；
[0029] 所述的正極極片與負(fù)極極片的距離為Icm~IOcm ;所述的電解液為H2S04、CuS04、 (NH4) 2S04及蒸餾水的混合液，所述的電解液中H2SO4濃度為1.0 mol/L~3. Omol/L，所述的電 解液中CuSO4濃度為0. lmol/L~1.0 mol/L，所述的電解液中（順4)#04的濃度為0.0 lmol/ L ~0· lmol/L ;
[0030] 二、電極的清洗處理：將高純銀絲分別用乙醇與超純水在超聲清洗器中清洗，干 燥，得到清洗后的高純銀絲，將高純鉑環(huán)先置于質(zhì)量百分含量為95%~99%的濃硫酸中， 浸泡IOh~24h，然后再將高純鉑環(huán)置于體積比為I: (1~5)的雙氧水與高純水的混合液 中，在溫度為l〇〇°C~300°C下加熱IOmin~60min，最后將高純鉬環(huán)置于超純水中，在溫度 為100°C~400°C下加熱20min~60min，干燥，得到清洗后的高純鉬環(huán)；
[0031] 所述的雙氧水的質(zhì)量百分含量為10%~50% ;
[0032] 三、電解槽的清洗處理：將電解槽置于體積比為I: (1~4)的雙氧水與高純水的混 合液中，在溫度為300°C~500°C下加熱30min~60min，再將電解槽置于超純水中，在溫度 為200°C~300°C下加熱20min~60min，干燥，得到清洗后的電解槽；
[0033] 所述的雙氧水的質(zhì)量百分含量為30%~70% ;
[0034] 四、離子液體電沉積：將6冗14溶解在離子液體1-乙基-3-甲基咪唑雙三氟硫酰 亞銨鹽中，得到沉積液，以多孔狀金屬銅箔為工作電極，以清洗后的高純銀絲為參比電極， 以清洗后的高純鉑環(huán)為對(duì)比電極，將工作電極、參比電極及對(duì)比電極放入沉積液中，然后將 電解槽與電化學(xué)工作站相連接，利用電化學(xué)工作站，以掃描速度為lmV/s~10mV/ S及掃描 電壓范圍為-3V~-0.0 lV對(duì)沉積液進(jìn)行循環(huán)伏安掃描后，得到還原電位U V，再以直流電 源為電源在清洗后的電解槽兩端外加（U-0. 1)V~（U+0. 1)V的電壓，并在電壓為（U-0. 1) V~（U+0.1 ) V下電沉積Imin以上，得到多孔鍺粗品，將多孔鍺粗品用異丙醇清洗，干燥，得 到清洗后的多孔鍺粗品，再將清洗后的多孔鍺粗品置于管式爐中，于N 2氣氛下，以升溫速率 為5°C /s~20°C /s加熱到400°C~800°C，在400°C~800°C下加熱Ih~20h，再以降溫速 度為5°C /s~20°C /s退火至室溫，得到利用離子液體電沉積制備的多孔鍺；
[0035] 所述的沉積液中Ge4+的濃度為0· 05mol/L~0· ImoVL0
[0036] 本【具體實(shí)施方式】中，步驟一中所述的直流電源為高速高精度直流可編程電源；
[0037] 本【具體實(shí)施方式】中，步驟四中多孔鍺的制備在無氧無水環(huán)境中進(jìn)行；
[0038] 本【具體實(shí)施方式】銅箔的制備采用氫氣泡沫法法制備獲得，制備的銅箔能夠很好與 離子液體浸濕，有利于離子液體在此銅箔上電沉積均勻致密的鍺膜，提高鍺與銅箔的結(jié)合 力。
[0039] 本實(shí)施方式與傳統(tǒng)的水系電鍍相比，離子液體電沉積由于是純離子，能夠提高導(dǎo) 電性而有利于半導(dǎo)體鍺的沉積，沉積的鍺膜均勻致密，機(jī)械性能較好，另外離子液體本身一 般為中性，在電鍍過程中能夠避免強(qiáng)酸堿性對(duì)銅箔集流體的腐蝕而進(jìn)一步提高鍺與集流體 之間的結(jié)合力。
[0040] 本實(shí)施方式的有益效果是：1、本實(shí)施方式采用氫氣泡沫法獲得具有獨(dú)特的微觀結(jié) 構(gòu)、極大的表面積、且孔徑大小均勻的多孔狀金屬銅，通過在多孔狀金屬銅上電沉積鍺，這 樣制備出來的鍺由于銅箔較高的比表面積而增加了銅箔與鍺之間的結(jié)合力，減少了鍺在銅 箔上的脫落。
[0041] 2、制備鍺的過程中，由于離子液體的高導(dǎo)電性以及離子液體的特殊性質(zhì)，減少了 銅箔的腐蝕和氧化，所制備出的鍺與銅箔的結(jié)合力進(jìn)一步增強(qiáng)，防止了鍺在充放電過程中 的脫落與損失。
[0042] 3、采用離子液體電沉積在室溫下制備出多孔鍺材料，此方法綠色低溫環(huán)保，制備 工藝簡(jiǎn)單，制備周期短，成本低，重復(fù)性極佳，制備出的鍺為多孔狀，能夠?yàn)殒N在充放電過程 中的膨脹很好地提供暖沖空間，減少了鍺負(fù)極材料的損失，從而提高了鍺的利用率，進(jìn)而提 高了鍺作為鋰離子電池充放電性能。
[0043] 4、鍺的制備采用三電極體系，并采用特定電解池與離子液體配置制備而成。
[0044] 5、制備的多孔鍺經(jīng)過退火處理后，細(xì)化了鍺晶粒，消除了鍺組織缺陷，進(jìn)一步提高 了鍺負(fù)極材料的機(jī)械性能，從而提高了鍺的穩(wěn)定性。
【具體實(shí)施方式】 [0045] 二：本實(shí)施方式與一不同的是：步驟一中設(shè)置直流電 源的電壓為20V，電流為5A。其它與一相同。
【具體實(shí)施方式】 [0046] 三：本實(shí)施方式與一或二之一不同的是：步驟一中所 述的正極極片與負(fù)極極片的距離為8cm。其它與一或二相同。
[0047]
【具體實(shí)施方式】四：本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一至三之一不同的是：步驟二中然 后再將高純鉑環(huán)置于體積比為1:1的雙氧水與高純水的混合液中。其它與【具體實(shí)施方式】一 至三相同。
【具體實(shí)施方式】 [0048] 五：本實(shí)施方式與一至四之一不同的是：步驟三中將 電解槽置于體積比為1:2的雙氧水與高純水的混合液中。其它與一至四相 同。
【具體實(shí)施方式】 [0049] 六：本實(shí)施方式與一至五之一不同的是：步驟四中所 述的沉積液中Ge 4+的濃度為0. 05mol/L。其它與一至五相同。
[0050]
【具體實(shí)施方式】七：本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一至六之一不同的是：步驟四中以 升溫速率為l〇°C /min加熱到800°C，在800°C下加熱20h。其它與【具體實(shí)施方式】一至六相 同。
【具體實(shí)施方式】 [0051] 八：本實(shí)施方式與一至七之一不同的是：步驟四中再 以降溫速度為5°C /min退火至室溫。其它與一至七相同。
【具體實(shí)施方式】 [0052] 九：本實(shí)施方式與一至八之一不同的是：步驟四中再 以直流電源為電源在清洗后的電解槽兩端外加-I. 5V的電壓，并在電壓為-I. 5V下電沉積 90min，得到多孔鍺粗品。其它與一至八相同。
【具體實(shí)施方式】 [0053] 十：本實(shí)施方式與一至九之一不同的是：步驟四中所 述的沉積液中Ge 4+的濃度為0. lmol/L。其它與一至九相同。
[0054] 采用以下實(shí)施例驗(yàn)證本發(fā)明的有益效果：
[0055] 實(shí)施例：
[0056] 本實(shí)施例所述的一種利用離子液體電沉積制備多孔鍺的方法，具體是按照以下步 驟進(jìn)行的：
[0057] -、氫氣泡沫法：將鎳片和純銅片打磨至平整光滑，去除雜質(zhì)以及表面氧化層，得 到打磨后的鎳片和打磨后的純銅片，將打磨后的鎳片與直流電源的負(fù)極相連，得到負(fù)極極 片，將打磨后的純銅片與直流電源的正極相連，得到正極極片，然后將正極極片與負(fù)極極片 置于電解液中，設(shè)置直流電源的電壓為20V，電流為5A，反應(yīng)5s，得到多孔狀金屬銅箔；
[0058] 所述的正極極片與負(fù)極極片的距離為8cm ;所述的電解液SH2S04、CuS04、（NH4) 2SO4 及蒸餾水的混合液，所述的電解液中H2SO4濃度為1.0 mol/L，所述的電解液中CuSO4濃度為 0· 5mol/L，所述的電解液中（NH4)2SO4的濃度為0· 02mol/L ;
[0059] 二、電極的清洗處理：將高純銀絲分別用乙醇與超純水在超聲清洗器中清洗，干 燥，得到清洗后的高純銀絲，將高純鉑環(huán)先置于質(zhì)量百分含量為95%的濃硫酸中，浸泡 12h，然后將高純鉑環(huán)置于體積比為1:1的雙氧水與高純水的