0098] 另外，本發(fā)明被有意義地應用于以使用特別要求脫模薄膜1的表面的平滑性的、 厚度薄的陶瓷生片（特別厚度為〇. 5ym~2ym的陶瓷生片）來形成的層疊陶瓷電容器等 為代表的層疊陶瓷電子部件。
[0099] 在使用本發(fā)明的脫模薄膜1來制作陶瓷生片的情況下，通過利用絲網(wǎng)印刷、噴涂 或者模壓噴涂等方法，將陶瓷漿料涂敷在上述脫模薄膜1的表面，從而能夠得到良好的陶 瓷生片。另外，優(yōu)選上述陶瓷漿料中包含樹脂成分。此外，作為溶劑，優(yōu)選使用有機溶劑、水 等。
[0100] 作為使用本發(fā)明的脫模薄膜1來制作陶瓷生片的情況下使用的材料，除了陶瓷材 料，也可以包含Si、玻璃成分等燒成助劑等。作為燒成助劑的玻璃成分的具體例，舉例有： 包含堿金屬成分、堿土金屬成分的硅酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃等。
[0101] 陶瓷材料的種類能夠根據(jù)層疊型陶瓷電子部件所要求的功能等來適當?shù)剡x擇。例 如，在要制造的層疊型陶瓷電子部件是層疊陶瓷電容器的情況下，使用電介質(zhì)陶瓷。作為電 介質(zhì)陶瓷的具體例，舉例有例如：BaTi03、CaTi03、SrTi03、〇821〇3等。也可以向電介質(zhì)陶瓷 適當?shù)靥砑永纾篗n化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等副成分。
[0102] 此外，在層疊型陶瓷電子部件是陶瓷壓電元件的情況下，壓電陶瓷，例如PZT(鋯 鈦酸鉛）系陶瓷等被使用。
[0103] 此外，在層疊型陶瓷電子部件是熱敏電阻元件的情況下，半導體陶瓷，例如尖晶石 系陶瓷等被使用。
[0104] 此外，在層疊型陶瓷電子部件是電感元件的情況下，磁性體陶瓷，例如鐵氧體陶瓷 等被使用。
[0105] [實施例]
[0106] 在本實施例中，通過以下的方法來制造層疊陶瓷電容器，并調(diào)查了內(nèi)部電極層的 短路故障的產(chǎn)生率。在本實施例中，作為基材薄膜10,準備了聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET) 薄膜。
[0107] 然后，對應于基材薄膜10的表面的突起部11的高度H以及凹部12的深度D，使在 基材薄膜10的表面涂敷、形成的脫模層的厚度變化，來制作了脫模薄膜（載體薄膜）1。
[0108] 然后，在制作出的脫模薄膜（載體薄膜）的、應被涂敷陶瓷漿料的表面，即脫模層 的表面（涂敷面），涂敷以鈦酸鋇系陶瓷粉體為主原料的陶瓷漿料，并通過干燥來形成陶瓷 生片。另外，在脫模薄膜的表面涂敷陶瓷漿料時，按照燒成后的陶瓷層的平均厚度為1.5nm 的方式來進行涂敷。所謂"燒成后的陶瓷層的平均厚度為1. 5nm"，是指構成陶瓷燒結(jié)體（層 疊陶瓷電容器主體）的陶瓷層的平均厚度為1.5nm，其中，該陶瓷燒結(jié)體是通過對經(jīng)由層 疊、壓接被制成的陶瓷生片的工序而形成的層疊體進行燒成來得到的。
[0109] 接下來，在形成的陶瓷生片上，印刷并干燥用于形成內(nèi)部電極層的Ni糊膏之后， 卷繞脫模薄膜。
[0110] 然后，通過拉開卷繞的脫模薄膜，將印刷有Ni糊膏的陶瓷生片從脫模薄膜剝離， 并層疊、壓接400張，從而得到層疊構造體。另外，具體來將，層疊構造體是在上下兩主面?zhèn)?未印刷Ni糊膏的外層用陶瓷生片被層疊的構造。
[0111] 之后，通過將該層疊構造體切斷為各個芯片（層疊體）并進行燒成，從而得到成為 層疊陶瓷電容器主體的陶瓷燒結(jié)體。
[0112] 接下來，通過在陶瓷燒結(jié)體涂敷并燒成外部電極形成用的導電糊膏，從而形成外 部電極。由此，制作出具有圖3所示的構造的層疊陶瓷電容器50。
[0113] 之后，針對制作出的層疊陶瓷電容器，調(diào)查了內(nèi)部電極層的短路故障的產(chǎn)生率。
[0114] 短路故障的評價是使用（株）ADVANTEST的UltraHighResistanceMeter R8340A，通過在6. 3V、1分鐘的條件下測量絕緣電阻來進行的，在絕緣電阻（IR)為logIR < 6的情況下判斷為故障。另外，在本評價中，將樣本數(shù)設為300個。
[0115] 短路故障率通過下述的式（1)來求出。短路故障率（％ )=(產(chǎn)生了短路故障的 試料數(shù)/300)X100
[0116] 表1中表示基材薄膜的表面的突起部11的高度H以及脫模層的厚度T1與短路故 障率的關系。這里，如圖1所示，突起部11的高度H是從基材薄膜的突起部11的頂端起至 突起部11的根部為止的、沿著與脫模層的表面正交的方向X的方向上的尺寸。
[0117] 此外，如圖1所示，脫模層的厚度T1所示從脫模層20的表面起至基材薄膜10的 突起部11的根部為止的、沿著與脫模層20的表面正交的方向X的方向上的尺寸。具體來 講，脫模層的厚度T1是在方向X上連接基材薄膜10的突起部11的根部至脫模層20的表 面的線段的長度。
[0118] 另外，表1中的突起部11的高度H以及脫模層20的厚度T1是通過以日本工業(yè)標 準（JIS)B0601來規(guī)定的方法求出的。
[0119][表 1]
【主權項】
1. 一種脫模薄膜，具備： 基材薄膜，其在表面具有多個突起部；和 脫模層，其覆蓋所述基材薄膜的表面， 所述脫模層的厚度Tl比所述突起部的高度H大，其中所述脫模層的厚度為從所述脫模 層的表面起至所述基材薄膜的所述突起部的根部為止的、沿著與所述脫模層的表面正交的 方向X的方向上的尺寸，所述突起部的高度為從所述基材薄膜的所述突起部的頂端起至所 述突起部的根部為止的沿著所述方向X的方向上的尺寸。
2. 根據(jù)權利要求1所述的脫模薄膜，其特征在于， 所述基材薄膜中包含填充物，并且，所述填充物在基材薄膜的厚度方向上均勻分布。
3. 根據(jù)權利要求1或者2所述的脫模薄膜，其特征在于， 所述脫模層的厚度Tl比所述突起部的高度H大96nm以上。
4. 根據(jù)權利要求1~3的任意一項所述的脫模薄膜，其特征在于， 所述脫模層的表面粗糙度比所述基材薄膜的表面粗糙度小。
5. 根據(jù)權利要求1~4的任意一項所述的脫模薄膜，其特征在于， 在所述脫模層的表面具備多個脫模層突起部，所述脫模層突起部的高度H2比所述基 材薄膜的所述突起部的高度H小，其中所述脫模層突起部的高度為從所述脫模層突起部的 頂端起至所述脫模層突起部的根部為止的、沿著所述方向X的方向上的尺寸。
6. -種脫模薄膜，具備： 基材薄膜，其在表面具有多個凹部；和 脫模層，其覆蓋所述基材薄膜的表面， 所述脫模層的厚度T2比所述凹部的深度D大，其中所述脫模層的厚度為從所述脫模層 的表面起至所述基材薄膜的所述凹部的底面為止的、沿著與所述脫模層的表面正交的方向 X的方向上的尺寸，所述凹部的深度為從所述基材薄膜的表面起至所述凹部的底面為止的、 沿著所述方向X的方向上的尺寸。
7. 根據(jù)權利要求6所述的脫模薄膜，其特征在于， 所述基材薄膜中包含填充物，并且，所述填充物在基材薄膜的厚度方向上均勻分布。
8. 根據(jù)權利要求6或者7所述的脫模薄膜，其特征在于， 所述脫模層的厚度T2比所述凹部的深度D大50nm以上。
9. 根據(jù)權利要求6~8的任意一項所述的脫模薄膜，其特征在于， 所述脫模層的表面粗糙度比所述基材薄膜的表面粗糙度小。
10. 根據(jù)權利要求6~9的任意一項所述的脫模薄膜，其特征在于， 在所述脫模層的表面具有多個脫模層凹部，所述脫模層凹部的深度D2比所述基材薄 膜的所述凹部的深度D小，其中所述脫模層凹部的深度為從所述脫模層的表面起至所述脫 模層凹部的底面為止的、沿著所述方向X的方向上的尺寸。
11. 一種層疊陶瓷電子部件的制造方法，具備： 在權利要求1~10的任意一項所述的脫模薄膜上涂敷陶瓷漿料，來形成厚度為〇. 5~ 2μπι的陶瓷生片的工序； 形成具有所述陶瓷生片與內(nèi)部電極層層疊而成的構造的層疊體的工序；和 燒成所述層疊體,來形成陶瓷燒結(jié)體的工序。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種在不使用減少了填充物、異物的特殊的基材薄膜(例如PET薄膜等)的情況下，能夠制造不存在厚度薄的部分、貫通孔的高質(zhì)量的陶瓷生片的脫模薄膜(載體薄膜)以及使用了其的可靠性高的層疊陶瓷電子部件的制造方法。脫模薄膜具備：在表面具有多個突起部的基材薄膜、和覆蓋其表面的脫模層，使從脫模層的表面起至基材薄膜的突起部的根部為止的尺寸即脫模層的厚度T1比從基材薄膜的突起部的頂端起至突起部的根部為止的沿著方向X的方向上的尺寸即突起部的高度H大。此外，脫模薄膜具備：在表面具有多個凹部的基材薄膜、和覆蓋其表面的脫模層，使從脫模層的表面起至基材薄膜的凹部的底面為止的尺寸即脫模層T2的厚度比凹部的深度D大。
【IPC分類】H01G4-30, H01G4-12, H01G4-002
【公開號】CN104835644
【申請?zhí)枴緾N201510055944
【發(fā)明人】堀裕之, 福井大介
【申請人】株式會社村田制作所
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年2月3日