復線電耦接至所述第二修復線。
【專利摘要】一種有機發(fā)光顯示設備及修復有機發(fā)光顯示設備的方法，有機發(fā)光顯示設備包括：多個發(fā)射像素、多個偽像素、多個修復線以及至少一個輔助修復線，其中該多個發(fā)射像素布置成具有多個行和多個列的矩陣，發(fā)射像素各自包括發(fā)光二極管(LED)；多個發(fā)射像素中的至少一個能夠經(jīng)由修復線中的一個而耦接至多個偽像素中的至少一個；以及至少一個輔助修復線能夠耦接多個修復線中的至少兩個。
【IPC分類】H01L51-56, G09G3-32, H01L51-52, H01L27-32
【公開號】CN104659058
【申請?zhí)枴緾N201410571912
【發(fā)明人】金東奎, 金起旭
【申請人】三星顯示有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2014年10月23日
【公告號】EP2876683A2, EP2876683A3, US20150138171