-AlAsP、n-AlGalnP 材料，n 型慘雜的濃度為 I X 1017cm 3-1 X 1021cm 3,厚度為 0.1 μ m-10 μ m ；
[0029]根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，所述的窗口層可以是MOCVD技術(shù)制備的n-GaP、n_Al InP、n-GalnP、n-GaAs> n-AlAs、n-AlGaAs、n-AlAsP、n-AlGalnP 材料，n 型慘雜的濃度為I X 1017cm 3-1 X 1021cm 3,厚度為 0.1 μ m-10 μ m ；
[0030]根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的，所述的氧化銦錫層使用蒸發(fā)或濺射方式制備；所述氧化銦錫層覆蓋于窗口層之上并以圓柱體形式貫穿開孔的窗口層與η型半導(dǎo)體接觸層直接接觸；覆蓋于窗口層之上的氧化銦錫層厚度為0.1 μ m-5 μ m ;所述氧化銦錫層圓柱體的直徑為5 μ m-50 μ m ;所述窗口層的孔的直徑等于或略大于氧化銦錫層圓柱體的直徑，以能插入氧化銦錫層圓柱體為宜；所述窗口層的開孔深度等于窗口層的厚度；
[0031]根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選的,所述的η電極僅包含焊盤結(jié)構(gòu),可以選用Au、Ge、N1、T1、Cr、Al、Ag、Cu、Be、Pd、Pt材料的單一材料或多個材料的組合，使用蒸發(fā)或濺射的方式制備，厚度為 0.5 μ m-10 μ m。
[0032]本發(fā)明的優(yōu)良效果如下:
[0033]1.本發(fā)明所述的一種窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，可以減少AlGaInP基LED窗口層的η面電極遮擋出光75%以上，顯著提升光提取效率。
[0034]2.本發(fā)明所述的一種窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，可以消除AlGaInP基LED窗口層與η面電極之間的GaAs歐姆接觸層光吸收，顯著提升光提取效率的同時降低發(fā)熱量，有效延長器件壽命。
[0035]3.本發(fā)明所述的一種窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，由于氧化銦錫的電導(dǎo)率明顯優(yōu)于半導(dǎo)體材料，可以顯著提升器件的電流擴(kuò)展能力從而體現(xiàn)大功率芯片的尺寸成本優(yōu)勢與高可靠性。
[0036]4.本發(fā)明所述的一種窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，易于與現(xiàn)有生產(chǎn)工藝相集成，成本與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)芯片接近，具備顯著的性價比優(yōu)勢。
【附圖說明】
[0037]圖1為本發(fā)明所述的窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0038]圖2為本發(fā)明所述的窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的俯視不意圖。
[0039]圖中，1、P電極，2、襯底，3、鍵合層，4、反射鏡層，5、絕緣層，6、電流擴(kuò)展層，7、ρ型半導(dǎo)體層，8、有源區(qū)，9、η型半導(dǎo)體層，10、η型半導(dǎo)體接觸層，U、窗口層，12、氧化銦錫層，13、η電極。
【具體實施方式】
[0040]下面結(jié)合實施例和說明書附圖對本發(fā)明做詳細(xì)的說明，但不限于此。
[0041]實施例1:
[0042]一種窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，由底部至頂部的結(jié)構(gòu)依次為P電極1、襯底2、鍵合層3、反射鏡層4、絕緣層5、電流擴(kuò)展層6、P型半導(dǎo)體層
7、有源區(qū)8、η型半導(dǎo)體層9、η型半導(dǎo)體接觸層10、窗口層11、氧化銦錫層12、η電極13 ;所述氧化銦錫層12覆蓋于窗口層11之上并以圓柱體形式貫穿開孔的窗口層11與η型半導(dǎo)體接觸層10直接接觸。
[0043]所述ρ電極I制備在襯底2背面，選用Au、Ti材料的組合，使用蒸發(fā)方式制備，厚度為 0.5μ?? ;
[0044]所述襯底2為Si材料，厚度為20 μ m ;
[0045]所述鍵合層3選用Au材料,使用蒸發(fā)的方式制備，厚度為0.2 μ m ;
[0046]所述反射鏡層4選用Au、Be材料的組合,使用蒸發(fā)方式制備，厚度為0.1 μ m ;
[0047]所述絕緣層5選用S12材料，使用CVD方式制備，厚度為0.1 μ m ;
[0048]所述電流擴(kuò)展層6是MOCVD技術(shù)制備的ρ-GaP材料，ρ型摻雜的濃度為I X 11W3,厚度為0.1 μ m ;
[0049]所述ρ型半導(dǎo)體層7是MOCVD技術(shù)制備的p_AlInP材料，P型摻雜的濃度為I X 117CnT3,厚度為 0.1 μ m ；
[0050]所述有源區(qū)8是MOCVD技術(shù)制備的多量子阱結(jié)構(gòu)，使用AllnP、AlGaInP材料的組合；
[0051 ] 所述η型半導(dǎo)體層9是MOCVD技術(shù)制備的n_AlInP材料，η型摻雜的濃度為I X 117CnT3,厚度為 0.1 μ m ；
[0052]所述η型半導(dǎo)體接觸層10是MOCVD技術(shù)制備的n_GaP材料，η型摻雜的濃度為I X 117CnT3,厚度為 0.1 μ m ；
[0053]所述所述的窗口層11是MOCVD技術(shù)制備的n_AlGaInP材料，η型摻雜的濃度為I X 117CnT3,厚度為 0.1 μ m ；
[0054]所述氧化銦錫層12使用蒸發(fā)方式制備；覆蓋于窗口層11之上并以圓柱體形式貫穿開孔的窗口層11與η型半導(dǎo)體接觸層10直接接觸；覆蓋于窗口層11之上的氧化銦錫層12厚度為0.1 μ m ;所述氧化銦錫層12圓柱體的直徑為5 μ m ;所述窗口層11的孔的直徑等于氧化銦錫層12圓柱體的直徑，為5μπι;所述窗口層11的開孔深度等于窗口層11的厚度0.1 μ m ；
[0055]所述η電極13僅包含焊盤結(jié)構(gòu)，選用N1、Al材料的組合，使用蒸發(fā)的方式制備，厚度為0.5 μ m。
[0056]實施例2:
[0057]一種如實施例1所述的窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其區(qū)別在于，
[0058]所述ρ電極I制備在襯底2背面，選用Al、Ti材料的組合，使用蒸發(fā)方式制備，厚度為Iym;
[0059]所述襯底2為Cu材料，厚度為50μπι;
[0060]所述鍵合層3選用Au、In材料組合,使用蒸發(fā)的方式制備，厚度為Iym;
[0061]所述反射鏡層4選用Ag、N1、Al材料的組合，使用濺射方式制備，厚度為0.5 μ m ;
[0062]所述絕緣層5選用T12材料，使用CVD方式制備，厚度為0.2 μ m ;
[0063]所述電流擴(kuò)展層6是MOCVD技術(shù)制備的p-GalnP材料，P型摻雜的濃度為IX 119CnT3,厚度為 I μ m ；
[0064]所述ρ型半導(dǎo)體層7是MOCVD技術(shù)制備的p-AlGalnP材料，ρ型摻雜的濃度為I X 118Cm 3,厚度為 0.3 μ m ；
[0065]所述有源區(qū)8是MOCVD技術(shù)制備的多量子阱結(jié)構(gòu)，使用GalnP、AlGaInP材料的組合；
[0066]所述η型半導(dǎo)體層9是MOCVD技術(shù)制備的n_AlGaInP材料，η型摻雜的濃度為I X 118Cm 3,厚度為 0.3 μ m ；
[0067]所述η型半導(dǎo)體接觸層10是MOCVD技術(shù)制備的n_GaInP材料，η型摻雜的濃度為I X 118Cm 3,厚度為 0.5 μ m ；
[0068]所述所述的窗口層11可以是MOCVD技術(shù)制備的n_GaP材料，η型摻雜的濃度為I X 118Cm 3,厚度為 0.5 μ m ；
[0069]所述氧化銦錫層12使用蒸發(fā)方式制備；覆蓋于窗口層11之上并以圓柱體形式貫穿開孔的窗口層11與η型半導(dǎo)體接觸層10直接接觸；覆蓋于窗口層11之上的氧化銦錫層12厚度為0.2μπι;所述氧化銦錫層12圓柱體的直徑為1ym;所述窗口層11的孔的直徑大于氧化銦錫層12圓柱體的直徑，為10.1 μ m ;所述窗口層11的開孔深度等于窗口層11的厚度0.5 μ m ；
[0070]所述η電極13僅包含焊盤結(jié)構(gòu)，選用T1、Au材料的組合，使用濺射的方式制備，厚度為I μ m。
[0071]實施例3:
[0072]一種如實施例1所述的窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其區(qū)別在于，
[0073]所述ρ電極I制備在襯底2背面，選用Ag、N1、Pt材料的組合，使用濺射方式制備，厚度為I μ m ;
[0074]所述襯底2為GaAs材料，厚度為100 μ m ;
[0075]所述鍵合層3選用Al、Sn材料組合,使用蒸發(fā)的方式制備,厚度為1.5μηι;
[0076]所述反射鏡層4選用Au、Cr材料的組合,使用派射方式制備，厚度為Iym;
[0077]所述絕緣層5選用Si3N4材料，使用CVD方式制備，厚度為0.5 μ m ;
[0078]所述電流擴(kuò)展層6是MOCVD技術(shù)制備的p_GaAs材料，P型摻雜的濃度為I X 120CnT3,厚度為 2 μ m ;
[0079]所述ρ型半導(dǎo)體層7是MOCVD技術(shù)制備的p-AIGaAs材料，P型摻雜的濃度為IX 119CnT3,厚度為 I μ m ；
[0080]所述有源區(qū)8是MOCVD技術(shù)制備的多異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，使用AlGaAs、AlAs材料的組合；
[0081]所述η型半導(dǎo)體層9是MOCVD技術(shù)制備的n-AlGaAs材料，η型摻雜的濃度為1父1019011-3，厚度為211111;
[0082]所述η型半導(dǎo)體接觸層10是MOCVD技術(shù)制備的n_AlGaAs材料，η型摻雜的濃度為 I X 119CnT3,厚度為 I μ m ；
[0083]所述所述的窗口層11可以是MOCVD技術(shù)制備的n_AlAsP材料，η型摻雜的濃度為IX 119CnT3,厚度為 I μ m ；
[0084]所述氧化銦錫層12使用蒸發(fā)方式制備；覆蓋于窗口層11之上并以圓柱體形式貫穿開孔的窗口層11與η型半導(dǎo)體接觸層10直接接觸；