示出柵極圖案與源漏極圖案)，其中第一子測(cè)試線路103c形成于基板10上，第二子測(cè)試線路103d形成于絕緣層106上。
[0096]在步驟702中，在測(cè)試線路上每個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)的兩端形成貫通到陣列基板上表面的過(guò)孔。
[0097]在陣列基板所需的各個(gè)膜層與圖案形成之后，可以在測(cè)試線路上每個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)的兩端形成貫通到陣列基板上表面的過(guò)孔，示例性的，可以通過(guò)構(gòu)圖工藝在測(cè)試線路上每個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)的兩端形成貫通到陣列基板上表面的過(guò)孔。以步驟701的第三種情況為例，步驟702結(jié)束時(shí)，基板的結(jié)構(gòu)如圖13所示，其中，過(guò)孔G從斷開(kāi)點(diǎn)A的兩端貫通到陣列基板上表面S，第一子測(cè)試線路103c與第二子測(cè)試線路103d形成于不同層。
[0098]在步驟703中，在過(guò)孔中形成延伸到陣列基板上表面的導(dǎo)電物質(zhì)。
[0099]在陣列基板上形成過(guò)孔之后，可以在過(guò)孔中形成延伸到陣列基板上表面的導(dǎo)電物質(zhì)，示例性的，可以通過(guò)構(gòu)圖工藝在過(guò)孔中形成延伸到陣列基板上表面的導(dǎo)電物質(zhì)，該導(dǎo)電物質(zhì)用于方便將每個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)的兩端進(jìn)行電連接。以步驟701的第三種情況為例，步驟703結(jié)束時(shí)，基板的結(jié)構(gòu)如圖5所示。此外，以步驟701的第一種情況為例，步驟703結(jié)束時(shí)，基板的結(jié)構(gòu)如圖4所示；以步驟701的第二種情況為例，步驟703結(jié)束時(shí)，基板的結(jié)構(gòu)如圖14所示，其中子測(cè)試線路103a和子測(cè)試線路103b都形成于絕緣層106上，且斷開(kāi)點(diǎn)A的兩端都設(shè)置有貫通到陣列基板上表面S的導(dǎo)電接點(diǎn)105。
[0100]在步驟704中，通過(guò)導(dǎo)電銀膠導(dǎo)通所有斷開(kāi)點(diǎn)的兩端的導(dǎo)電接點(diǎn)。
[0101]在需要對(duì)陣列基板上的工作電路進(jìn)行測(cè)試時(shí)，可以通過(guò)導(dǎo)電銀膠導(dǎo)通所有斷開(kāi)點(diǎn)的兩端的導(dǎo)電接點(diǎn)，需要說(shuō)明的是，在僅需要測(cè)試顯示區(qū)域的工作電路時(shí)，可以僅導(dǎo)通顯示區(qū)域的測(cè)試線路上所有斷開(kāi)點(diǎn)的兩端的導(dǎo)電接點(diǎn)，在僅需要測(cè)試周邊區(qū)域的工作電路時(shí)，可以僅導(dǎo)通周邊區(qū)域的測(cè)試線路上所有斷開(kāi)點(diǎn)的兩端的導(dǎo)電接點(diǎn)。
[0102]需要補(bǔ)充說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，通過(guò)在測(cè)試線路中的至少一條線路的中點(diǎn)處設(shè)置斷開(kāi)點(diǎn)，將測(cè)試線路中的至少一條線路分為長(zhǎng)度相等的兩條子測(cè)試線路，達(dá)到了以一個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)就較大幅度的減小測(cè)試線路產(chǎn)生的天線效應(yīng)的效果。
[0103]需要補(bǔ)充說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，通過(guò)在測(cè)試線路中的至少一條線路的兩端設(shè)置斷開(kāi)點(diǎn)，將測(cè)試線路與工作電路斷開(kāi)，達(dá)到了避免測(cè)試線路積累的電荷傳導(dǎo)至工作電路中的效果。
[0104]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，通過(guò)在形成測(cè)試線路時(shí)，在測(cè)試線路上設(shè)置至少一個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)，使斷開(kāi)點(diǎn)分割而成的子測(cè)試線路都不會(huì)過(guò)長(zhǎng)，減小了測(cè)試線路過(guò)長(zhǎng)時(shí)產(chǎn)生的天線效應(yīng)，解決了相關(guān)技術(shù)中細(xì)長(zhǎng)的測(cè)試線路容易因?yàn)樘炀€效應(yīng)而聚集較多的電荷，這些電荷可能損壞工作電路的問(wèn)題；達(dá)到了測(cè)試線路不會(huì)因?yàn)樘炀€效應(yīng)損壞工作電路的效果。
[0105]此外提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括:本發(fā)明任一實(shí)施例提供的陣列基板，例如圖1所示實(shí)施例提供的陣列基板或圖3所示實(shí)施例提供的陣列基板。
[0106]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括: 連接工作電路接口和測(cè)試接口的測(cè)試線路； 其中，所述測(cè)試線路上包含至少一個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)，所述測(cè)試線路上每個(gè)所述斷開(kāi)點(diǎn)的兩端都設(shè)置有貫通到所述陣列基板上表面的導(dǎo)電接點(diǎn)； 在對(duì)所述工作電路進(jìn)行測(cè)試時(shí)，通過(guò)導(dǎo)通所有所述斷開(kāi)點(diǎn)的兩端的導(dǎo)電接點(diǎn)能夠?qū)崿F(xiàn)所述測(cè)試線路的導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述測(cè)試線路中的至少一條線路的中點(diǎn)處設(shè)置有斷開(kāi)點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 所述測(cè)試線路中的至少一條線路的兩端設(shè)置有斷開(kāi)點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述導(dǎo)電接點(diǎn)為從所述斷開(kāi)點(diǎn)一端貫通到所述陣列基板上表面的過(guò)孔，所述過(guò)孔中設(shè)置有延伸到所述陣列基板上表面的導(dǎo)電物質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于， 每個(gè)所述斷開(kāi)點(diǎn)的兩端的導(dǎo)電接點(diǎn)之間的距離大于5微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 每個(gè)所述斷開(kāi)點(diǎn)的兩端的導(dǎo)電接點(diǎn)都能夠通過(guò)導(dǎo)電銀膠電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一所述的陣列基板，其特征在于，所述至少一個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)將所述測(cè)試線路劃分為多條子測(cè)試線路，所述多條子測(cè)試線路形成于所述陣列基板上的同一層或不同層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一所述的陣列基板，其特征在于， 所述工作電路接口包括顯示區(qū)域的工作電路接口和周邊區(qū)域的工作電路接口 ； 所述測(cè)試接口包括顯示區(qū)域的測(cè)試接口和周邊區(qū)域的測(cè)試接口； 所述測(cè)試線路包括顯示區(qū)域的測(cè)試線路和周邊區(qū)域的測(cè)試線路； 其中，所述顯示區(qū)域的測(cè)試線路連接所述顯示區(qū)域的工作電路接口和所述顯示區(qū)域的測(cè)試接口 ； 所述周邊區(qū)域的測(cè)試線路連接所述周邊區(qū)域的工作電路接口和所述周邊區(qū)域的測(cè)試接口。
9.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 在基板上形成包含至少一個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)的測(cè)試線路，所述測(cè)試線路的兩端分別連接工作電路接口和測(cè)試接口； 在所述測(cè)試線路上每個(gè)所述斷開(kāi)點(diǎn)的兩端形成貫通到所述陣列基板上表面的導(dǎo)電接占.V， 在對(duì)所述工作電路進(jìn)行測(cè)試時(shí)，通過(guò)導(dǎo)通所有所述斷開(kāi)點(diǎn)的兩端的導(dǎo)電接點(diǎn)能夠?qū)崿F(xiàn)所述測(cè)試線路的導(dǎo)通。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于， 所述測(cè)試線路中的至少一條線路的中點(diǎn)處設(shè)置有斷開(kāi)點(diǎn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于， 所述測(cè)試線路中的至少一條線路的兩端設(shè)置有斷開(kāi)點(diǎn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電接點(diǎn)為形成有導(dǎo)電物質(zhì)的過(guò)孔， 所述在所述測(cè)試線路上每個(gè)所述斷開(kāi)點(diǎn)的兩端形成貫通到所述陣列基板上表面的導(dǎo)電接點(diǎn)，包括: 在所述測(cè)試線路上每個(gè)所述斷開(kāi)點(diǎn)的兩端形成貫通到所述陣列基板上表面的過(guò)孔； 在所述過(guò)孔中形成延伸到所述陣列基板上表面的導(dǎo)電物質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于， 每個(gè)所述斷開(kāi)點(diǎn)的兩端的導(dǎo)電接點(diǎn)之間的距離大于5微米。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述測(cè)試線路上每個(gè)所述斷開(kāi)點(diǎn)的兩端形成貫通到所述陣列基板上表面的導(dǎo)電接點(diǎn)之后，所述方法還包括: 通過(guò)導(dǎo)電銀膠導(dǎo)通所有所述斷開(kāi)點(diǎn)的兩端的導(dǎo)電接點(diǎn)。
15.根據(jù)權(quán)利要求9至14任一所述的方法，其特征在于，所述在基板上形成包含至少一個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)的測(cè)試線路，包括: 在基板上形成所述包含至少一個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)的測(cè)試線路與柵極圖案； 或者，在形成有絕緣層的基板上形成所述包含至少一個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)的測(cè)試線路與源漏極圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求9至14任一所述的方法，其特征在于，所述在基板上形成包含至少一個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)的測(cè)試線路，包括: 在基板上形成第一子測(cè)試線路的圖案與柵極圖案； 在形成有所述第一子測(cè)試線路的圖案與柵極圖案的基板上形成絕緣層； 在形成有絕緣層的基板上形成第二子測(cè)試線路的圖案與源漏極圖案，所述第一子測(cè)試線路的圖案和所述第二子測(cè)試線路的圖案組成所述包含至少一個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)的所述測(cè)試線路。
17.根據(jù)權(quán)利要求9至14任一所述的方法，其特征在于， 所述工作電路接口包括顯示區(qū)域的工作電路接口和周邊區(qū)域的工作電路接口 ； 所述測(cè)試接口包括顯示區(qū)域的測(cè)試接口和周邊區(qū)域的測(cè)試接口； 所述測(cè)試線路包括顯示區(qū)域的測(cè)試線路和周邊區(qū)域的測(cè)試線路； 其中，所述顯示區(qū)域的測(cè)試線路連接所述顯示區(qū)域的工作電路接口和所述顯示區(qū)域的測(cè)試接口 ； 所述周邊區(qū)域的測(cè)試線路連接所述周邊區(qū)域的工作電路接口和所述周邊區(qū)域的測(cè)試接口。
18.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求1至8任一所述的陣列基板。
【專利摘要】本發(fā)明是關(guān)于一種陣列基板、陣列基板的制造方法和顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。該陣列基板包括：連接工作電路接口和測(cè)試接口的測(cè)試線路；測(cè)試線路上包含至少一個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)，測(cè)試線路上每個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)的兩端都設(shè)置有貫通到陣列基板上表面的導(dǎo)電接點(diǎn)；在對(duì)工作電路進(jìn)行測(cè)試時(shí)，通過(guò)導(dǎo)通所有斷開(kāi)點(diǎn)的兩端的導(dǎo)電接點(diǎn)能夠?qū)崿F(xiàn)測(cè)試線路的導(dǎo)通。本發(fā)明通過(guò)在形成測(cè)試線路時(shí)，在測(cè)試線路上設(shè)置至少一個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)，使斷開(kāi)點(diǎn)分割而成的子測(cè)試線路都不會(huì)過(guò)長(zhǎng)，減小了測(cè)試線路過(guò)長(zhǎng)時(shí)產(chǎn)生的天線效應(yīng)，解決了相關(guān)技術(shù)中細(xì)長(zhǎng)的測(cè)試線路容易因?yàn)樘炀€效應(yīng)而聚集較多的電荷，這些電荷可能損壞工作電路的問(wèn)題；達(dá)到了測(cè)試線路不會(huì)因?yàn)樘炀€效應(yīng)損壞工作電路的效果。
【IPC分類】H01L21-77, H01L27-12, H01L21-66
【公開(kāi)號(hào)】CN104701327
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510125812
【發(fā)明人】樊浩原, 辛燕霞, 楊玉清
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年6月10日
【申請(qǐng)日】2015年3月20日