個(gè)第二主要表面305。使用在下文中闡述 的掩模對準(zhǔn)方法中的一種，接下來，使用紫外線，使得第二主要表面305上的光刻膠(未示 出）向?qū)?zhǔn)的溝槽掩模(未示出）曝光。光刻膠(未示出）然后被顯影，這導(dǎo)致溝槽掩模的光 學(xué)圖案被轉(zhuǎn)移為光刻膠中的開窗（open window)。然后，晶圓300的整個(gè)第二主要表面305 被曝光以進(jìn)行選擇性蝕刻，這種選擇性蝕刻在第二主要表面305中切割溝槽而不影響到光 刻膠。光刻膠在剝落（Stripping)工藝中被清除以獲得第二主要表面305中的溝槽302。
[0052] 在一個(gè)實(shí)施例中，用于蝕刻溝槽302的工藝可以是各向異性的蝕刻，其導(dǎo)致溝槽 302具有直角的或近似直角的側(cè)壁。在另外的實(shí)施例中，所述工序可以是各向同性的蝕刻， 其導(dǎo)致溝槽302具有更圓形的側(cè)壁。蝕刻劑的濃度和蝕刻劑在晶圓300上停留的時(shí)間都可 以被控制以提供具有所希望的深度和尺寸的溝槽302。
[0053] 如同上面提到的，在一個(gè)實(shí)施例中，溝槽302的深度可以是在15Ρμπ?到200μπι 之間。在一個(gè)示例中，可以一次以這個(gè)深度形成一條溝槽302。因此，在使用60 μ m寬的鋸 條來切割溝槽302的一個(gè)示例中，可以通過鍋條在寬度方向上（width-wise)行進(jìn)100遍來 完全切割一條6mm的溝槽到所希望的深度。在另外的實(shí)施例中，構(gòu)想每次切割(或激光或蝕 刻工藝)僅僅到部分的深度。例如，在溝槽302深度為15Ρμηι處，可以有三次分離的部分深 度切割，第一次下到5Ρμηι，第二次下到ΙΟΡμηι，第三次下到15Ρμπι。在另外的實(shí)施例中， 形成完全深度的部分切割/激光/蝕刻的數(shù)目可以改變?yōu)楦哂诨虻陀谌巍?br>[0054] 因此，在一個(gè)使用6ΡμLΤ1鋸進(jìn)行的6mm溝槽切割的示例中，其中在三次部分切割中 形成該深度，可以一共進(jìn)行300次切割以便形成該溝槽--跨越寬度（across the width) 的第一組100次切割到第一部分深度，跨越寬度的第二組100次切割到第二部分深度，跨越 寬度的第三組100次切割到第三部分深度。再次地，這些次數(shù)僅僅作為示例，也可以存在不 同次數(shù)的寬度方向和部分深度切割。代替進(jìn)行跨越寬度的連續(xù)切割、然后重復(fù)到新的深度， 也可以通過連續(xù)地進(jìn)行切割下到完全的深度，然后重復(fù)跨越溝槽的寬度，來形成溝槽302。
[0055] 在關(guān)于圖6的實(shí)施例中，晶圓300的第一主要表面304未被加工為包含集成電路。 在這樣的實(shí)施例中，在確定將溝槽定位在第二主要表面305上哪里時(shí)，可以不需要將第二 主要表面305上的溝槽302與第一主要表面304對準(zhǔn)。在這樣的實(shí)施例中，可以如同上面 闡述的那樣形成溝槽，然后，以第二主要表面305朝上，晶圓300可以在步驟260中被切化 (scribed)和被切割成單個(gè)的半導(dǎo)體裸片，每一個(gè)半導(dǎo)體裸片形成虛設(shè)橋結(jié)構(gòu)120a?？梢?想象的是第一主要表面304可以包含這樣的特征，即在形成溝槽302之前需要對準(zhǔn)在第二 主要表面305上的溝槽位置。在下文中描述用于將第二主要表面305上的溝槽與第一主要 表面304上的特征對準(zhǔn)的多種實(shí)施例。
[0056] 在圖6的實(shí)施例中，在切割之前，在晶圓300上沒有形成集成電路，并且所完成的 虛設(shè)橋結(jié)構(gòu)120a作用為沒有電功能的機(jī)械間隔層。圖10和11示出包括溝槽302的完成 的虛設(shè)橋結(jié)構(gòu)120a的俯視圖和俯視剖面圖。圖12和13示出包括溝槽302的完成的虛設(shè) 橋結(jié)構(gòu)120a的仰視圖和仰視剖面圖。圖14示出在步驟208 (圖3)中被封裝到基板102上 之后的虛設(shè)橋結(jié)構(gòu)120a的邊緣視圖。如圖13所見，溝槽302定義了橋結(jié)構(gòu)120a的較低表 面中的軌道（rail)122a、122b。在一些實(shí)施例中，軌道122a、122b延伸達(dá)到橋結(jié)構(gòu)120a的 整個(gè)長度?？梢酝ㄟ^粘合劑、例如軌道122a、122b上的裸片粘附膜（die attach film)將 虛設(shè)橋結(jié)構(gòu)120a粘結(jié)到基板102上。
[0057] 圖14也示出位于溝槽302之內(nèi)的半導(dǎo)體裸片114。溝槽302和半導(dǎo)體裸片114的 相對尺寸僅是示例之用，而可以不是按照比例畫出的。在一個(gè)示例中，半導(dǎo)體裸片114可以 有大約為5mm的寬度。隨著線焊118從半導(dǎo)體裸片114的一條或多條邊緣落下，半導(dǎo)體裸 片114和線焊可以適配在具有如同上所述為6mm的寬度w的溝槽之內(nèi)。這些尺寸都可以變 化以提供足夠大的溝槽以接納半導(dǎo)體裸片114和線焊(如果存在)。
[0058] 如同上面提到的，橋結(jié)構(gòu)120的高度Ii1可以例如為大約280 μ m，而溝槽302的高 度h2可以例如處于76 μ m到127 μ m的范圍之內(nèi)。這使得溝槽之上的橋結(jié)構(gòu)的高度h3高出 溝槽達(dá)153 μ m到204 μ m。這些尺寸中的每一個(gè)都是出于示例之用而可以在其它實(shí)施例中 變化。半導(dǎo)體裸片114可以有46 μ m的厚度。粘附半導(dǎo)體裸片114的裸片粘附I吳可以具有 IOym的厚度，而粘附橋結(jié)構(gòu)120的裸片粘附膜可以具有20 μ m的厚度。通過這些尺寸，在 半導(dǎo)體裸片114之上、在溝槽之內(nèi)還可以存在一個(gè)間隔h4，范圍在117μπι到168μπι。這一 間隔對于可能使用到的線焊是足夠大的。這些尺寸在其它實(shí)施例中可以變化。例如，在其 它實(shí)施例中，間隔h 4可以是106 μ m。
[0059] 再次參考圖3的流程圖和圖15的透視視圖，一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體裸片140可以在步 驟214中被堆疊到虛設(shè)橋結(jié)構(gòu)120a的頂上。線焊橋結(jié)構(gòu)120的步驟212是虛線示出的，因 為這一步驟將在橋結(jié)構(gòu)沒有電子功能的實(shí)施例中被省略。如圖16所示，可以以階梯型結(jié)構(gòu) 堆疊半導(dǎo)體裸片140。雖然示出的是兩個(gè)這樣的半導(dǎo)體裸片140,但是在其它實(shí)施例中可以 在裸片堆疊中有單個(gè)的半導(dǎo)體裸片140或多于兩個(gè)的半導(dǎo)體裸片。半導(dǎo)體裸片140可以包 括集成電路142,其作用為例如為存儲(chǔ)器裸片和更優(yōu)選NAND快閃式存儲(chǔ)器裸片，但是也可 構(gòu)思其它類型的半導(dǎo)體裸片。
[0060] 在步驟216中，半導(dǎo)體裸片140可以在已知的(使用例如線焊劈刀（Capillary)(未 示出））線焊工藝中通過線焊144被線焊到基板102上的觸點(diǎn)盤108。
[0061] 在裸片堆疊被形成并且被線焊到基板102上的觸點(diǎn)盤108之后，半導(dǎo)體器件 100可以在步驟220中被裝入塑封化合物150中，并且在步驟224中從板上被單片化 (singulate)，以形成圖17所示的完成的半導(dǎo)體器件100。塑封化合物150可以是已知的 環(huán)氧化物，例如從總部皆在日本的Sumitomo公司和Nitto Denko公司可得的。其后，器件 100在步驟226中經(jīng)過電測試和老化（burn in)測試。在一些實(shí)施例中，完成的半導(dǎo)體器件 100可以可選地在步驟228中被裝入蓋子(未示出）中。
[0062] 關(guān)于圖6-17描述的虛設(shè)橋結(jié)構(gòu)120a是間隔層，其從不帶有集成電路的部分加工 的晶圓形成。虛設(shè)橋結(jié)構(gòu)120a允許半導(dǎo)體裸片114 (和可能的其它元件）被安裝到基板的 該表面上和在其之上延伸，同時(shí)提供平滑的表面以供在其上安裝存儲(chǔ)器裸片堆疊。
[0063] 然而，如同提及的，替代地，橋結(jié)構(gòu)120可以是一個(gè)IC橋結(jié)構(gòu)120b，其從帶有集成 電路的半導(dǎo)體晶圓形成?？梢砸灾辽賰煞N方式制造這樣的實(shí)施例。在第一種制造工序中， 在溝槽302被形成于相對的第二主要表面305中之前，集成電路被形成于晶圓300的第一 主要表面304上。參考圖18的流程圖和其后的圖片描述這樣的實(shí)施例。在第二種制造工 序中，在集成電路被形成于相對的第一主要表面304中之前，溝槽302被形成于第二主要表 面305中。參考圖19的流程圖和其后的圖片描述這樣的實(shí)施例。
[0064] 現(xiàn)參考圖18的流程圖，可以從在步驟262中形成的錠（ingot)上切割晶圓300。 形成晶圓300的錠在這個(gè)實(shí)施例中可以是根據(jù)CZ方法或根據(jù)FZ工藝生長而成的單晶硅。 雖然硅是一種示例，但是所述錠更一般地說也可以由任意其它元素半導(dǎo)體或化合物、包括 但不限于IV族元素半導(dǎo)體、IV族化合物半導(dǎo)體、VI族元素半導(dǎo)體、III-V半導(dǎo)體、II-VI半 導(dǎo)體、I-VII半導(dǎo)體、IV-VI半導(dǎo)體、V-VI半導(dǎo)體和II-V半導(dǎo)體形成。
[0065] 在步驟264中，半導(dǎo)體晶圓300可以從錠上切割并且在第一主要表面304 (圖20) 和第二主要表面305 (圖21)上都被拋光以提供平滑的表面。在步驟266中，第一主要表面 可以經(jīng)受多種不同工藝步驟以在第一主要表面之上和之中形成集成電路。所述步驟可以包 括以垂直和水平的劃線308切劃第一主要表面304以協(xié)助從晶圓300上切割各個(gè)半導(dǎo)體裸 片。在一些實(shí)施例中，集成電路可以