板板子上的半導體器件100的行和列的數(shù)目可以變化。
[0036] 基板板子可以多個基板102 (再次，如此的基板在圖4-5中為了示例而示出)開始。 基板102可以是多種不同芯片載體媒介，包括印刷電路板（PCB)、引線框架或載帶自動鍵合 (TAB)帶?；蹇梢园ǘ鄠€通孔（via) 104、電引線106 (electrical trace)和觸點盤 108。所述基板102可以包括更多的通孔104、引線106和盤108 (其中僅僅有一部分在圖 中被編號)，并且它們可能在與圖中所示地不同的位置上。
[0037] 參考圖3的流程圖，無源元件112可以在步驟200中被粘結(jié)到基板102。一個或多 個無源元件可以包括例如一個或多個電容器、電阻器和/或電感器，雖然也可以構(gòu)思其它 元件。所示出的無源元件112(其中僅有一個在圖中被編號)僅僅作為示例，并且其數(shù)字、類 型和位置都可以在其它實施例中變化。所述無源元件112可以在基板102表面之上延伸。 如此，它們可以被安裝在下面闡述的存儲器裸片堆疊的占地面積之外。替代地，無源元件可 以被定位于基板102上以便適配在安裝在如下面闡述的基板上的橋結(jié)構(gòu)的溝槽之內(nèi)。如圖 示，所述無源元件112可以適配在橋結(jié)構(gòu)中的溝槽之內(nèi)。
[0038] 在步驟204,半導體裸片114可以被安裝在基板102的表面上。如下面闡述的，所 述半導體裸片114也可以被定位于基板102上以便在橋結(jié)構(gòu)被安裝于基板上時適配于橋結(jié) 構(gòu)中的溝槽之內(nèi)。所述半導體裸片114可以是控制器ASIC。然而，裸片114可以是其它類 型的半導體裸片，例如DRAM或NAND。
[0039] 圖5示出安裝于基板102之上的半導體裸片114。所述半導體裸片114包括裸片 焊盤116,其中之一例如在圖5中被標記。所述裸片焊盤116可以通過在線焊步驟206中的 線焊118被電耦合到基板102上的觸點盤108。需要了解所述半導體裸片114可以使用其 它工藝被電耦合到基板102上。例如，所述半導體裸片114可以是焊接在基板102的觸點 盤上的倒裝芯片。作為另外的示例，導電引線可以通過在裸片焊盤和觸點盤之間的已知的 印刷工藝被印刷以便將半導體裸片114電耦合到基板102。
[0040] 已示出的裸片焊盤116和線焊118的數(shù)量僅僅出于清晰性，需要了解可以在其它 實施例中存在更多的觸點盤108、裸片焊盤116和線焊118。而且，雖然圖5示出的半導體 裸片114僅僅在兩面具有裸片焊盤和線焊，需要了解的是，半導體裸片114可以在其它實施 例中在半導體裸片114的所有四面都具有裸片焊盤和線焊，例如如圖5A所示。所述半導體 裸片114替代地可以在其它示例中一面或者三面具有裸片焊盤116和線焊118。
[0041] 根據(jù)本技術(shù)，在步驟208中，橋結(jié)構(gòu)120可以緊鄰著被安裝到基板102上。所述橋 結(jié)構(gòu)120被形成具有底部表面中的溝槽。所述橋結(jié)構(gòu)120可以被安裝到基板102上，從而 使得半導體裸片114 (和可能的基板102的表面上的其它結(jié)構(gòu)）位于在溝槽之內(nèi)。本技術(shù) 的一個特征是橋結(jié)構(gòu)從半導體晶圓形成。此特征的一個優(yōu)點在于，所述橋結(jié)構(gòu)可以用和如 下文闡述的安裝在橋結(jié)構(gòu)頂部的其它半導體裸片的材料一樣的材料制成，從而避免了熱失 衡（Mismatch)。另外的優(yōu)點在于，制造半導體器件100的生產(chǎn)工廠通常具有處理半導體晶 圓的工具和工藝。因此，所述橋結(jié)構(gòu)120從半導體晶圓的形成對于生產(chǎn)廠家來說涉及最小 的額外成本和加工工序。
[0042] 現(xiàn)參考圖6-8,根據(jù)第一實施例的虛設(shè)橋結(jié)構(gòu)120a可以從半導體晶圓300中形成。 半導體晶圓300起始作為可以在步驟250中形成的晶圓材料的錠。在一個示例中，形成晶 圓300的錠可以是由要么根據(jù)Czochralski (拉晶法）（CZ)工序要么根據(jù)浮區(qū)（floating zone)法（FZ)工序生長的單晶硅。然而，如下面所闡述的，在得到的橋結(jié)構(gòu)純粹是機械間隔 層的實施例中，如圖6所示，形成晶圓300的錠可以是多晶硅或任何多晶半導體材料以便降 低這種虛設(shè)橋結(jié)構(gòu)的材料的成本。
[0043] 除硅以外，應該理解，晶圓300可以由任何其它半導體元素或化合物形成，包括而 不限于IV族元素半導體、IV族化合物半導體、VI族元素半導體、III-V半導體、II-VI半導 體、I-VII半導體、IV-VI半導體、V-VI半導體和II-V半導體。額外的，當晶圓300被用于 形成圖6中的實施例中的間隔層時，虛設(shè)橋結(jié)構(gòu)120a可以是半導體元素或化合物之外的多 種材料。
[0044] 在步驟252中，這些半導體晶圓300可以從錠上被切割下來，并且在兩個主要表面 上被打磨以提供平滑的表面。晶圓300可以具有第一主要表面304 (圖9)和相對的第二主 要表面305 (圖7)。在步驟256中，可以施加砂輪（grinding wheel)于第二主要表面305 以便從背磨（backgrind)該晶圓300,例如從780 μ m到280 μ m，雖然這些厚度僅僅作為一種 示例并且可以在不同的實施例中會變化。這一步驟以虛線示出，因為該步驟在實施例中可 以被省略而晶圓300被保留在其被切割時的厚度。還可以想象的是，背后研磨步驟256在 工序中稍后被執(zhí)行，例如在如下闡述的溝槽形成步驟之后。
[0045] 在步驟258中，溝槽302 (其中一些在圖7和8中被編號）被形成于晶圓300的第 二主要表面305中。在實施例中，溝槽可以是6mm寬并且以平行的長度延伸穿過第二主要表 面305。溝槽302彼此之間相互隔開，從而一旦晶圓被如下闡述的那樣切割，每條溝槽302 被定位于所產(chǎn)生的半導體裸片的底部表面中的相同位置。例如，在一個實施例中，所切割的 橋結(jié)構(gòu)120每一個都有12mm的寬度。在這樣的示例中，溝槽302可以彼此間隔12mm(中心 到中心)，并且被形成以便位于橋結(jié)構(gòu)的寬度的中心。因此，一個12mm寬的橋結(jié)構(gòu)會有6_ 寬的溝槽，溝槽的每側(cè)有3mm。應該了解，這些尺寸僅僅是一種示例，其每一個在其它實施例 中都可以變化。而且，盡管溝槽302在一個實施例中位于每個橋結(jié)構(gòu)的中心，應該了解，溝 槽302在其它實施例中也可以相反地在橋結(jié)構(gòu)的寬度上更接近一個邊緣或另外一個邊緣。
[0046] 溝槽302可以以150μ〇1到200 μ m的深度形成。應該了解的是，溝槽302可以被 形成得更深或者更淺地，只要滿足條件溝槽足夠深以被定位于半導體裸片114和其上形成 的任何線焊之上，而不會導致溝壁和半導體裸片/線焊之間的接觸。
[0047] 可以通過各種不同技術(shù)來形成溝槽302。在一個示例中，可以由鋸條（saw blade) 306 (圖8)執(zhí)行"半鋸開（half-cut)"到晶圓300的表面中來形成溝槽302 ;即，進入表面 但是不徹底貫穿晶圓的厚度。圖8所示的鋸條形成了一些而非全部的溝槽302。在此示例 中鋸條306的厚度可以變化。在一個示例中，鋸條306可以是60 μ m寬。這樣的鋸條可以 鋸100遍以便在晶圓300中形成6mm寬且均一深度的單條溝槽。那樣的工藝可以被重復用 于遍及晶圓300的寬度的所有溝槽。
[0048] 應該了解的是，鋸條的厚度在不同的實施例中可以是不同的。例如，鋸條可以是 1.0 mm (6遍以便形成6mm寬且均一深度的溝槽)，2. Omm (3遍以便形成6mm寬且均一深度 的溝槽）或6.0mm (1遍以便形成6mm寬且均一深度的溝槽)。也可構(gòu)思其它鍋條厚度。
[0049] 在另外的實施例中，可以在具有圓形磨銑鉆頭（milling bit)(未示出）的磨銑 (milling)工藝中形成溝槽302。在鋸條306沿著平行于晶圓300的第二主要表面305的旋 轉(zhuǎn)軸進行半鋸開的地方，磨銑鉆頭沿著垂直于該第二主要表面305的旋轉(zhuǎn)軸進行半鋸開。 磨銑鉆頭可以例如有6. Omm的直徑和至少溝槽302的深度的厚度，從而可以由磨銑鉆頭的 一遍來形成每一條溝槽302。在其它實施例中，磨銑鉆頭可以有更小的直徑以便執(zhí)行超過一 遍來形成均一深度的單個溝槽。
[0050] 在另外的實施例中，可以構(gòu)思使用激光(未示出)來形成溝槽302。在一個這樣的示 例中，可以使用一個低功率CO 2激光器燒蝕（ablate)-部分晶圓以進行第二主要表面305 上的所希望的半鋸開。激光器可以以一遍或多遍來形成每一條溝槽，取決于使用的激光光 束的直徑。
[0051] 在另外的實施例中，可以在晶圓300的第二主要表面305中蝕刻溝槽302?？梢砸?多種不同工藝來蝕刻溝槽，包括例如使用液體蝕刻劑、干式等離子蝕刻劑或蒸汽蝕刻劑。在 一個示例中，一種光刻膠(未示出)被施加到遍及整