B和圖4中所示的RDL 114類似的方式形成導(dǎo)電層290。圖1lF是導(dǎo)電層290的一部分的平面圖，導(dǎo)電層290包括第一通孔捕獲焊盤292、跡線294和第二通孔捕獲焊盤296。第一通孔捕獲焊盤292類似于第一通孔捕獲焊盤118，并且布置在絕緣層280和導(dǎo)電通孔288上方。導(dǎo)電層290也包括類似于跡線部分122的跡線294，跡線294形成在絕緣層280上方并且從第一通孔捕獲焊盤292延伸到第二通孔捕獲焊盤296，第二通孔捕獲焊盤296類似于UBM通孔捕獲焊盤120。第二通孔捕獲焊盤296接觸導(dǎo)電層290的跡線部分294并且與第一通孔捕獲焊盤292相對(duì)。在一個(gè)實(shí)施例中，跡線294包括分別小于第一通孔捕獲焊盤292和第二通孔捕獲焊盤296的寬度的寬度。
[0109]如以上所指示，當(dāng)半導(dǎo)體芯片224、開口 282和導(dǎo)電通孔288相對(duì)于參考點(diǎn)R3的位置的變化較小時(shí)，可能無(wú)需對(duì)堆積互連結(jié)構(gòu)(包括對(duì)導(dǎo)電層290)進(jìn)行額外的調(diào)整。因此，用于封裝形成在面板270中的半導(dǎo)體芯片224的自適性圖案化的步驟包括測(cè)量半導(dǎo)體芯片224的真實(shí)位置、確定半導(dǎo)體芯片的移位或移動(dòng)不需要導(dǎo)電層290的圖案或設(shè)計(jì)的變化、以及在先前相對(duì)于面板270和參考點(diǎn)R3確定的位置處形成導(dǎo)電層290，S卩，不對(duì)半導(dǎo)體芯片224相對(duì)于參考點(diǎn)R3的位置的變化進(jìn)行調(diào)整?；蛘撸绻_口 282的位置的變化為使得第一通孔捕獲焊盤292的標(biāo)稱位置不提供與導(dǎo)電通孔288的充分接觸，則將對(duì)導(dǎo)電層290進(jìn)行調(diào)整。
[0110]在特定實(shí)施例中，第一通孔捕獲焊盤292的區(qū)域或占位面積被擴(kuò)大，以使得它們布置在導(dǎo)電通孔288上方，由此適應(yīng)導(dǎo)電通孔288的位置相對(duì)于靜態(tài)RDL圖案的移位。換句話說(shuō)，根據(jù)相對(duì)于參考點(diǎn)R3的標(biāo)稱或規(guī)劃位置形成導(dǎo)電層290的位置，而不對(duì)導(dǎo)電層290的圖案或布局進(jìn)行平移或旋轉(zhuǎn)移位。通過(guò)增加第一通孔捕獲焊盤292的區(qū)域來(lái)調(diào)整導(dǎo)電通孔288的真實(shí)位置的步驟意味著第一通孔捕獲焊盤292的幾何中心298的位置相對(duì)于參考點(diǎn)R3來(lái)形成并且不取決于導(dǎo)電通孔288或?qū)щ娡?88的幾何中心300的實(shí)測(cè)位置。因此，在一些情況下，第一通孔捕獲焊盤292的中心298將偏離通孔288的中心300。然而，第一通孔捕獲焊盤292的增加的大小提供足夠的區(qū)域來(lái)接觸導(dǎo)電通孔288的表面的整體，并且在導(dǎo)電通孔與第一通孔捕獲焊盤之間提供良好的電連接。增加捕獲焊盤292的大小或區(qū)域的方法可用于使用較大的焊盤間距的應(yīng)用中。較大的焊盤間距應(yīng)用在相鄰的通孔捕獲焊盤292之間具有足夠的空間，從而使得在第一通孔捕獲焊盤的區(qū)域增加后，在擴(kuò)大的焊盤之間存在足夠的空間或間隙以防止焊盤之間的接觸、橋接或短路。在不調(diào)整第一通孔捕獲焊盤292的中心298的位置的情況下擴(kuò)大所述焊盤的區(qū)域的步驟不適合于精細(xì)焊盤間距應(yīng)用，這會(huì)導(dǎo)致第一通孔焊盤之間的接觸、橋接或短路。
[0111]在另一實(shí)施例中，導(dǎo)電層290的自適性圖案化的步驟不需要增加第一通孔捕獲焊盤292和第二通孔捕獲焊盤296的大小。相反，導(dǎo)電層290的大小、間距和設(shè)計(jì)(包括第一接觸焊盤292和第二接觸焊盤296的大小)保持不變，并且根據(jù)在測(cè)量半導(dǎo)體芯片224的移位之前確定的導(dǎo)電層290的原始或標(biāo)稱設(shè)計(jì)來(lái)形成。通過(guò)利用x-y平移或相對(duì)于參考點(diǎn)R3的角度Θ的旋轉(zhuǎn)來(lái)調(diào)整半導(dǎo)體芯片224的真實(shí)位置，使得與每個(gè)半導(dǎo)體芯片224相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電層290的整體移位，針對(duì)半導(dǎo)體芯片224的每個(gè)真實(shí)位置，使導(dǎo)電層290的大小、間距和設(shè)計(jì)自適性地圖案化。根據(jù)需要，導(dǎo)電層290的自適性圖案化與面板270內(nèi)的每個(gè)半導(dǎo)體芯片224的導(dǎo)電通孔288 —起發(fā)生。例如，通過(guò)x-y平移或通過(guò)根據(jù)面板270內(nèi)的半導(dǎo)體芯片224a的真實(shí)位置(如相對(duì)于參考點(diǎn)R3測(cè)量)的角度Θ的旋轉(zhuǎn)，調(diào)整導(dǎo)電層290的第一部分(在圖1lE中被指定為導(dǎo)電層290a)。類似地，通過(guò)χ-y平移或通過(guò)根據(jù)面板270內(nèi)的半導(dǎo)體芯片224b的真實(shí)位置(如相對(duì)于參考點(diǎn)R3測(cè)量)的角度Θ的旋轉(zhuǎn)，調(diào)整導(dǎo)電層290的第二部分(在圖1lE中被指定為導(dǎo)電層290b)。因此，通過(guò)調(diào)整每個(gè)半導(dǎo)體芯片224的導(dǎo)電層290的位置，導(dǎo)電層290與面板270內(nèi)的半導(dǎo)體芯片224的真實(shí)或?qū)嶋H位置對(duì)準(zhǔn)。此外，提供接觸焊盤232、導(dǎo)電通孔288和導(dǎo)電層290之間的良好的連接而不增加通孔捕獲焊盤的區(qū)域，并且因此適用于精細(xì)間距應(yīng)用。
[0112]由于使得每個(gè)半導(dǎo)體芯片224的導(dǎo)電層290的取向或位置移位，由半導(dǎo)體芯片224相對(duì)于完成的FOWLP的外邊緣的標(biāo)稱位置與真實(shí)位置之間的差異產(chǎn)生的偏移被轉(zhuǎn)移或移位到第二通孔捕獲焊盤296與隨后形成的互連(諸如第二通孔、UBM或另一個(gè)合適的互連結(jié)構(gòu))之間的界面或互連。理想地，UBM圖案或其他合適的互連結(jié)構(gòu)的位置保持不變，并且不相對(duì)于封裝的邊緣移位。因此，如果整個(gè)RDL圖案或?qū)щ妼?90相對(duì)于固定的UBM或互連結(jié)構(gòu)圖案移位，則可以通過(guò)增加RDL層上的底層捕獲焊盤的大小或通過(guò)減小將UBM連接到RDL層的通孔的直徑來(lái)適應(yīng)導(dǎo)電層290的移位。然而，使得每個(gè)半導(dǎo)體芯片224的導(dǎo)電層290的取向或位置移位的步驟不良好地適合于多芯片模塊，其中多個(gè)半導(dǎo)體芯片或部件相對(duì)于彼此在同一單元設(shè)計(jì)內(nèi)移位，并且包括相對(duì)于面板270和參考點(diǎn)R3的不同的旋轉(zhuǎn)和/或x-y平移。對(duì)于僅具有單個(gè)RDL、扇入或扇出路由層的F0WLP，堆積互連結(jié)構(gòu)內(nèi)的覆蓋問(wèn)題和層的對(duì)準(zhǔn)被移動(dòng)到在UBM底層的下一通孔層。有利地，具有多個(gè)RDL的堆積互連結(jié)構(gòu)可以將覆蓋問(wèn)題移位到具有較大的間距和不太嚴(yán)格的間距要求的封裝內(nèi)的額外的RDL層或區(qū)域，由此更容易適應(yīng)半導(dǎo)體芯片224的位置的移位。
[0113]如上所述，可以使用用于調(diào)整導(dǎo)電層290的位置以與面板270內(nèi)的半導(dǎo)體芯片224的真實(shí)或?qū)嶋H位置對(duì)準(zhǔn)的不同的方法。在優(yōu)選實(shí)施例中，基于半導(dǎo)體管芯224的位置并且基于每個(gè)FOWLP的最終互連結(jié)構(gòu)的位置(諸如導(dǎo)電凸塊的位置)，與每個(gè)半導(dǎo)體管芯224相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電層290的每個(gè)單元特定圖案可以是獨(dú)特的和單獨(dú)設(shè)計(jì)的。通過(guò)計(jì)算用于導(dǎo)電層290和用于面板270內(nèi)的每個(gè)半導(dǎo)體芯片224的獨(dú)特的或完整的定制RDL圖案，可以實(shí)現(xiàn)用于將導(dǎo)電層290的位置與每個(gè)半導(dǎo)體芯片224和最終互連結(jié)構(gòu)的位置匹配的增加的靈活性。這種方法有可能解決半導(dǎo)體芯片224、導(dǎo)電層290和隨后形成的最終互連結(jié)構(gòu)或UBM兩者之間的連接，而不影響覆蓋設(shè)計(jì)規(guī)則。當(dāng)為導(dǎo)電層290的位置創(chuàng)建完整的定制RDL層或設(shè)計(jì)時(shí)，用于確定面板270內(nèi)的每個(gè)半導(dǎo)體芯片224的完整的設(shè)計(jì)的算法可能變得復(fù)雜并且可能增加可靠地復(fù)制導(dǎo)電層290的難度。導(dǎo)電層290的復(fù)雜度是隨完整的定制RDL圖案的形成以及通過(guò)圖案(包括諸如電感器、大功率平面和大接地平面的特征)而增加。
[0114]用于調(diào)整導(dǎo)電層290的位置以便與面板270內(nèi)的半導(dǎo)體芯片224的真實(shí)或?qū)嶋H位置對(duì)準(zhǔn)的另一種方法包括在最初的設(shè)計(jì)過(guò)程中產(chǎn)生若干分立的固定通用圖案。每個(gè)通用圖案適用于由拼板工藝的處理能力所限定的可能的芯片移位的子集。因此，基于面板270內(nèi)的每個(gè)半導(dǎo)體芯片224的真實(shí)或?qū)崪y(cè)位置，可以從若干分立的固定通用圖案中選擇“最佳擬合”圖案并且使其與面板內(nèi)的特定半導(dǎo)體芯片匹配。參見(jiàn)例如圖6和相關(guān)文本。以這種方式，面板270內(nèi)的每個(gè)半導(dǎo)體芯片224的最佳擬合圖案可以基于每個(gè)半導(dǎo)體芯片224的實(shí)測(cè)旋轉(zhuǎn)和/或x-y平移(S值)，而不計(jì)算每個(gè)半導(dǎo)體芯片的獨(dú)特的或定制的RDL圖案。
[0115]圖從圖1lE和圖1lF繼續(xù)的圖1lG示出絕緣或鈍化層304的橫截面圖，絕緣或鈍化層304共形地涂覆到絕緣層280和導(dǎo)電層290，并且具有遵循絕緣層280和導(dǎo)電層290的輪廓的第一表面。絕緣層304具有與第一表面相反的第二平表面。絕緣層304包含一層或多層的光敏低固化溫度介電抗蝕劑、光敏復(fù)合物抗蝕劑、層壓化合物膜、具有填充物的絕緣膏劑、焊料掩?？刮g劑膜、液體模塑化合物、Si02、Si3N4、S1N、A1203或具有類似的絕緣和結(jié)構(gòu)性質(zhì)的其他材料。使用印刷、旋涂、噴涂、層壓或其他合適的工藝來(lái)沉積絕緣層304。絕緣層304隨后被圖案化和可選地固化。
[0116]通過(guò)蝕刻、激光鉆孔、機(jī)械鉆孔或其他合適的工藝來(lái)移除絕緣層304的一部分以形成開口，所述開口完全延伸穿過(guò)絕緣層304并且暴露導(dǎo)電層290的一部分，諸如第二通孔捕獲焊盤296。使用PVD、CVD、電解電鍍、無(wú)電極電鍍或其他合適的工藝將導(dǎo)電層沉積在絕緣層304中的開口中以形成導(dǎo)電通孔306。導(dǎo)電通孔306可以是一層或多層的Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag、T1、W、多晶娃或其他合適的導(dǎo)電材料。導(dǎo)電通孔306形成堆積互連結(jié)構(gòu)的部分并且提供相對(duì)于接觸焊盤232、導(dǎo)電通孔288和導(dǎo)電層290的垂直電連接。
[0117]在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電通孔306的位置形成在其相對(duì)于參考點(diǎn)R3和面板270的標(biāo)稱位置處，并且與第二通孔捕獲焊盤296對(duì)準(zhǔn)。導(dǎo)電通孔306可以與第二通孔捕獲焊盤296對(duì)準(zhǔn)，這是因?yàn)榘雽?dǎo)體芯片224和導(dǎo)電層290相對(duì)于參考點(diǎn)R3和面板270的移位較小，或因?yàn)楸M管導(dǎo)電層290移位以匹配半導(dǎo)體芯片224，但是通孔捕獲焊盤296被擴(kuò)大以使得導(dǎo)電通孔306與第二通孔捕獲焊盤296進(jìn)行良好的電接觸?；蛘撸瑢?dǎo)電通孔306的位置可以從其標(biāo)稱位置被自適性調(diào)整以匹配導(dǎo)電層290和第二通孔捕獲焊盤296的新的或真實(shí)位置。導(dǎo)電通孔306的自適性圖案化還可以包括調(diào)整或減小導(dǎo)電通孔的直徑，由此確保導(dǎo)電通孔306與導(dǎo)電層290和隨后形成的UBM層或互連結(jié)構(gòu)之間的良好的和完整的連接。導(dǎo)電通孔306的減小的直徑允許導(dǎo)電層290和第二通孔捕獲焊盤296的位置的更多的移動(dòng)，同時(shí)確保導(dǎo)電通孔306的占位面積完全在導(dǎo)電層290或第二通孔捕獲焊盤296的占位面積內(nèi)。
[0118]圖1lH示出類似于圖2B中的UBM焊盤119的UBM 310，UBM 310形成在導(dǎo)電通孔306和絕緣層304上方。UBM 310可以是多個(gè)金屬疊層，包括粘合層、阻擋層、種子層和潤(rùn)濕層。UBM 310的層可以是T1、氮化鈦(TiN)、Tiff, Al、Cu、鉻(Cr)、鉻銅(CrCu)、N1、鎳釩(NiV)、Pd、鉑(Pt)、Au和Ag。在一個(gè)實(shí)施例中，UBM 310包括Tiff種子層、Cu種子層和CuUBM層。TiW種子層共形地涂覆在絕緣層304和導(dǎo)電通孔306上方。Cu種子層共形地涂覆在TiW種子層上方。Cu UBM層共形地涂覆在TiW種子層和Cu種子層上方。UBM 310充當(dāng)導(dǎo)電通孔306與隨后形成的焊料凸塊或其他I/O互連結(jié)構(gòu)之間的中間導(dǎo)電層。UBM 310可以提供與導(dǎo)電通孔306的低電阻互連、對(duì)焊料擴(kuò)散的阻擋、以及焊料潤(rùn)濕性的增加。
[0119]使用蒸發(fā)、電解電鍍、無(wú)電極電鍍、球滴(ball drop)或絲網(wǎng)印刷工藝將導(dǎo)電凸塊材料沉積在UBM 310和導(dǎo)電通孔306上方。凸塊材料可以是Al、Sn、N1、Au、Ag、Pb、B1、Cu、焊料和其組合，連同可選的焊劑溶液一起。例如，凸塊材料可以是共晶Sn/Pb、高鉛焊料或無(wú)鉛焊料。使用合適的附著或粘結(jié)工藝將凸塊材料結(jié)合到UBM 310。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)將凸塊材料加熱到其熔點(diǎn)以上來(lái)使凸塊材料回流以形成球形球或凸塊312。在一些應(yīng)用中，凸塊312被二次回流以改善到UBM 310的電接觸。凸塊也可以被壓縮結(jié)合到UBM 310。凸塊312表示可以形成在UBM 310上方的一種類型的互連結(jié)構(gòu)?；ミB結(jié)構(gòu)也可以使用導(dǎo)電膏、柱形凸塊、微凸塊或其他電互連。
[0120]圖1lH還示出在形成凸塊312之后，使用鋸條或激光切割工具316分割面板或重組晶片270以形成單獨(dú)的FOWLP 318。因?yàn)獒槍?duì)面板270內(nèi)的半導(dǎo)體芯片224的移動(dòng)不對(duì)凸塊312進(jìn)行自適性調(diào)整并且凸塊312根據(jù)其標(biāo)稱設(shè)計(jì)位置來(lái)形成(參見(jiàn)例如圖9中的步驟201)，所以凸塊312與FOWLP 318的外圍或外封裝輪廓對(duì)準(zhǔn)。
[0121]因此，圖1lA至圖1lH示出制造FOWLP 318的方法，其中使第一通孔層和RDL路由層的至少一部分從其在晶片上的標(biāo)稱位置移位以與每個(gè)半導(dǎo)體芯片的真實(shí)位置對(duì)準(zhǔn)。通過(guò)這樣做，至少封裝I/o互連保持與成品封裝的邊緣對(duì)準(zhǔn)以符合封裝輪廓圖，有利于封裝測(cè)試，并且消除拼板過(guò)程中由于半導(dǎo)體芯片的未對(duì)準(zhǔn)所導(dǎo)致的成品率損失。自適性圖案化的實(shí)施可以使用可編程直寫曝光和激光燒蝕方法以允許調(diào)整通孔和RDL層的位置和取向來(lái)與面板270內(nèi)的每個(gè)單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片對(duì)準(zhǔn)。除了增加成品率之外，所提出的工藝還校正芯片在固化過(guò)程中的移動(dòng)，并且因此實(shí)現(xiàn)更小的芯片接合焊盤的幾何形狀和增加的密度。
[0122]圖12A示出類似于圖1lA中的半導(dǎo)體晶片220的半導(dǎo)體晶片330的一部分的橫截面圖。半導(dǎo)體晶片330包括用于結(jié)構(gòu)支承的基底基板材料332，諸如硅、鍺、砷化鎵、磷化銦或碳化硅。多個(gè)半導(dǎo)體芯片或部件334形成在晶片330上，被穩(wěn)定的、芯片間的晶片區(qū)域或劃片街區(qū)336分開，如上所述。劃片街區(qū)336提供切割區(qū)域以將半導(dǎo)體晶片330分割成單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片334。類似于圖1OA中所示的半導(dǎo)體芯片224并且類似于圖1A中所示的器件單元104，半導(dǎo)體芯片334被布置在整個(gè)半導(dǎo)體晶片330上。
[0123]圖12A還示出每個(gè)半導(dǎo)體芯片334具有背面或背表面338和與背面相反的有源表面340。有源表面340包含模擬或數(shù)字電路，所述電路被實(shí)施為根據(jù)芯片的電氣設(shè)計(jì)和功能形成在芯片內(nèi)并且電互連的有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層和介電層。例如，電路可以包括一個(gè)或多個(gè)晶體管、二極管和形成在有源表面340內(nèi)的其他電路元件以實(shí)施模擬電路或數(shù)字電路，諸如DSP、ASIC、存儲(chǔ)器或其他信號(hào)處理電路。半導(dǎo)體芯片334還可以包含用于RF信號(hào)處理的IPD，諸如電感器、電容器和電阻器。
[0124]使用PVD、CVD、電解電鍍、無(wú)電極電鍍工藝或其他合適的金屬沉積工藝在有源表面340上方形成導(dǎo)電層342。導(dǎo)電層342可以是一層或多層的Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag或其他合適的導(dǎo)電材料。導(dǎo)電層342操作為電連接到有源表面340上的電路的接觸焊盤或接合焊盤。導(dǎo)電層342可以形成為離半導(dǎo)體芯片334的邊緣第一距離并排布置的接觸焊盤，如圖12A中所示?；蛘?，導(dǎo)電層342可以形成為接觸焊盤，所述接觸焊盤以多行偏移從而使得第一行接觸焊盤被布置成離芯片的邊緣為第一距離，并且與第一行交替的第二行接觸焊盤被布置成離芯片的邊緣為第二距離。
[0125]半導(dǎo)體晶片330還可以經(jīng)受可選的研磨操作以使背側(cè)表面平面化并且降低半導(dǎo)體晶片的厚度。類似地，可選的化學(xué)蝕刻也可以用于移除半導(dǎo)體晶片330和使半導(dǎo)體晶片330平面化。由于晶片330包括所需的厚度，在半導(dǎo)體芯片334的背面338上方形成可選的背面涂層344。背面涂層344為聚合物層、介電膜、環(huán)氧樹脂膜、或具有類似的絕緣和結(jié)構(gòu)性質(zhì)的其他合適的材料，所述背面涂層可以包含一層或多層的Si02、Si3N4、Si0N、五氧化二鉭(Ta205)、A1203、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)和聚苯并惡唑(PBO)。背面涂層344可以通過(guò)層壓工藝、模塑工藝或其他合適的工藝來(lái)形成?；蛘?，可選的背面涂層344被省略，以使得背面338保持暴露作為最終封裝的一部分或保持暴露以用于后續(xù)封裝。在另一實(shí)施例中，背面涂層344為一層或多層的導(dǎo)熱材料，諸如Al、Cu、N1、Cu和N1、或通過(guò)諸如印刷、PVD、CVD、濺射、電解電鍍、無(wú)電極電鍍、金屬蒸鍍、金屬濺射或其他合適的工藝的工藝形成的具有高的熱導(dǎo)率的其他合適的材料。導(dǎo)熱背面涂層344形成導(dǎo)熱路徑，該導(dǎo)熱路徑有助于分布和消散由半導(dǎo)體芯片332產(chǎn)生的熱并且增加隨后形成的FOWLP的熱性能。盡管背面涂層344在圖12A中示出為在將半導(dǎo)體晶片330分割成單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片之前形成在所述晶片的背面338上，但是背面涂層344也可以在分割之后形成在單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片334上。
[0126]圖12B示出沒(méi)有可選的背面涂層344的半導(dǎo)體晶片330，然而也可以在存在背面涂層344的情況下執(zhí)行在隨后的圖中所示的工藝和結(jié)構(gòu)。圖12B還示出共形地涂覆在有源表面340上方和導(dǎo)電層342上方的絕緣或鈍化層346。絕緣層346包括使用PVD、CVD、絲網(wǎng)印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)或熱氧化涂覆的一層或多層。絕緣層346包含一層或多層的Si02、313財(cái)、5丨0隊(duì)了&20531203、聚酰亞胺、808、？80或具有類似的絕緣和結(jié)構(gòu)性質(zhì)的其他材料。在一個(gè)實(shí)施例中，鈍化層346包括形成在有源表面340上方的鈍化層和形成在鈍化層上方和導(dǎo)電層342上方的可選的聚合物層。開口被形成為完全地穿過(guò)絕緣層346，以暴露導(dǎo)電層342的至少一部分以用于隨后的電連接?；蛘撸?yàn)榻^緣層346是可選的，所以在沒(méi)有形成絕緣層的情況下暴露導(dǎo)電層342以用于隨后的電互連。
[0127]電互連或銅柱、支柱或立柱348形成在導(dǎo)電層342上方，并且連接到導(dǎo)電層342。使用圖案化和金屬沉積工藝，諸如印刷、PVD, CVD、濺射、電解電鍍、無(wú)電極電鍍、金屬蒸鍍、金屬濺射或其他合適的金屬沉積工藝，可以將互連348直接形成在導(dǎo)電層342上。電互連348可以是一層或多層的Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag、鈀(Pd)或其他合適的導(dǎo)電材料，并且可以包括一個(gè)或多個(gè)UBM層。在一個(gè)實(shí)施例中，光致抗蝕劑層沉積在半導(dǎo)體芯片334和導(dǎo)電層342上方。光致抗蝕劑層的一部分被暴露并且通過(guò)蝕刻顯影工藝來(lái)移除。使用選擇性電鍍工藝將電互連348形成為光致抗蝕劑的移除的部分中的銅支柱、柱或立柱并形成在導(dǎo)電層342上方。光致抗蝕劑層被移除，留下互連348，該互連提供隨后的電互連和相對(duì)于有源表面340和絕緣層346 (如果存在)的支座。優(yōu)選地，互連348包括在10-40微米(μ m)的范圍內(nèi)的高度Hl。更優(yōu)選地，互連348包括在15-25 μ m的范圍內(nèi)的高度。最優(yōu)選地，互連348包括約20 μ m的高度。
[0128]在形成互連348之后，使用鋸條或激光切割工具350，通過(guò)劃片街區(qū)336，將半導(dǎo)體晶片330分割成單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片334。
[0129]圖12