C示出沒有可選的背面涂層344但具有類似于圖12B的可選的絕緣或鈍化層346的半導(dǎo)體晶片330。圖12C與圖12B的不同之處在于添加了導(dǎo)電層354。使用圖案化和金屬沉積工藝，諸如印刷、PVD、CVD、濺射、電解電鍍、無電極電鍍、金屬蒸鍍、金屬濺射或其他合適的金屬沉積工藝，將導(dǎo)電層或RDL 354形成在絕緣層346和導(dǎo)電層342上方。導(dǎo)電層354可以是一層或多層的Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag或其他合適的導(dǎo)電材料。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層354為RDL，其包括鈦鎢(TiW)種子層、Cu種子層、以及形成在TiW種子層和Cu種子層上方的Cu層。導(dǎo)電層354遵循導(dǎo)電層342和絕緣層346或半導(dǎo)體芯片334的輪廓。導(dǎo)電層354在導(dǎo)電層342的部分與電互連或銅柱、支柱或立柱356之間提供電路徑。取決于后來安裝的半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)和功能，導(dǎo)電層354的部分可以是電共通或電隔離的。導(dǎo)電層354操作為扇入RDL，該扇入RDL在確定電互連356的位置時(shí)提供額外的靈活性。
[0130]圖12C還示出電互連或銅支柱、柱或立柱356，它們類似于上文關(guān)于圖12B所描述的互連348?；ミB356與互連348的不同之處在于形成在導(dǎo)電層354而不是導(dǎo)電層342上方，并且直接連接到導(dǎo)電層354而不是導(dǎo)電層342。在形成互連356之后，使用鋸條或激光切割工具358，通過劃片街區(qū)336，將半導(dǎo)體晶片330分割成單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片334。
[0131]圖13A示出包含用于結(jié)構(gòu)支承的臨時(shí)或犧牲基底材料(諸如硅、聚合物、氧化鈹或其他合適的低成本、剛性材料)的載體或基板360?？蛇x界面層或雙面膠帶362作為臨時(shí)粘接膜或蝕刻停止層形成在載體360上方。許多基準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記364定位在載體360或界面層362上方或附接到載體360或界面層362?；蛘?，載體360或界面層362的一部分被移除或標(biāo)示以形成基準(zhǔn)364?；鶞?zhǔn)364允許相對(duì)于半導(dǎo)體芯片334的后續(xù)安裝進(jìn)行取向和處理載體 360。
[0132]圖13A還示出將圖12C的半導(dǎo)體芯片334面朝下安裝到載體360和界面層362并使有源表面340朝向基板取向?；蛘?，圖12B的半導(dǎo)體芯片334也可以面朝下安裝到載體360和界面層362并且經(jīng)受關(guān)于圖13A至圖13H所描述的處理。根據(jù)半導(dǎo)體芯片的標(biāo)稱或預(yù)定的位置和間距相對(duì)于基準(zhǔn)364來定位半導(dǎo)體芯片334。為每個(gè)半導(dǎo)體芯片334選擇的標(biāo)稱位置被確定為有利于形成每個(gè)半導(dǎo)體芯片334的FOWLP的標(biāo)稱或預(yù)定的面板設(shè)計(jì)的一部分。標(biāo)稱面板設(shè)計(jì)為形成每個(gè)半導(dǎo)體芯片334的扇出堆積互連結(jié)構(gòu)以及最終FOWLP中的分割提供足夠的空間。因此，圖13A示出在如從基準(zhǔn)364測(cè)量的參考點(diǎn)R6處將第一半導(dǎo)體芯片334安裝或布置在載體360上方，參考點(diǎn)R6對(duì)應(yīng)于標(biāo)稱面板設(shè)計(jì)內(nèi)的第一半導(dǎo)體芯片的位置。類似地，在如從一個(gè)或多個(gè)基準(zhǔn)364測(cè)量的參考點(diǎn)R7處將第二半導(dǎo)體芯片334安裝或布置在載體360上方，參考點(diǎn)R7對(duì)應(yīng)于標(biāo)稱面板設(shè)計(jì)內(nèi)的第二半導(dǎo)體芯片的位置。半導(dǎo)體芯片334在安裝在載體360上方時(shí)被空間或間隙分開，所述空間或間隙為隨后形成的扇出互連結(jié)構(gòu)提供區(qū)域。間隙的大小包括用于在隨后形成的FOWLP內(nèi)可選地安裝半導(dǎo)體器件或部件的足夠的區(qū)域，如圖1lA中所示。
[0133]圖13A也示出使用膏料印刷、壓縮模塑、傳遞模塑、液體密封劑模塑、真空層壓、旋涂或其他合適的涂覆器來沉積密封劑366。具體來說，圖13A示出具有多個(gè)進(jìn)口 370和372的模具368，使所述模具與載體360和界面層362聚集在一起以將半導(dǎo)體芯片334封閉在模具內(nèi)用于隨后的封裝。通過圍繞半導(dǎo)體芯片334移動(dòng)模具368，或替代地通過將半導(dǎo)體芯片移動(dòng)到模具中，使模具368聚集在一起。模具368可以包括與載體360和界面層362聚集在一起的僅第一部分或頂部部分，而沒有第二模具部分或底部模具部分。在一個(gè)實(shí)施例中，載體360和界面層362充當(dāng)用于隨后的封裝工藝的底部模具部分?；蛘?，半導(dǎo)體芯片334、載體360和界面層362可以布置在包括多個(gè)部分(諸如頂部和底部部分)的模具內(nèi)。
[0134]圖13A還示出模具368用腔體或開放空間374封閉半導(dǎo)體芯片334。腔體374在模具368與半導(dǎo)體芯片334和界面層362之間延伸。在高溫和高壓下通過進(jìn)口 370將一定體積的密封劑366從分配器376注入腔體374中并且在半導(dǎo)體芯片334和載體360上方。進(jìn)口 372可以是排氣口，所述排氣口具有用于多余的密封劑366的可選真空輔助設(shè)施378。密封劑366可以是聚合物復(fù)合材料，諸如具有填充物的環(huán)氧樹脂、具有填充物的環(huán)氧丙烯酸酯、或具有合適填充物的聚合物。根據(jù)腔體374的空間要求減去由半導(dǎo)體芯片334和可能存在的任何額外的半導(dǎo)體器件所占用的區(qū)域來測(cè)量密封劑366的體積。密封劑366在高溫下被均勻分散和均勻分布在圍繞半導(dǎo)體芯片334的腔體374內(nèi)。密封劑366的粘度被選擇用于均勻覆蓋，例如，較低的粘度增加用于模塑、膏料印刷和旋涂的密封劑的流動(dòng)。半導(dǎo)體芯片334被一起嵌入在密封劑366中，密封劑366不導(dǎo)電，并且在環(huán)境上保護(hù)半導(dǎo)體器件免受外部元件和污染物的影響。
[0135]在圖13B中，示出類似于關(guān)于圖13A所描述的工藝的封裝工藝。圖13B與圖13A的不同之處在于半導(dǎo)體芯片334相對(duì)于載體360和界面層362的取向。圖13B示出面朝上安裝半導(dǎo)體芯片334并使背面338朝向載體360取向的實(shí)施例，而不是如圖13A中所示面朝下安裝半導(dǎo)體芯片334并使有源表面340朝向載體360取向。此外，盡管參照?qǐng)D13B中所示的實(shí)施例示出隨后關(guān)于半導(dǎo)體芯片334的封裝所討論的處理，但是隨后的處理同樣適用于圖13A中所示的實(shí)施例。
[0136]在圖13C中，從模具368移除半導(dǎo)體芯片334。通過化學(xué)蝕刻、機(jī)械剝離、CMP、機(jī)械研磨、熱烘、UV光、激光掃描或濕法脫模來移除載體360和界面層362，以暴露密封劑366。密封劑366的表面可以與背面338基本共面，背面338通過移除載體360和界面層362來暴露。因此，上文參照?qǐng)D12A至圖12C和圖13A至圖13C所描述的工藝提供關(guān)于類似于圖9中所示的工藝的工藝的細(xì)節(jié)。在移除載體360和界面層362后，圖13C示出密封劑366布置在半導(dǎo)體芯片334周圍以形成嵌入式芯片面板380。面板380包括任何形狀和大小的占位面積或波形因數(shù)，所述占位面積或波形因數(shù)允許并有利于形成FOWLP所需的后續(xù)處理，如在下面更詳細(xì)地描述。在一個(gè)實(shí)施例中，面板380包括與300_半導(dǎo)體晶片的波形因數(shù)類似的波形因數(shù)，并且包括具有直徑為300mm的圓形占位面積。
[0137]圖13C還示出面板380經(jīng)受使用研磨機(jī)382進(jìn)行可選的研磨操作以使表面平面化并且降低面板的厚度?；瘜W(xué)蝕刻也可以用于移除密封劑366的一部分和使該部分平面化。因此，互連356的表面相對(duì)于在面板380外圍的密封劑366被暴露以將半導(dǎo)體芯片334電連接到隨后形成的扇出互連結(jié)構(gòu)。
[0138]在圖13C中，類似于圖12A中的背面涂層344的可選的背面涂層384形成在半導(dǎo)體芯片334的背面338上方和與背面338基本共面的密封劑366的表面上方。背面涂層384為聚合物層、介電膜、環(huán)氧樹脂膜、或具有類似的絕緣和結(jié)構(gòu)性質(zhì)的其他合適的材料，所述背面涂層可以包含一層或多層的Si02、Si3N4、Si0N、Ta205、A1203、聚酰亞胺、BCB和ΡΒ0。背面涂層384可以通過層壓工藝、模塑工藝或其他合適的工藝來形成。在一個(gè)實(shí)施例中，背面涂層384為光學(xué)透明材料，其有利于面板380內(nèi)的物體(諸如半導(dǎo)體芯片334、互連356和基準(zhǔn)364)的光學(xué)掃描。在另一實(shí)施例中，背面涂層384為一層或多層的導(dǎo)熱材料，諸如Al、Cu、N1、Cu和N1、或通過諸如印刷、PVD、CVD、濺射、電解電鍍、無電極電鍍、金屬蒸鍍、金屬濺射或其他合適的工藝的工藝形成的具有高的熱導(dǎo)率的其他合適的材料。導(dǎo)熱背面涂層384形成導(dǎo)熱路徑，該導(dǎo)熱路徑有助于分布和消散由半導(dǎo)體芯片334產(chǎn)生的熱并且增加隨后形成的FOWLP的熱性能?；蛘撸蛇x的背面涂層384被省略，以使得背面338保持暴露作為最終封裝的一部分。在從面板移除密封劑366的一部分之前或之后，可以將背面涂層384形成在面板380上。
[0139]圖13D示出掃描器386，該掃描器386用于檢查面板380以確定面板380內(nèi)的半導(dǎo)體芯片334的真實(shí)或?qū)嶋H位置。掃描器386使用光學(xué)成像、聲學(xué)成像、磁性成像、無線電頻率、紅外線或其他合適的過程來確定半導(dǎo)體芯片334或其他物體(包括面板380內(nèi)的類似于圖1lA中的半導(dǎo)體器件246的可選半導(dǎo)體器件)的真實(shí)或?qū)嶋H位置。確定每個(gè)半導(dǎo)體芯片334或其他物體相對(duì)于面板380上的全局參考點(diǎn)R8的真實(shí)位置和旋轉(zhuǎn)。參考點(diǎn)R8可以包括與形成密封劑366并且移除載體360和界面層362同時(shí)從載體360傳送的許多基準(zhǔn)364。參考點(diǎn)R8還包括許多新的基準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述基準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記定位在面板380上方或附接到面板380，或者通過標(biāo)示或移除面板380的一部分而形成?；蛘撸瑓⒖键c(diǎn)R8在物理上不被識(shí)別為面板380的一部分，而是與掃描器386的一部分或面板380與掃描器386之間的附接點(diǎn)相關(guān)聯(lián)。
[0140]掃描器386檢查每個(gè)半導(dǎo)體芯片334上的特征以確定面板380上的每個(gè)半導(dǎo)體芯片334相對(duì)于參考點(diǎn)R8的實(shí)際位置和旋轉(zhuǎn)。由每個(gè)半導(dǎo)體芯片334上的掃描器386識(shí)別出的特征包括邊緣的位置或半導(dǎo)體芯片的角落、互連356的位置(包括互連的角落、中心或輪廓)、或半導(dǎo)體芯片上或與半導(dǎo)體芯片相關(guān)聯(lián)的任何其他特征。半導(dǎo)體芯片334的實(shí)際或?qū)崪y(cè)位置包括x-y位置，該位置考慮在半導(dǎo)體芯片相對(duì)于面板380內(nèi)的參考點(diǎn)R8的一個(gè)或多個(gè)方向上的橫向或平移移位。類似地，半導(dǎo)體芯片334的實(shí)際或?qū)崪y(cè)位置也包括相對(duì)于參考點(diǎn)R8的取向或角度旋轉(zhuǎn)。
[0141]如圖13D中所示，第一半導(dǎo)體芯片334被封裝在面板380內(nèi)并且位于相對(duì)于參考點(diǎn)R8來測(cè)量的參考點(diǎn)R9處。類似地，第二半導(dǎo)體芯片334在相對(duì)于參考點(diǎn)R8來測(cè)量的參考點(diǎn)RlO處被封裝在面板380內(nèi)。當(dāng)半導(dǎo)體芯片334被精確和準(zhǔn)確地放置在參考點(diǎn)R6和R7處、并且半導(dǎo)體芯片在封裝過程中不經(jīng)歷任何移動(dòng)或移位時(shí)，R6和R7分別等于R9和R10。然而，半導(dǎo)體芯片334從預(yù)定面板設(shè)計(jì)的標(biāo)稱位置的移動(dòng)導(dǎo)致參考點(diǎn)R9和RlO分別不同于參考點(diǎn)R6和R7。半導(dǎo)體芯片334遠(yuǎn)離其標(biāo)稱位置和參考點(diǎn)R8的移動(dòng)是由在載體360上方安裝半導(dǎo)體芯片的不準(zhǔn)確性引起的。另外，半導(dǎo)體芯片334的移動(dòng)也是由在封裝過程中發(fā)生的半導(dǎo)體芯片的位置的移位引起的。例如，由密封劑366接觸半導(dǎo)體芯片334產(chǎn)生的力可能導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片334和互連356相對(duì)于參考點(diǎn)R8移位，并且相對(duì)于預(yù)定面板設(shè)計(jì)內(nèi)的半導(dǎo)體芯片的標(biāo)稱位置(即，參考點(diǎn)R6和R7)移位。
[0142]在通過掃描器386確定面板380內(nèi)的每個(gè)半導(dǎo)體芯片334和互連356的真實(shí)位置和取向后，將半導(dǎo)體芯片的真實(shí)位置(例如R9和R10)與標(biāo)稱面板設(shè)計(jì)內(nèi)的半導(dǎo)體芯片的標(biāo)稱位置(例如R6和R7)相比較，以確定在處理過程中發(fā)生的每個(gè)半導(dǎo)體芯片334和互連356的位置變化或移位。通過確定半導(dǎo)體芯片334的標(biāo)稱或原始設(shè)計(jì)位置與半導(dǎo)體芯片和互連的實(shí)際位置之間的位置的差異，可以識(shí)別和避免在半導(dǎo)體上方隨后形成扇出堆積互連結(jié)構(gòu)的潛在問題。如果半導(dǎo)體芯片334的真實(shí)位置(例如R9和R10)已移位從而使得互連356的真實(shí)位置將不再對(duì)準(zhǔn)或提供與隨后形成的扇出堆積互連結(jié)構(gòu)的良好的電連接，則存在潛在問題。作為最初設(shè)計(jì)用于面板380的扇出堆積互連結(jié)構(gòu)將不與某些半導(dǎo)體芯片334或互連356對(duì)準(zhǔn)，因?yàn)樽鳛樽畛踉O(shè)計(jì)的堆積互連結(jié)構(gòu)是基于面板設(shè)計(jì)內(nèi)的半導(dǎo)體芯片的標(biāo)稱位置(例如R6和R7)，而不是在已形成為面板380的一部分后半導(dǎo)體芯片334和互連356的實(shí)際或真實(shí)位置(例如R9和R10)。因此，扇出堆積互連結(jié)構(gòu)的原始設(shè)計(jì)的至少一部分在應(yīng)用到面板380之前被修改以避免互連結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體芯片334之間的未對(duì)準(zhǔn)和不足的電連接的問題。在一個(gè)實(shí)施例中，將半導(dǎo)體芯片334和互連356的位置數(shù)據(jù)輸入到自適性圖案自動(dòng)路由器中，所述自適性圖案自動(dòng)路由器考慮半導(dǎo)體芯片334的真實(shí)或?qū)崪y(cè)位置并且產(chǎn)生新的設(shè)計(jì)，所述新的設(shè)計(jì)調(diào)整或選擇用于扇出堆積互連結(jié)構(gòu)的至少一部分(例如，通孔、RDL、焊盤和跡線)的新的位置，以連接到半導(dǎo)體芯片334的互連356。單獨(dú)的封裝設(shè)計(jì)被組合以形成需要調(diào)整的層中的每個(gè)的完整的面板的繪圖。從標(biāo)稱位置到真實(shí)位置的移位的差異指示如何組合單獨(dú)的封裝設(shè)計(jì)以形成完整的面板設(shè)計(jì)。在一個(gè)實(shí)施例中，將用于每個(gè)面板的設(shè)計(jì)文件輸入到光刻機(jī)，所述光刻機(jī)使用設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)來將定制的自適性圖案動(dòng)態(tài)地應(yīng)用到每個(gè)面板。
[0143]圖13E示出共形地涂覆在面板380和互連356上方的絕緣或鈍化層388。絕緣層388包括使用PVD、CVD、絲網(wǎng)印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)或熱氧化涂覆的一層或多層。絕緣層388包含一層或多層的3丨02、5丨3財(cái)、5丨0隊(duì)了&205、41203、聚酰亞胺、808、？80或具有類似的絕緣和結(jié)構(gòu)性質(zhì)的其他材料。在一個(gè)實(shí)施例中，鈍化層388為可選的聚合物層。開口被形成為完全地穿過絕緣層388，以暴露導(dǎo)電層342的至少一部分以用于隨后的電連接?；蛘?，因?yàn)榻^緣層388是可選的，所以在沒有形成絕緣層的情況下暴露導(dǎo)電層342以用于隨后的電互連。
[0144]在圖13E中，通過蝕刻、激光鉆孔、機(jī)械鉆孔或其他合適的工藝來移除絕緣層388的一部分以形成完全穿過絕緣層388從而暴露互連356的開口。當(dāng)半導(dǎo)體芯片334和互連356相對(duì)于參考點(diǎn)R8的位置的變化較小時(shí)，可能無需對(duì)絕緣層388中的開口的位置進(jìn)行調(diào)整以將開口與互連356正確地對(duì)準(zhǔn)。因此，用于封裝半導(dǎo)體芯片334的自適性圖案化包括測(cè)量半導(dǎo)體芯片334或互連356的真實(shí)位置，以及確定半導(dǎo)體芯片的移位或移動(dòng)是否需要絕緣層388中的開口的預(yù)定位置的變化。如果互連356的位置的變化使得絕緣層388中的開口的標(biāo)稱位置不提供互連的充分暴露，則將進(jìn)行對(duì)絕緣層中的開口的位置的調(diào)整。
[0145]自適性圖案化可以單獨(dú)地調(diào)整絕緣層388中的每個(gè)開口的位置，或可以同時(shí)調(diào)整許多開口的位置。例如，許多開口形成與面板380內(nèi)的單個(gè)半導(dǎo)體芯片334的互連356有關(guān)的單元圖案，這些開口作為單元被一起調(diào)整。如上文參照?qǐng)D1lD中所示的開口 282所描述，單獨(dú)地或成組地調(diào)整絕緣層388中的開口的位置。例如，通過x-y平移或通過相對(duì)于面板380上的參考點(diǎn)R8的角度Θ的旋轉(zhuǎn)，調(diào)整絕緣層388中的開口。
[0146]圖13E還示出導(dǎo)電層或RDL 390被圖案化并沉積在絕緣層388和互連356上方作為扇出RDL。導(dǎo)電層390可以是一層或多層的Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag或其他合適的導(dǎo)電材料。導(dǎo)電層390的沉積使用PVD、CVD、電解電鍍、無電極電鍍或其他合適的工藝。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層390為RDL，其包括TiW種子層、Cu種子層、以及形成在TiW種子層和Cu種子層上方的Cu層。導(dǎo)電層390在電互連356與隨后形成的凸塊或封裝互連之間提供電互連，所述隨后形成的凸塊或封裝互連在半導(dǎo)體芯片334與FOWLP外部的點(diǎn)之間提供電信號(hào)的傳輸。當(dāng)半導(dǎo)體芯片334和互連356相對(duì)于參考點(diǎn)R8的位置的變化較小時(shí)，根據(jù)標(biāo)稱或原始設(shè)計(jì)形成導(dǎo)電層390可能足以在互連356與隨后形成的凸塊或封裝互連之間提供電連接，而無需額外的調(diào)整或自適性圖案化。相反，當(dāng)半導(dǎo)體芯片334和互連356的實(shí)測(cè)位置從標(biāo)稱位置足夠改變使得根據(jù)其標(biāo)稱設(shè)計(jì)形成導(dǎo)電層390可能導(dǎo)致互連356與隨后形成的凸塊或封裝互連之間的不良的電連接時(shí)，導(dǎo)電層390的額外的調(diào)整或自適性圖案化是需要的。
[0147]可以使用用于調(diào)整導(dǎo)電層390的位置以與面板380內(nèi)的半導(dǎo)體芯片334的真實(shí)或?qū)嶋H位置對(duì)準(zhǔn)的不同的方法。首先，基于半導(dǎo)體管芯334的位置并且基于每個(gè)FOWLP的最終互連結(jié)構(gòu)的位置(諸如導(dǎo)電凸塊的位置)，與每個(gè)半導(dǎo)體管芯334相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電層390的每個(gè)單元特定圖案可以是獨(dú)特的和單獨(dú)設(shè)計(jì)的。通過計(jì)算用于面板380內(nèi)的每個(gè)半導(dǎo)體芯片334的獨(dú)特的或完整的定制RDL圖案，可以實(shí)現(xiàn)用于將導(dǎo)電層390的位置與每個(gè)半導(dǎo)體芯片334和最終互連結(jié)構(gòu)的位置匹配的增加的靈活性。
[0148]用于調(diào)整導(dǎo)電層390的位置以與面板380內(nèi)的半導(dǎo)體芯片334的真實(shí)或?qū)嶋H位置對(duì)準(zhǔn)的第二種方法包括通過形成具有第一固定部分和第二自適應(yīng)部分的導(dǎo)電層，使導(dǎo)電層390的每個(gè)單元特定圖案與每個(gè)半導(dǎo)體芯片334相關(guān)聯(lián)。導(dǎo)電層的第一部分(也被稱為固定局部圖案或預(yù)設(shè)層(prestratum))相對(duì)于每個(gè)FOWLP和BGA陣列的輪廓是固定的。導(dǎo)電層390的第一部分可以包括用于隨后圖案層(諸如UBM結(jié)構(gòu))的捕獲焊盤。在形成第一部分之后，并且在例如通過測(cè)量參考點(diǎn)R9和RlO來測(cè)量半導(dǎo)體芯片334或互連356的實(shí)際位置和取向之后，形成導(dǎo)電層390的第二部分。形成導(dǎo)電層390的第二部分，以便完成導(dǎo)電層的第一部分與互連356和導(dǎo)電層390連接到封裝或最終互連結(jié)構(gòu)(諸如焊料凸塊)的位置之間的連接。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電層390的第二部分小于導(dǎo)電層的第一部分。優(yōu)選地，動(dòng)態(tài)地改變導(dǎo)電層390以適應(yīng)半導(dǎo)體芯片334的標(biāo)稱位置與實(shí)際位置之間的變化的導(dǎo)電層390的第二部分或自適應(yīng)區(qū)域通常大約為100 μ m至200 μ m。
[0149]用于調(diào)整導(dǎo)電層390的位置以與面板380內(nèi)的半導(dǎo)體芯片334的真實(shí)或?qū)嶋H位置對(duì)準(zhǔn)的第三種方法包括在最初的設(shè)計(jì)過程中產(chǎn)生用于導(dǎo)電層390的若干分立的固定通用圖案。每個(gè)通用圖案適用于由拼板工藝的處理能力所限定的可能的芯片移位的子集。因此，基于面板380內(nèi)的每個(gè)半導(dǎo)體芯片334和互連356的真實(shí)或?qū)崪y(cè)位置，可以從若干分立的固定通用圖案中選擇“最佳擬合”圖案并且使其與面板內(nèi)的特定半導(dǎo)體芯片匹配。
[0150]圖13E示出共形地涂覆在面板380和導(dǎo)電層390上方的絕緣或鈍化層392。絕緣層392包括使用PVD、CVD、絲網(wǎng)印刷