[0036]本公開的技術(shù)目的不限于以上公開；基于以下描述，其它目的對于本領(lǐng)域技術(shù)人員會變得清楚。
[0037]在詳細描述和附圖中包括了其它實施例的細節(jié)。
【附圖說明】
[0038]通過附圖中所示的本公開的優(yōu)選實施例的更具體的描述，本公開的以上和其它特征和優(yōu)點將變得清楚，附圖中相同的附圖標記在不同的附圖中始終指代相同的對應(yīng)部件。附圖不一定按照比例，而是重點在于示出本公開的原理。
[0039]圖1A至圖4E是概念性地示出根據(jù)本公開的各個實施例的白色LED器件的底視圖和縱向#1]視圖。
[0040]圖5A至圖12B是用于描述根據(jù)本公開的各個實施例的制造白色LED器件的各種方法的示圖。
[0041]圖13A是概念性地示出包括根據(jù)本公開的各個實施例的白色LED器件中的至少一個的LED模塊的示圖，并且圖13B是概念性地示出包括根據(jù)本公開的各個實施例的白色LED器件中的至少一個的照明系統(tǒng)的示圖。
[0042]圖14A和圖14B示出了從白色LED器件發(fā)射的光的照射角。
【具體實施方式】
[0043]圖1A至圖4E是概念性地示出根據(jù)本公開的各個實施例的白色LED器件的底視圖和縱向尚]視圖。
[0044]圖1A是根據(jù)本公開的示例性實施例的白色LED器件的底視圖，并且圖1B是沿著圖1A的線Ι-Γ截取的縱向剖視圖。
[0045]參照圖1A和圖1B，根據(jù)本公開的示例性實施例的白色LED器件IIa可包括LED芯片20、磷光體膜40和反射側(cè)層30。
[0046]LED芯片20可產(chǎn)生藍光。例如，LED芯片20可包括藍色LED。LED芯片20可包括設(shè)置在其表面上的(+)/(_)電極21和22。電極21和22可具有從LED芯片20的下表面(或上表面)突出的多邊形臺面形狀。另外，電極21和22的表面可為平的，以與LED芯片20的下表面(或上表面)共面，或埋置在LED芯片20中以使得其表面從LED芯片20的下表面(或上表面)凹進。當(dāng)埋置電極21和22時，附圖標記21和22可指示凸塊。電極21和22可包括諸如W、Al、Cu、N1、Au、Ag等的金屬。
[0047]磷光體膜40可設(shè)置在LED芯片20的上表面上。磷光體膜40的下表面的一部分可與LED芯片20的整個上表面直接接觸。磷光體膜40可為具有基本均勻的厚度的單層膜類型或單層片材類型。磷光體膜40可包括黃色磷光體材料和基礎(chǔ)樹脂。例如，磷光體材料可包括磷光體顆?；蛄坠怏w粉末，并且基礎(chǔ)樹脂可包括硅樹脂。
[0048]在頂視圖或底視圖中，反射側(cè)層30可包圍LED芯片20的側(cè)表面。反射側(cè)層30的上表面可與磷光體膜40的下表面直接接觸。LED芯片20的上表面可為平的并且與反射側(cè)層30的上表面共面。LED芯片20的下表面和反射側(cè)層30的下表面基本可為平的。磷光體膜40的側(cè)表面和反射側(cè)層30的側(cè)表面可為平的，并且豎直地對齊以形成白色LED器件Ila的外側(cè)表面。反射側(cè)層30可包括重量比為約40:60的反射材料和基礎(chǔ)樹脂。例如，反射材料可包括白色金屬氧化物，諸如Ti02、Al2O3或ZrO 30基礎(chǔ)樹脂可包括諸如硅的透明材料。Ti02、Al2O3或ZrO 3可以顆?；蚍勰顟B(tài)存在于反射側(cè)層30或基礎(chǔ)樹脂中。
[0049]當(dāng)假設(shè)白色LED器件I Ia和LED芯片20具有立方體形狀時，白色LED器件I Ia或磷光體膜40的水平寬度Wl可為約1.25mm至1.4mm, LED芯片20的水平寬度W2可為約0.7mm至0.9mm，反射側(cè)層30的水平寬度W3可為約0.23mm至0.27mm，磷光體膜40的豎直厚度Tl可為約0.9mm至1.1mm,并且LED芯片20或反射側(cè)層30的豎直厚度T2可為約0.14mm至0.18mm。上述值是通過各種實驗優(yōu)化的，以使得白色LED器件Ila產(chǎn)生最佳白光。
[0050]在根據(jù)本公開的實施例的白色LED器件Ila中，由于通過反射側(cè)層30減少了沿著LED芯片20的橫向發(fā)射和損失的光，因此有效發(fā)光角度增大至約110°。
[0051]圖1C是根據(jù)本公開的示例性實施例的白色LED器件的底視圖，并且圖1D是沿著圖1C的ΙΙ-ΙΓ截取的縱向剖視圖。
[0052]參照圖1C和圖1D，根據(jù)本公開的示例性實施例的白色LED器件IIb可包括LED芯片20、磷光體膜40、反射側(cè)層30和設(shè)置在LED芯片20與磷光體膜40之間的緩沖層50。緩沖層50可與LED芯片20的上表面和側(cè)表面以及磷光體膜40的下表面的一部分直接接觸。緩沖層50可完全覆蓋LED芯片20的上表面，并且部分地覆蓋LED芯片20的側(cè)表面。緩沖層50可基本一致地覆蓋LED芯片20的上表面和側(cè)表面。緩沖層50可具有比磷光體膜40更好的粘附性。因此，LED芯片20和磷光體膜40可具有提高的粘附性。緩沖層50可包括硬化的硅樹脂或固化的硅膠。
[0053]參照圖1E，根據(jù)本公開的示例性實施例的白色LED器件Ilc可包括LED芯片20、磷光體膜40、反射側(cè)層30和設(shè)置在LED芯片20與磷光體膜40之間以及反射側(cè)層30與磷光體膜40之間的緩沖層50。緩沖層50可一致地介于LED芯片20的上表面與磷光體膜40的下表面之間以及反射側(cè)層30的上表面與磷光體膜40的下表面之間。緩沖層50可與LED芯片20的上表面、反射側(cè)層30的上表面和磷光體膜40的下表面直接接觸。緩沖層50可具有諸如涂敷膜的薄膜的形狀。
[0054]參照圖1F，根據(jù)本公開的示例性實施例的白色LED器件Ild可包括LED芯片20、磷光體膜40、反射側(cè)層30和設(shè)置在LED芯片20與磷光體膜40之間的緩沖層50。緩沖層50可與LED芯片20的上表面和磷光體膜40的下表面直接接觸。緩沖層50可完全覆蓋LED芯片20的上表面，并且基本不覆蓋LED芯片20的側(cè)表面。另外，緩沖層50可比LED芯片20的側(cè)表面更加向外突出。
[0055]參照圖1G，根據(jù)本公開的示例性實施例的白色LED器件Ile可包括LED芯片20、磷光體膜40、反射側(cè)層30和設(shè)置在LED芯片20與磷光體膜40之間以及反射側(cè)層30與磷光體膜40之間的緩沖層50。緩沖層50可一致地介于LED芯片20的上表面與磷光體膜40的下表面之間以及反射側(cè)層30的上表面與磷光體膜40的下表面之間。緩沖層50可與LED芯片20的上表面、反射側(cè)層30的上表面和磷光體膜40的下表面直接接觸。緩沖層50可通過鋪散、涂抹或壓印方法形成而具有預(yù)定厚度。
[0056]參照圖2A，根據(jù)本公開的示例性實施例的白色LED器件12a可包括LED芯片20、多層磷光體膜45和反射側(cè)層30。多層磷光體膜45可包括上磷光體膜46和下磷光體膜47。上磷光體膜46可直接堆疊在下磷光體膜47上。下磷光體膜47可與LED芯片20和反射側(cè)層30接觸、紙鄰或鄰近。上磷光體膜46可包括綠色磷光體材料，并且下磷光體膜47可包括紅色磷光體材料。例如，上磷光體膜46可包括綠色磷光體膜，并且下磷光體膜47可包括紅色磷光體膜。上磷光體膜46和下磷光體膜47可包括釔鋁石榴石(YAG)、硅酸鹽或硅。
[0057]參照圖2B，根據(jù)本公開的示例性實施例的白色LED器件12b可包括LED芯片20、多層磷光體膜45、反射側(cè)層30和設(shè)置在LED芯片20與多層磷光體膜45之間的緩沖層50。緩沖層50可一致地形成在LED芯片20的上表面和側(cè)表面上。緩沖層50可與LED芯片20的上表面和側(cè)表面以及下磷光體膜47的下表面的一部分直接接觸。
[0058]參照圖2C，根據(jù)本公開的示例性實施例的白色LED器件12c可包括LED芯片20、多層磷光體膜45、反射側(cè)層30和設(shè)置在LED芯片20與多層磷光體膜45之間以及反射側(cè)層30與多層磷光體膜45之間的緩沖層50。緩沖層50可一致地介于LED芯片20的上表面與下磷光體膜47的下表面之間以及反射側(cè)層30的上表面與下磷光體膜47的下表面之間。緩沖層50可與LED芯片20的上表面、反射側(cè)層30的上表面和下磷光體膜47的下表面直接接觸。緩沖層50可具有諸如涂敷膜的薄膜形狀。
[0059]參照圖2D，根據(jù)本公開的示例性實施例的白色LED器件12d可包括LED芯片20、多層磷光體膜45、反射側(cè)層30和設(shè)置在LED芯片20與多層磷光體膜45之間的緩沖層50。緩沖層50可與LED芯片20的上表面和下磷光體膜47的下表面直接接觸。
[0060]參照圖2E，根據(jù)本公開的示例性實施例的白色LED器件12e可包括LED芯片20、多層磷光體膜45、反射側(cè)層30和設(shè)置在LED芯片20與多層磷光體膜45之間以及反射側(cè)層30與多層磷光體膜45之間的緩沖層50。緩沖層50可具有合適的保形厚度。
[0061]參照圖3A，根據(jù)本公開的示例性實施例的白色LED器件13a可包括LED芯片20、磷光體膜40和磷光體側(cè)層60。在頂視圖或底視圖中，磷光體側(cè)層60可包圍LED芯片20的側(cè)表面。磷光體側(cè)層60的上表面可與磷光體膜40的下表面直接接觸。LED芯片20的上表面和磷光體側(cè)層60的上表面可為平的并且共面。LED芯片20的下表面和磷光體側(cè)層60的下表面基本可為平的。磷光體膜40的側(cè)表面和磷光體側(cè)層60的側(cè)表面可為平的并且豎直地對齊。磷光體側(cè)層60可包括與磷光體膜40相同的材料。當(dāng)磷光體側(cè)層60和磷光體膜40包括相同的材料時，它們之間的分界可消失。
[0062]磷光體側(cè)層60的豎直厚度T3可與反射側(cè)層30基本相等。
[0063]在根據(jù)本公開的實施例的白色LED器件12a中，由于沿著LED芯片20的橫向發(fā)射和損失的光通過磷光體側(cè)層60用作有效光，因此有效發(fā)光角度提高至約130°。
[0064]參照