極效應(yīng)，避免發(fā)生原電池效應(yīng)導(dǎo)致源漏極金屬層發(fā)生氧化反應(yīng)，從而避免源漏極金屬層被損壞。
[0052]103，在保護(hù)層之上形成陰極層，去除位于非顯示區(qū)的陰極層。
[0053]優(yōu)選的，通過濺射或蒸鍍工藝在保護(hù)層之上形成陰極層，通過一道構(gòu)圖工藝，去除位于非顯示區(qū)的陰極層。
[0054]由于現(xiàn)有技術(shù)中非顯示區(qū)的陰極層的圖案與下方的第一電極的圖案是一樣的，因此刻蝕時(shí)需要考慮第一電極的圖案。在本步驟中，可以去除非顯示區(qū)內(nèi)的全部陰極層。當(dāng)然，如果需要保留部分陰極層，可以在需要保留的部分陰極層的上方形成如步驟104中指出的像素定義層進(jìn)行遮擋。
[0055]本實(shí)施例中的陰極層可以為ITO(Indium tin oxide，氧化銦錫)膜層和陰極金屬層的疊層，陰金屬層可以為銀膜層或銀合金膜層。因此，陰極層可以如下:例如，陰極層為銀膜層之上形成ITO膜層的疊層；又例如，陰極層為銀合金的膜層之上形成ITO膜層的疊層。
[0056]可以以1000埃?5000埃的厚度形成陰極層，優(yōu)選的，以1500埃?4000埃的厚度形成陰極層。
[0057]104，去除位于非顯示區(qū)的保護(hù)層。
[0058]優(yōu)選的，在陰極層之上形成像素定義層，采用灰化工藝去除非顯示區(qū)內(nèi)像素定義層的圖形覆蓋之外的保護(hù)層。
[0059]需要說明的是，有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板，通常采用低溫多晶硅制備薄膜晶體管的有源層，低溫多晶硅相對于非晶硅陣列基板具有高迀移率(可達(dá)非晶硅的數(shù)百倍)的優(yōu)點(diǎn)，薄膜晶體管尺寸可以做得很小，并且反應(yīng)速度快。
[0060]為了清晰的對本實(shí)施例提供的陣列基板的制備方法進(jìn)行描述，結(jié)合圖2至圖6 (圖2至圖6的附圖標(biāo)記含義相同)，為了使附圖更直觀且便于理解，因此僅以非顯示區(qū)內(nèi)，在需要刻蝕掉的陰極層所對應(yīng)的部分為例，具體說明如下:
[0061]參見圖2，形成源漏極金屬層I。
[0062]參見圖3，在源漏極金屬層I上形成平坦化膜層后，通過半色調(diào)掩膜工藝使平坦化膜層減薄，虛線部分22為減薄時(shí)去除的平坦化膜層，保留減薄膜的平坦化膜層作為保護(hù)層
21ο
[0063]參見圖4，在保護(hù)層21上形成陰極層3，具體工藝包括濺射或蒸鍍，并以構(gòu)圖工藝10圖案化陰極層3，構(gòu)圖工藝10可以包括曝光、顯影、刻蝕等。在本實(shí)施例中，為了便于說明，該陰極層3均為需要刻蝕后去除的部分。
[0064]參見圖5，構(gòu)圖工藝10完成后的陰極層3上形成像素定義層4，并以灰化工藝11去除非顯示區(qū)內(nèi)像素定義層4覆蓋區(qū)域之外的保護(hù)層21。
[0065]參見圖6，已經(jīng)去除非顯示區(qū)內(nèi)像素定義層4覆蓋區(qū)域之外的保護(hù)層21所保留的源漏極金屬層I的部分保護(hù)層21，由于在構(gòu)圖工藝10實(shí)施時(shí)，保護(hù)層21對源漏極金屬層I進(jìn)行保護(hù)，且保護(hù)層21隔絕源漏極金屬層I和陰極層3，使得源漏極金屬層I不會被腐蝕，也避免產(chǎn)生原電極效應(yīng)被損壞。
[0066]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:陣列基板的制備工藝中，在陣列基板的非顯示區(qū)內(nèi)，形成陰極層之前，在源漏極金屬層之上形成減薄的平坦化膜層作為保護(hù)層，再形成陰極層并刻蝕。由于保護(hù)層能夠在刻蝕陰極層時(shí)，避免刻蝕液對源漏極金屬層的腐蝕，并隔絕陰極層和源漏極金屬層，避免發(fā)生原電池效應(yīng)導(dǎo)致源漏極金屬層發(fā)生氧化反應(yīng)，從而避免源漏極金屬層被損壞的問題；平坦化膜層的制備工序不需要單獨(dú)研發(fā)，容易實(shí)現(xiàn)且成本較低。
[0067]根據(jù)同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，采用如上實(shí)施例提供的制備方法制備。
[0068]優(yōu)選的，第一電極的厚度為1000埃?5000埃。
[0069]優(yōu)選的，陰極層包括陰極金屬層和形成于陰極金屬層之上的像素電極層，陰極金屬層的材料包括銀或銀合金，陰極層的厚度為1000埃?5000埃。
[0070]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:陣列基板的制備工藝中，在陣列基板的非顯示區(qū)內(nèi)，形成陰極層之前，在源漏極金屬層之上形成減薄的平坦化膜層作為保護(hù)層，再形成陰極層并刻蝕。由于保護(hù)層能夠在刻蝕陰極層時(shí)，避免刻蝕液對源漏極金屬層的腐蝕，并隔絕陰極層和源漏極金屬層，避免發(fā)生原電池效應(yīng)導(dǎo)致源漏極金屬層發(fā)生氧化反應(yīng)，從而避免源漏極金屬層被損壞的問題；平坦化膜層的制備工序不需要單獨(dú)研發(fā)，容易實(shí)現(xiàn)且成本較低。
[0071]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括如上實(shí)施例提供的陣列基板。
[0072]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:陣列基板的制備工藝中，在陣列基板的非顯示區(qū)內(nèi)，形成陰極層之前，在源漏極金屬層之上形成減薄的平坦化膜層作為保護(hù)層，再形成陰極層并刻蝕。由于保護(hù)層能夠在刻蝕陰極層時(shí)，避免刻蝕液對源漏極金屬層的腐蝕，并隔絕陰極層和源漏極金屬層，避免發(fā)生原電池效應(yīng)導(dǎo)致源漏極金屬層發(fā)生氧化反應(yīng)，從而避免源漏極金屬層被損壞的問題；平坦化膜層的制備工序不需要單獨(dú)研發(fā)，容易實(shí)現(xiàn)且成本較低。
[0073]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如上實(shí)施例提供的顯示面板，所述顯示裝置可以為:電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件的顯示裝置。
[0074]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:陣列基板的制備工藝中，在陣列基板的非顯示區(qū)內(nèi)，形成陰極層之前，在源漏極金屬層之上形成減薄的平坦化膜層作為保護(hù)層，再形成陰極層并刻蝕。由于保護(hù)層能夠在刻蝕陰極層時(shí)，避免刻蝕液對源漏極金屬層的腐蝕，并隔絕陰極層和源漏極金屬層，避免發(fā)生原電池效應(yīng)導(dǎo)致源漏極金屬層發(fā)生氧化反應(yīng)，從而避免源漏極金屬層被損壞的問題；平坦化膜層的制備工序不需要單獨(dú)研發(fā)，容易實(shí)現(xiàn)且成本較低。
[0075]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板包括顯示區(qū)和除顯示區(qū)之外的非顯示區(qū)，其特征在于，方法包括: 在襯底基板上形成源漏極金屬層，所述源漏極金屬層包括位于所述顯示區(qū)的薄膜晶體管的源電極和漏電極、以及位于所述非顯示區(qū)的第一電極； 在所述源漏極金屬層之上形成保護(hù)層，使所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度小于所述顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度； 在所述保護(hù)層之上形成陰極層，去除位于所述非顯示區(qū)的所述陰極層； 去除位于所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層。2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在襯底基板上形成源漏極金屬層，所述源漏極金屬層包括位于所述顯示區(qū)的薄膜晶體管的源電極和漏電極、以及位于所述非顯示區(qū)的第一電極，包括: 以鋁薄膜、鉬薄膜和鎢薄膜中任意一種單層膜層或至少兩種構(gòu)成的復(fù)合膜層形成源漏極金屬薄膜，或者以鋁、鉬和鎢中至少兩種的合金形成源漏極金屬薄膜； 通過一道構(gòu)圖工藝使所述源漏極金屬薄膜形成包括所述第一電極、所述薄膜晶體管的源電極和漏電極的源漏極金屬層。3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述源漏極金屬層之上形成保護(hù)層，使所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度小于所述顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度，包括: 在所述源漏極金屬層之上形成平坦化膜層，通過半色調(diào)掩膜工藝使所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度小于所述顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度。4.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述源漏極金屬層之上形成平坦化膜層，通過半色調(diào)掩膜工藝使所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度小于所述顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度，具體包括: 以有機(jī)光阻材料在所述源漏極金屬層之上形成厚度為8000埃?20000埃的所述平坦化膜層作為所述保護(hù)層， 通過半色調(diào)掩膜工藝使所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層減薄至厚度為1000埃?8000埃。5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述保護(hù)層之上形成陰極層，去除位于所述非顯示區(qū)的所述陰極層，包括: 通過濺射或蒸鍍工藝在所述保護(hù)層之上形成陰極層，通過一道構(gòu)圖工藝，去除位于所述非顯示區(qū)的所述陰極層。6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，去除位于所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層，包括: 在所述陰極層之上形成像素定義層，采用灰化工藝去除所述非顯示區(qū)內(nèi)所述像素定義層的圖形覆蓋之外的所述保護(hù)層。7.—種陣列基板，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的制備方法制備。8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極的厚度為1000埃?5000埃。9.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述陰極層包括陰極金屬層和形成于所述陰極金屬層之上的像素電極層，所述陰極金屬層的材料包括銀或銀合金，所述陰極層的厚度為1000埃?5000埃。10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求7至9任一項(xiàng)所述的陣列基板。11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求10所述的顯示面板。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的陣列基板制備工藝中，對非顯示區(qū)內(nèi)的陰極層進(jìn)行刻蝕時(shí)會導(dǎo)致源漏極金屬層被損壞的問題。陣列基板包括顯示區(qū)和除顯示區(qū)之外的非顯示區(qū)，方法包括：在襯底基板上形成源漏極金屬層，所述源漏極金屬層包括位于所述顯示區(qū)的薄膜晶體管的源電極和漏電極、以及位于所述非顯示區(qū)的第一電極；在所述源漏極金屬層之上形成保護(hù)層，使所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度小于所述顯示區(qū)的所述保護(hù)層的厚度；在所述保護(hù)層之上形成陰極層，去除位于所述非顯示區(qū)的所述陰極層；去除位于所述非顯示區(qū)的所述保護(hù)層。
【IPC分類】H01L27/12, H01L51/50, H01L51/56, H01L21/77, H01L51/52
【公開號】CN104900656
【申請?zhí)枴緾N201510263070
【發(fā)明人】劉政, 李棟, 李小龍
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年5月21日