制造半導(dǎo)體封裝基板的方法及用其制造的半導(dǎo)體封裝基板的制作方法
【專利說明】制造半導(dǎo)體封裝基板的方法及用其制造的半導(dǎo)體封裝基板
[0001]本申請要求于2014年I月3日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2014-0000832號韓國專利申請以及于2014年I月3日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2014-0000833號韓國專利申請的權(quán)益，上述韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明的一個或更多個實施例涉及一種制造半導(dǎo)體封裝基板的方法以及一種使用該方法制造的半導(dǎo)體封裝基板，更具體地，涉及一種制造具有簡化的工藝并且解決了上圖案和下圖案對準問題的半導(dǎo)體封裝基板的方法，以及一種使用該方法制造的半導(dǎo)體封裝基板。
【背景技術(shù)】
[0003]半導(dǎo)體器件通過被封裝在半導(dǎo)體封裝基板中來使用。封裝有半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體封裝基板具有精細電路圖案和/或I/o端子。隨著對半導(dǎo)體器件的高性能和/或高集成度以及使用半導(dǎo)體器件的電子器件的小型化和/或高性能的追求，半導(dǎo)體封裝基板的精細電路圖案具有比在現(xiàn)有技術(shù)中相關(guān)的半導(dǎo)體封裝基板中的電路圖案薄的線寬和高的復(fù)雜度。
[0004]在制造現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體封裝基板時，使用累積銅箔的覆銅箔層壓板(CCL)來形成通孔，并鍍覆通孔的內(nèi)表面使得上表面銅箔和下表面銅箔電連接。然后，使用光致抗蝕劑來將上表面銅箔和下表面銅箔圖案化，由此制造半導(dǎo)體封裝基板。然而，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體封裝基板制造方法，制造工藝變得復(fù)雜并且降低了精度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的一個或更多個實施例包括一種簡化了工藝并且解決了上圖案和下圖案的對準問題的制造半導(dǎo)體封裝基板的方法，以及一種使用該方法制造的半導(dǎo)體封裝基板。
[0006]另外的方面將在下面的描述中被部分地闡述，并且通過該描述部分地將是明顯的，或者可以通過提供的實施例的實踐來得知。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個實施例，一種制造半導(dǎo)體封裝基板的方法包括下述步驟:在導(dǎo)電材料的基體基板的一個表面中形成第一凹槽；用樹脂填充第一凹槽；以及蝕刻基體基板的另一表面以暴露填充第一凹槽的樹脂。
[0008]在蝕刻基體基板的另一表面的步驟中，可蝕刻基體基板的所述另一表面的整個表面。在蝕刻基體基板的另一表面的步驟中，可蝕刻基體基板的所述另一表面，使得基體基板的保留在基體基板的所述一個表面中的部分的圖案與基體基板的在基體基板的所述另一表面中的部分的圖案對應(yīng)。
[0009]所述方法還可包括在基體基板的所述另一表面中形成第二凹槽。
[0010]在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步驟中，第一凹槽的寬度和第二凹槽的寬度可形成為彼此不同。
[0011]在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步驟中，可形成第一凹槽和第二凹槽使得第一凹槽的寬度大于第二凹槽的寬度。
[0012]在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步驟中，第一凹槽和第二凹槽可形成為彼此對應(yīng)。
[0013]在蝕刻基體基板的另一表面的步驟中，可蝕刻基體基板的所述另一表面的整個表面。在蝕刻基體基板的另一表面的步驟中，可蝕刻基體基板的所述另一表面，使得基體基板的保留在基體基板的所述一個表面中的部分的圖案與基體基板的保留在基體基板的所述另一表面中的部分的圖案對應(yīng)。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個實施例，通過制造半導(dǎo)體封裝基板的方法來制造半導(dǎo)體封裝基板，制造半導(dǎo)體封裝基板的方法包括下述步驟:在導(dǎo)電材料的基體基板的一個表面中形成第一凹槽；用樹脂填充第一凹槽；以及蝕刻基體基板的另一表面以暴露填充第一凹槽的樹脂。
【附圖說明】
[0015]通過下面結(jié)合附圖對實施例進行的描述，這些和/或其他方面將變得明顯且更容易理解，在附圖中:
[0016]圖1至圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造半導(dǎo)體封裝基板的方法的工藝的剖視圖；
[0017]圖6是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的通過制造半導(dǎo)體封裝基板的方法制造的半導(dǎo)體封裝基板的一部分的剖視圖；
[0018]圖7至圖11是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的制造半導(dǎo)體封裝基板的方法的工藝的剖視圖；
[0019]圖12和圖13是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的制造半導(dǎo)體封裝基板的方法的工藝的剖視圖；以及
[0020]圖14是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的通過制造半導(dǎo)體封裝基板的方法制造的半導(dǎo)體封裝基板的一部分的剖視圖。
【具體實施方式】
[0021]現(xiàn)在將詳細參照實施例，在附圖中示出了實施例的示例，在附圖中，同樣的附圖標記始終表示同樣的元件。在這點上，本實施例可具有不同形式且不應(yīng)該被解釋為局限于在這里闡明的描述。因此，僅在下面通過參照附圖來描述實施例以解釋本描述的方面。
[0022]在下面的描述中，還將理解的是，當層被稱為“在”另一層或基板“上”時，該層可直接在另一層或基板上，或者還可存在中間層。另外，為了便于解釋和清楚，可夸大在附圖中示出的每個層的厚度或尺寸。
[0023]如在這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)列出項的任意和所有的組入口 ο
[0024]圖1至圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造半導(dǎo)體封裝基板的方法的工藝的剖視圖。按照如圖1中所示的根據(jù)本實施例的制造半導(dǎo)體封裝基板的方法，準備由導(dǎo)電材料形成的基體基板10?；w基板10可為板形并且可包括電傳導(dǎo)材料。電傳導(dǎo)材料可包括例如 Fe、諸如 Fe-N1、Fe-N1-Co 等的 Fe 合金、Cu 或諸如 Cu-Sn、Cu-Zr、Cu-Fe、Cu-Zn等的Cu合金。
[0025]基體基板10可包括在一側(cè)上的一個表面1a和在相對側(cè)上的另一表面10b。在準備好導(dǎo)電材料的基體基板10之后，如圖2中所示，在一個表面1a中形成第一凹槽或溝槽10c。第一凹槽或溝槽1c未完全穿透基體基板10。盡管在圖1的剖視圖中未示出，但基體基板10的一個表面1a的除了第一凹槽或溝槽1c之外的部分可理解為沿一個方向延伸的布線圖案或在俯視圖上的曲徑(meander)。
[0026]為了形成如上的第一凹槽或溝槽10c，將感光材料的干膜抗蝕劑(DFR)層壓到基體基板10的一個表面1a上，通過曝光工藝和顯影工藝來僅使基體基板10的將要形成第一凹槽或溝槽1c的部分暴露。由于曝光工藝和顯影工藝，基體基板10的一個表面1a的一部分不再由DFR覆蓋。然后，使用諸如氯化銅或氯化鐵的蝕刻劑來蝕刻基體基板10的一個表面1a的不再由DFR覆蓋的部分。因此，如圖2中所示，可在一個表面1a中形成第一凹槽或溝槽10c，使得第一凹槽或溝槽1c不穿透基體基板10。
[0027]保留在基體基板10的一個表面1a上且未被去除的部分(即，除了第一凹槽或溝槽1c以外的部分)可隨后用作布線圖案。因此，當在基體基板10的一個表面1a中形成第一凹槽或溝槽1c時，保留在鄰近的凹槽或溝槽之間的部分的寬度可等于典型的布線圖案的寬度，例如，大約20 μ m至大約30 μ m。
[0028]當在基體基板10的一個表面1a