一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，由于具有亮度、對(duì)比度高、可視角度大和色彩鮮艷等優(yōu)點(diǎn)，目前已經(jīng)被廣泛關(guān)注并逐漸應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，陣列基板在非顯示區(qū)部分，具有陰極層和源漏極金屬層的整體疊層，陰極層包括金屬層(如銀或銀合金構(gòu)成的金屬層)和金屬層之上的像素電極層，陰極層和源漏極金屬層分別在各自的層上形成不同的電極圖形。在現(xiàn)有的制備工藝中，在對(duì)陰極層進(jìn)行刻蝕(通常采用濕法刻蝕)時(shí)容易發(fā)生原電池效應(yīng)導(dǎo)致源漏極金屬層被損壞，使得顯示面裝置的良率降低。所謂的原電池效應(yīng)(賈凡尼效應(yīng))是指活動(dòng)性(即氧化性)不同的兩種金屬或金屬和其他導(dǎo)電材料(如非金屬和氧化物)，浸在電解質(zhì)溶液(如硫酸、雙氧水等酸性物質(zhì))中發(fā)生氧化還原反應(yīng)，使得活動(dòng)性較強(qiáng)(即還原性較強(qiáng))的金屬發(fā)生氧化而導(dǎo)致不斷被腐蝕的現(xiàn)象。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，為了解決對(duì)陣列基板的非顯示區(qū)內(nèi)的陰極層進(jìn)行刻蝕(通常采用濕法刻蝕)時(shí)源漏極金屬層被損壞的問(wèn)題，已經(jīng)考慮選用特殊的源漏極金屬材料，如鈦或者鈦與其他金屬的疊層，提供源漏極金屬層的抗腐蝕能力，但是采用鈦或者鈦與其他金屬的疊層成本較高，且需要重新研發(fā)沉積和構(gòu)圖工藝，還無(wú)法提供較好的可行性方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板制備工藝中，對(duì)非顯示區(qū)內(nèi)的陰極層進(jìn)行刻蝕時(shí)會(huì)導(dǎo)致源漏極金屬層被損壞的問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板包括顯示區(qū)和除顯示區(qū)之外的非顯示區(qū)，方法包括:
[0008]在襯底基板上形成源漏極金屬層，所述源漏極金屬層包括位于所述顯示區(qū)的薄膜晶體管的源電極和漏電極、以及位于所述非顯示區(qū)的第一電極；
[0009]在所述源漏極金屬層之上形成保護(hù)層，使所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度小于所述顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度；
[0010]在所述保護(hù)層之上形成陰極層，去除位于所述非顯示區(qū)的所述陰極層；
[0011]去除位于所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層。
[0012]本實(shí)施例中，陣列基板的制備工藝中，在陣列基板的非顯示區(qū)內(nèi)，形成陰極層之前，在源漏極金屬層之上形成減薄的平坦化膜層作為保護(hù)層，再形成陰極層并刻蝕。由于保護(hù)層能夠在刻蝕陰極層時(shí)，避免刻蝕液對(duì)源漏極金屬層的腐蝕，并隔絕陰極層和源漏極金屬層，避免發(fā)生原電池效應(yīng)導(dǎo)致所述源漏極金屬層發(fā)生氧化反應(yīng)，從而避免源漏極金屬層被損壞的問(wèn)題；平坦化膜層的制備工序不需要單獨(dú)研發(fā)，容易實(shí)現(xiàn)且成本較低。
[0013]優(yōu)選的，在襯底基板上形成源漏極金屬層，所述源漏極金屬層包括位于所述顯示區(qū)的薄膜晶體管的源電極和漏電極、以及位于所述非顯示區(qū)的第一電極，包括:
[0014]以鋁薄膜、鉬薄膜和鎢薄膜中任意一種單層膜層或至少兩種構(gòu)成的復(fù)合膜層形成源漏極金屬薄膜，或者以鋁、鉬和鎢中至少兩種的合金形成源漏極金屬薄膜；
[0015]通過(guò)一道構(gòu)圖工藝使所述源漏極金屬薄膜形成包括所述第一電極、所述薄膜晶體管的源電極和漏電極的源漏極金屬層。
[0016]優(yōu)選的，在所述源漏極金屬層之上形成保護(hù)層，使所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度小于所述顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度，包括:
[0017]在所述源漏極金屬層之上形成平坦化膜層，通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝使所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度小于所述顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度。
[0018]優(yōu)選的，在在所述源漏極金屬層之上形成平坦化膜層，通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝使所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度小于所述顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度，具體包括:
[0019]以有機(jī)光阻材料在所述源漏極金屬層之上形成厚度為8000埃?20000埃的所述平坦化膜層作為所述保護(hù)層，
[0020]通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝使所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層減薄至厚度為1000埃?8000埃。
[0021]優(yōu)選的，在所述保護(hù)層之上形成陰極層，去除位于所述非顯示區(qū)的所述陰極層，包括:
[0022]通過(guò)濺射或蒸鍍工藝在所述保護(hù)層至少形成陰極層，通過(guò)一道構(gòu)圖工藝，去除位于所述非顯示區(qū)的所述陰極層。
[0023]優(yōu)選的，去除位于非顯示區(qū)的所述保護(hù)層，包括:
[0024]在所述陰極層之上形成像素定義層，采用灰化工藝去除所述非顯示區(qū)內(nèi)所述像素定義層的圖形覆蓋之外的所述保護(hù)層。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:陣列基板的制備工藝中，在陣列基板的非顯示區(qū)內(nèi)，形成陰極層之前，在源漏極金屬層之上形成減薄的平坦化膜層作為保護(hù)層，再形成陰極層并刻蝕。由于保護(hù)層能夠在刻蝕陰極層時(shí)，避免刻蝕液對(duì)源漏極金屬層的腐蝕，并隔絕陰極層和源漏極金屬層，避免發(fā)生原電池效應(yīng)導(dǎo)致所述源漏極金屬層發(fā)生氧化反應(yīng)，從而避免源漏極金屬層被損壞的問(wèn)題；平坦化膜層的制備工序不需要單獨(dú)研發(fā)，容易實(shí)現(xiàn)且成本較低。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，采用如上實(shí)施例提供的制備方法制備。
[0027]優(yōu)選的，所述第一電極的厚度為1000埃?5000埃。
[0028]優(yōu)選的，所述陰極層包括陰極金屬層和形成于所述陰極金屬層之上的像素電極層，所述陰極金屬層的材料包括銀或銀合金，所述陰極層的厚度為1000埃?5000埃。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:陣列基板的制備工藝中，在陣列基板的非顯示區(qū)內(nèi)，形成陰極層之前，在源漏極金屬層之上形成減薄的平坦化膜層作為保護(hù)層，再形成陰極層并刻蝕。由于保護(hù)層能夠在刻蝕陰極層時(shí)，避免刻蝕液對(duì)源漏極金屬層的腐蝕，并隔絕陰極層和源漏極金屬層，避免發(fā)生原電池效應(yīng)導(dǎo)致所述源漏極金屬層發(fā)生氧化反應(yīng)，從而避免源漏極金屬層被損壞的問(wèn)題；平坦化膜層的制備工序不需要單獨(dú)研發(fā)，容易實(shí)現(xiàn)且成本較低。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，包括如上實(shí)施例提供的所述陣列基板。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:陣列基板的制備工藝中，在陣列基板的非顯示區(qū)內(nèi)，形成陰極層之前，在源漏極金屬層之上形成減薄的平坦化膜層作為保護(hù)層，再形成陰極層并刻蝕。由于保護(hù)層能夠在刻蝕陰極層時(shí)，避免刻蝕液對(duì)源漏極金屬層的腐蝕，并隔絕陰極層和源漏極金屬層，避免發(fā)生原電池效應(yīng)導(dǎo)致所述源漏極金屬層發(fā)生氧化反應(yīng)，從而避免源漏極金屬層被損壞的問(wèn)題；平坦化膜層的制備工序不需要單獨(dú)研發(fā)，容易實(shí)現(xiàn)且成本較低。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括如上實(shí)施例提供的所述顯示面板。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:陣列基板的制備工藝中，在陣列基板的非顯示區(qū)內(nèi)，形成陰極層之前，在源漏極金屬層之上形成減薄的平坦化膜層作為保護(hù)層，再形成陰極層并刻蝕。由于保護(hù)層能夠在刻蝕陰極層時(shí)，避免刻蝕液對(duì)源漏極金屬層的腐蝕，并隔絕陰極層和源漏極金屬層，避免發(fā)生原電池效應(yīng)導(dǎo)致所述源漏極金屬層發(fā)生氧化反應(yīng)，從而避免源漏極金屬層被損壞的問(wèn)題；平坦化膜層的制備工序不需要單獨(dú)研發(fā)，容易實(shí)現(xiàn)且成本較低。
【附圖說(shuō)明】
[0034]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制備方法的流程圖；
[0035]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中形成源漏極金屬層的示意圖；
[0036]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中形成減薄的平坦化膜層作為保護(hù)層的示意圖；
[0037]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中濕法刻蝕陰極層的示意圖；
[0038]圖5為本發(fā)明實(shí)施例中以灰化工藝去除部分減薄的平坦化膜層的示意圖；
[0039]圖6為本發(fā)明實(shí)施例中去除部分減薄的平坦化膜層后的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需要注意的是，自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0041]參見(jiàn)圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，陣列基板包括顯示區(qū)和除顯示區(qū)之外的非顯示區(qū)，方法包括:
[0042]101，在襯底基板上形成源漏極金屬層，源漏極金屬層包括位于顯示區(qū)的薄膜晶體管的源電極和漏電極、以及位于非顯示區(qū)的第一電極。
[0043]優(yōu)選的，可以采用鋁薄膜、鉬薄膜和鎢薄膜中任意一種單層膜層或至少兩種構(gòu)成的復(fù)合膜層形成源漏極金屬薄膜，或者以鋁、鉬和鎢中至少兩種的合金形成源漏極金屬薄膜。本實(shí)施例中，源漏極金屬薄膜的制備不需要特殊的金屬材料。
[0044]通過(guò)一道構(gòu)圖工藝使源漏極金屬薄膜形成包括第一電極、薄膜晶體管的源電極和漏電極的源漏極金屬層。
[0045]優(yōu)選的，形成的源漏極金屬層的厚度可以為1000埃?5000埃。
[0046]102，在源漏極金屬層之上形成保護(hù)層，使非顯示區(qū)的保護(hù)層的厚度小于顯示區(qū)的保護(hù)層的厚度。
[0047]通常，在源漏極金屬層之上形成平坦化膜層，通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝使非顯示區(qū)的保護(hù)層的厚度小于顯示區(qū)的保護(hù)層的厚度。
[0048]具體包括:
[0049]以有機(jī)光阻材料在源漏極金屬層之上形成厚度為8000埃?20000埃為平坦化膜層作為保護(hù)層，通過(guò)半色調(diào)掩膜工藝使非顯示區(qū)的保護(hù)層減薄至厚度為1000埃?8000埃。
[0050]當(dāng)然，平坦化膜層的減薄程度依對(duì)刻蝕的影響可以進(jìn)行調(diào)整，以盡量薄且能阻止刻蝕損壞為目的。
[0051]需要說(shuō)明的是，由于后續(xù)形成的陰極層的刻蝕工藝通常采用濕法刻蝕工藝，因此該平坦化膜層的主要作用是阻止源漏極金屬層和陰極層之間產(chǎn)生原電