明】
[0042]
[0043]上述及其他特征和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)附圖中示出的示例實(shí)施方式的更詳細(xì)描述而變得明顯，其中在不同的視圖中相同的參考標(biāo)號(hào)始終涉及相同或相似的部件。附圖不必按比例，重點(diǎn)在于示出發(fā)明構(gòu)思的原理。
[0044]圖1A和IB是截面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式進(jìn)行表面處理的方法。
[0045]圖2A和2B是截面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施方式進(jìn)行表面處理的方法。
[0046]圖3是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的布局圖。
[0047]圖4A至4C是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的截面圖，與圖3的線A-A’、B-B’和C-C’對(duì)應(yīng)。
[0048]圖4D是透視圖，示出如圖3所示的示范性的低壓晶體管。
[0049]圖5A至16A是截面圖，示出對(duì)應(yīng)于圖4A的半導(dǎo)體器件的示范性制造方法。
[0050]圖5B至16B是截面圖，示出對(duì)應(yīng)于圖4B的半導(dǎo)體器件的示范性制造方法。
[0051]圖5C至16C是截面圖，示出對(duì)應(yīng)于圖4C的半導(dǎo)體器件的示范性制造方法。
[0052]圖17A至17C是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的截面圖，與圖3的線A-A’、B-B’和C-C’對(duì)應(yīng)。
[0053]圖18A至21A是截面圖，示出對(duì)應(yīng)于圖17A的半導(dǎo)體器件的示范性制造方法。
[0054]圖18B至21B是截面圖，示出對(duì)應(yīng)于圖17B的半導(dǎo)體器件的示范性制造方法。
[0055]圖18C至21C是截面圖，示出對(duì)應(yīng)于圖17C的半導(dǎo)體器件的示范性制造方法。
[0056]圖22是示意框圖，示出包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)卡。
[0057]圖23是示意框圖，示出包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的信息處理系統(tǒng)的示例。
【具體實(shí)施方式】
[0058]
[0059]現(xiàn)將在下文參考附圖更充分地描述發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式；然而，它們可以以不同的形式實(shí)現(xiàn)且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的示例實(shí)施方式。
[0060]在附圖中，為了圖示清楚可以夸大層和區(qū)域的尺寸。
[0061]這里使用的術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)列舉項(xiàng)目的一個(gè)或更多的任何和所有組合。
[0062]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件被稱為“連接到”或“聯(lián)接到”另一元件時(shí)，它能夠直接連接或聯(lián)接到另一元件或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接連接到”或“直接聯(lián)接到”另一元件，或者“接觸”另一元件時(shí)，不存在中間元件。用于描述元件或?qū)又g的關(guān)系的其他詞語(yǔ)應(yīng)當(dāng)以相似的方式解釋(例如，“在...上”與“直接在...上”、“在...下面”與“直接在...下面”、“在...之間”與“直接在...之間”、“相鄰”與“直接相鄰”)。
[0063]可以理解雖然術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等可以用于此來(lái)描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分應(yīng)不受這些術(shù)語(yǔ)限制。除非內(nèi)容指示另外的意思，這些術(shù)語(yǔ)只用于區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與其他元件、部件、區(qū)域、層或部分。因此，以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離示例實(shí)施方式的教導(dǎo)。類似地，首先發(fā)生的工藝可以被稱為“第二”工藝，稍后發(fā)生的工藝可以被稱為“第一”工藝。這樣，為了重申，除非對(duì)于諸如“第一”和“第二”的術(shù)語(yǔ)上下文給出特定的與順序有關(guān)的含義、與時(shí)間有關(guān)的含義、或其他基于上下文的含義，否則這些術(shù)語(yǔ)僅用于命名慣例。
[0064]在這里為了描述的方便，可以使用空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)，例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等，來(lái)描述一個(gè)元件或特征和其他元件或特征如圖中所示的關(guān)系?？梢岳斫饪臻g關(guān)系術(shù)語(yǔ)旨在包含除了在圖中所繪的方向之外的裝置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件則應(yīng)取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，示范性術(shù)語(yǔ)“下方”可以包含下方和上方兩個(gè)方向。裝置也可以有其它取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)且相應(yīng)地解釋這里所使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)。
[0065]術(shù)語(yǔ)“一”和“該”以及相似的對(duì)象在描述實(shí)施例的上下文中(尤其在后面的權(quán)利要求的上下文中)的使用將被解釋為覆蓋單數(shù)和復(fù)數(shù)兩者，除非上下文清楚地在此指示另外的意思。術(shù)語(yǔ)“包含”、“具有”、“包括”和“含有”將理解為開放式術(shù)語(yǔ)(即，意味著“包括，但不限于”)，除非另有陳述。
[0066]除非另有界定，這里使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)具有本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員共同理解的相同的意思。還可以理解在此提供的任意和所有示例或示范性術(shù)語(yǔ)的使用僅旨在更好地說(shuō)明示例實(shí)施方式而并非對(duì)發(fā)明構(gòu)思的范圍的限制，除非另外明確地如此界定。
[0067]將參考透視圖、截面圖和/或平面圖描述示例實(shí)施方式。示例視圖的外形可根據(jù)例如制造技術(shù)和/或公差而改變。因此，示例實(shí)施方式不旨在限制該范圍，而是涵蓋例如由于制造工藝上的改變而引起的所有改變和改進(jìn)。因此，附圖中示出的區(qū)域以示意形式被示出，區(qū)域的形狀以圖示的方式簡(jiǎn)單地呈現(xiàn)而不作為限制。
[0068]如這里所用的術(shù)語(yǔ)諸如“相同”、“平面”或“共面”當(dāng)涉及取向、布局、位置、形狀、尺寸、數(shù)量或其它計(jì)量時(shí)未必意味著精確相同的取向、布局、位置、形狀、尺寸、數(shù)量或其他計(jì)量，而是旨在包括在因例如制造工藝導(dǎo)致可能發(fā)生的允許誤差之內(nèi)的幾乎相同的取向、布局、位置、形狀、尺寸、數(shù)量或其它計(jì)量。術(shù)語(yǔ)“基本上”或“大約”可以用于此來(lái)反映此含義。
[0069]在下文，將參考附圖詳細(xì)描述發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式。
[0070]圖1A和IB是截面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式進(jìn)行表面處理的方法。
[0071]參考圖1A和1B，基板I可提供于裝置的能夠產(chǎn)生等離子體的腔室中?；錓可包括例如II1-V族半導(dǎo)體中的至少一種元素。例如，具有上表面的基板I可包括硅基板、鍺基板和/或硅鍺基板?；錓的上表面可被蝕刻工藝損壞，因此基板I的上表面可變得不平坦且具有表面粗糙度。
[0072]可在基板I的上表面上進(jìn)行表面處理，例如使用包含惰性氣體和氫氣中至少一個(gè)的等離子體氣體(G*)。惰性氣體可包括氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)和氡(Rn)中的至少一個(gè)。在一個(gè)實(shí)施方式中，表面處理可在小于或等于大約999Torr的壓力下進(jìn)行。在一個(gè)實(shí)施方式中，可以在大約IkW至大約5kW，更具體地，大約2kW至大約4kW的功率范圍內(nèi)產(chǎn)生等離子體氣體。等離子體氣體可以通過(guò)使用直接型等離子體(direct plasma)、遠(yuǎn)程等離子體(remote plasma)、射頻等離子體、微波等離子體、感應(yīng)親合等離子體、電容親合等離子體和電子回旋共振等離子體中的至少一個(gè)而產(chǎn)生。可在小于或等于大約700°C，具體地大約300°C至大約500°C的更低溫度下進(jìn)行大約10秒至大約999秒時(shí)長(zhǎng)的表面處理。
[0073]如果在上述的更低溫度下進(jìn)行表面處理，則通過(guò)等離子體氣體產(chǎn)生的熱能可僅被傳送到基板I的表面，并且可在基板I的表面上觀察到奧斯特瓦爾德熟化(Ostwaldripening phenomenon)現(xiàn)象。例如，基板I可具有由于表面粗糙度導(dǎo)致的從基板I突出的許多小突起，在表面處理之后小突起會(huì)消失或具有減小的尺寸。具體地，由于在相同溫度下小突起與基板I之間的表面能量差異，導(dǎo)致會(huì)發(fā)生奧斯特瓦爾德熟化現(xiàn)象。因此，基板I的表面粗糙度可減小，基板I可被平坦化，如圖1B所示。在表面處理之后，基板的均方根平均粗糙度(Rq)可小于或等于大約2nm。此Rq可基于由從該表面的算術(shù)平均高度起的各個(gè)峰高度和深度獲得的值來(lái)確定。在某些實(shí)施方式中，表面處理可在大約5Torr至大約25Torr的壓力下進(jìn)行?；錓的表面粗糙度可通過(guò)使用上述惰性氣體當(dāng)中的氦(He)氣被更有效地改善。
[0074]另一方面，如果表面處理在高于700°C的溫度下進(jìn)行，過(guò)多的熱能可傳送到基板I中的硅分子的化學(xué)鍵，基板I的上表面可過(guò)度地變形并且一些小突起會(huì)被橋接以彼此連接。
[0075]圖2A和2B是截面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施方式進(jìn)行表面處理的方法。
[0076]參考圖2A和2B，從基板I突出的鰭2可形成在基板I上。具有上表面和側(cè)壁的鰭2可通過(guò)局部地蝕刻基板I的一部分而形成。結(jié)果，鰭2的上表面處的寬度(例如，如圖2A所示，在水平方向上的寬度)可小于或等于10nm。鰭2的側(cè)壁可傾斜，即，形成在鰭2的上表面和側(cè)壁之間的第一角度Θ I可大于90°。鰭2的側(cè)壁可被損壞并且具有類似于如圖1A所示的基板I的上表面的表面粗糙度?？稍邛?的上表面和側(cè)壁上進(jìn)行表面處理。結(jié)果，鰭2的上表面和側(cè)壁的表面粗糙度可通過(guò)奧斯特瓦爾德熟化現(xiàn)象而減少，如圖2B所示。另夕卜，在表面處理之后，第一角度Θ I可變?yōu)榈诙嵌圈?。第二角度Θ 2可以是基本90°。由此，分別在鰭2的上部、中間部分和底部處的鰭2的第一寬度、第二寬度和第三寬度可基本上彼此相同。如果第一角度Θ I變?yōu)榛?0°，則可改善鰭2中的溝道的可控制性。
[0077]在鰭2上進(jìn)行表面處理的工藝條件可以與上述參考圖1A和IB描述的工藝條件相同。例如，表面處理可以在小于或等于大約700°C，具體地大約300°C至大約500°C的溫度下進(jìn)行。表面處理可以在小于或等于大約999T0rr的壓力，在一個(gè)實(shí)施方式中具體地在小于或等于大約ITorr的壓力下進(jìn)行?？梢栽诖蠹sIkW至大約5kW，更具體地，大約2kW至大約4kff的功率范圍內(nèi)產(chǎn)生等離子體。鰭2的表面粗糙度可以利用包含惰性氣體和氫氣中至少一個(gè)的等離子體氣體來(lái)減小。鰭2的表面粗糙度可通過(guò)使用上述惰性氣體當(dāng)中的氦(He)氣被更有效地改善。
[0078]如上所述，基板I的表面粗糙度可以減小，鰭2的形狀也可通過(guò)進(jìn)行表面處理而變?yōu)楦玫男螤睢Ｈ绻?的寬度小于10nm，則形狀的改變可以是非常重要的因素以提高器件性能。
[0079]圖3是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的布局圖。圖4A至4C是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的截面圖，與圖3的線A-A’、B-B’和C-C’對(duì)應(yīng)。圖4D是透視圖，示出如圖3所示的低壓晶體管。
[0080]參考圖3和圖4A至4D，溝槽區(qū)5，也被稱為凹進(jìn)區(qū)，可以形成在包含低壓晶體管區(qū)LV和高壓晶體管區(qū)HV的基板I中?；錓例如可包括剛性基板，例如，體硅基板或絕緣體上硅(SOI)基板。器件隔離膜9，更一般地被稱為器件隔離層，可以設(shè)置在溝槽區(qū)5中。器件隔離膜9可例如包括硅氧化物層。從基板I突出的第一有源區(qū)6a可以設(shè)置在形成于低壓