溝槽1d的深度的總和小于基體基板10的厚度的大約80%至大約90%時，在總蝕刻基體基板10的另一表面1b期間，蝕刻相當大量的基體基板10的另一表面1b以暴露樹脂20。如果相當大量的基體基板10的另一表面1b被蝕刻，則制造時間增長而且也會損壞已經(jīng)圖案化的基體基板10的第一凹槽或溝槽1c和/或第二凹槽或溝槽10d。因此，第一凹槽或溝槽1c的深度與第二凹槽或溝槽1d的深度的總和不可小于基體基板10的厚度的大約80%至大約 90%。
[0058]在用樹脂填充第一凹槽或溝槽1c之前，在形成第一凹槽或溝槽1c與第二凹槽或溝槽1d的步驟中，第一凹槽或溝槽1c的寬度Wl可大于第二凹槽或溝槽1d的寬度w2o因此，如圖11中所示，通過用樹脂20來填充基體基板10中的大的空的空間，當完成半導體封裝基板時，減小了半導體封裝基板中的空的空間的比例，從而可提高半導體封裝基板的機械強度或耐久性。
[0059]必要時還可提供附加工藝。例如，通過使用Au或Pd來鍍覆基體基板10的保留部分的至少一部分，或者可以對基體基板10的保留部分的至少一部分執(zhí)行OSP涂覆。這是為了增大基體基板10的保留部分的焊接粘合強度。
[0060]在如上制造的半導體封裝基板中，如圖11中所示，保留在基體基板10的一個表面1a上的鄰近樹脂20之間的部分的布線圖案12與保留在基體基板10的另一表面1b上的鄰近樹脂20之間的部分的布線圖案14可彼此對應。然而，本發(fā)明不限于此。例如，如作為示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的制造半導體封裝基板的方法的工藝的剖視圖的圖12和圖13所示，保留在基體基板10的一個表面1a上的鄰近的樹脂20之間的部分的布線圖案12的至少一部分與保留在基體基板10的另一表面1b上的鄰近的樹脂20之間的部分的布線圖案14的至少一部分可彼此不對應。
[0061]換言之，如圖12中所示，在基體基板10的一個表面1a上的第一凹槽或溝槽1c的至少一部分與基體板10的另一表面1b上的第二凹槽或溝槽1d的至少一部分形成為彼此不對應之后，用樹脂20填充基體基板10的第一凹槽或溝槽1c并且蝕刻基體基板10的另一表面10b，使得如圖13中所示地暴露樹脂20。在這一點上，保留在基體基板10的一個表面1a上的鄰近的樹脂20之間的部分的布線圖案12的至少一部分與保留在基體基板10的另一表面1b上的鄰近的樹脂20之間的部分的布線圖案14的至少一部分可彼此不對應。按照根據(jù)本實施例的制造半導體封裝基板的方法，可簡化制造工藝并且可以以各種方式來制作上圖案和下圖案的形狀。
[0062]圖14是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的通過制造半導體封裝基板的方法制造的半導體封裝基板的一部分的剖視圖。如圖14中所示，在基體基板10的一個表面中，基體基板10的所述一個表面的保留部分(即，球占據(jù)表面)可比樹脂20的外表面更突出。因此，當隨后將焊球附著到基體基板10的所述一個表面的保留部分時，焊球與基體基板10的所述一個表面的保留部分可彼此穩(wěn)固地附著。
[0063]為此，可使用硫酸基蝕刻劑。換句話說，當通過使用硫酸基蝕刻劑來去除樹脂20的外表面的一部分時，基體基板10的所述一個表面的保留部分可在基體基板10的所述一個表面上的樹脂20的外表面上方突出。如此，可在蝕刻基體基板10的另一表面1b之前執(zhí)行通過使用硫酸基蝕刻劑來去除樹脂20的外表面的一部分的步驟。在上述工藝中，當在蝕刻基體基板10的另一表面1b以暴露填充第一凹槽或溝槽1c的樹脂20之后去除樹脂20的外表面的在基體基板10的一個表面1a上的部分時，會損壞基體基板10的另一表面1b的圖案化或者會去除樹脂20的在另一表面1b上的外表面。
[0064]盡管上面描述了制造半導體封裝基板的方法，但本發(fā)明不限于此。例如，通過使用上述方法制造的半導體封裝基板可屬于本發(fā)明的范圍。
[0065]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個的上述實施例，可實現(xiàn)簡化了工藝且解決了上圖案和下圖案對準問題的制造半導體封裝基板的方法，以及通過使用該方法制造的半導體封裝基板。然而，所述效果不限制本發(fā)明的范圍。
[0066]應該理解的是，在這里描述的示例性實施例應該僅以描述性的意義來考慮，而不是出于限制的目的。對每個實施例中的特征或方面的描述通常應該被認為可用于在其他實施例中的其他相似特征或方面。
[0067]雖然已經(jīng)參照附圖描述了本發(fā)明的一個或更多個實施例，但本領域的普通技術人員將理解的是，在不脫離由權利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在這里做出形式和細節(jié)上的各種改變。
【主權項】
1.一種制造半導體封裝基板的方法，所述方法包括下述步驟: 在導電材料的基體基板的一個表面中形成第一凹槽； 用樹脂填充第一凹槽；以及 蝕刻基體基板的另一表面以暴露填充第一凹槽的樹脂。
2.如權利要求1所述的方法，其中，在蝕刻基體基板的另一表面的步驟中，蝕刻基體基板的所述另一表面的整個表面。
3.如權利要求2所述的方法，其中，在蝕刻基體基板的另一表面的步驟中，蝕刻基體基板的所述另一表面使得基體基板的保留在基體基板的所述一個表面中的部分的圖案與基體基板的在基體基板的所述另一表面中的部分的圖案對應。
4.如權利要求1所述的方法，所述方法還包括在基體基板的所述另一表面中形成第二凹槽。
5.如權利要求4所述的方法，其中，在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步驟中，第一凹槽的寬度和第二凹槽的寬度形成為彼此不同。
6.如權利要求5所述的方法，其中，在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步驟中，形成第一凹槽和第二凹槽使得第一凹槽的寬度大于第二凹槽的寬度。
7.如權利要求5所述的方法，其中，在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步驟中，第一凹槽和第二凹槽形成為彼此對應。
8.如權利要求4所述的方法，其中，在蝕刻基體基板的另一表面的步驟中，蝕刻基體基板的所述另一表面的整個表面。
9.如權利要求8所述的方法，其中，在蝕刻基體基板的另一表面的步驟中，蝕刻基體基板的所述另一表面使得基體基板的保留在基體基板的所述一個表面中的部分的圖案與基體基板的保留在基體基板的所述另一表面中的部分的圖案對應。
10.一種半導體封裝基板，所述半導體封裝基板通過如權利要求1所述的方法來制造。
【專利摘要】提供了一種制造半導體封裝基板的方法及用其制造的半導體封裝基板，所述方法具有簡化的工藝并解決了上圖案和下圖案對準問題。半導體封裝基板通過所述方法來制造。制造半導體封裝基板的方法包括如下步驟：在導電材料的基體基板的一個表面中形成第一凹槽；用樹脂填充第一凹槽；以及蝕刻基體基板的另一表面以暴露填充第一凹槽的樹脂。
【IPC分類】H01L23-12, H01L21-48
【公開號】CN104766832
【申請?zhí)枴緾N201510002256
【發(fā)明人】姜圣日, 裴仁燮, 秦敏碩
【申請人】海成帝愛斯株式會社
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2015年1月4日
【公告號】US20150194323