覆蓋于窗口層11之上的氧化銦錫層12厚度為0.5μπι ;所述氧化銦錫層12圓柱體的直徑為20 μ m ;所述窗口層11的孔的直徑等于氧化銦錫層12圓柱體的直徑，為20 μ m ;所述窗口層11的開(kāi)孔深度等于窗口層11的厚度I μ m ;
[0085]所述η電極13僅包含焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，選用Cr、Al材料的組合，使用濺射的方式制備，厚度為2 μ m。
[0086]實(shí)施例4:
[0087]一種如實(shí)施例1所述的窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其區(qū)別在于，
[0088]所述ρ電極I制備在襯底2背面,選用Cr、Au材料的組合,使用派射方式制備,厚度為2μ?? ;
[0089]所述襯底2為Mo材料，厚度為150μπι;
[0090]所述鍵合層3選用Cr、T1、Al材料組合,使用蒸發(fā)的方式制備,厚度為2μηι ;
[0091 ] 所述反射鏡層4選用N1、Al材料的組合，使用濺射方式制備，厚度為2 μ m ;
[0092]所述絕緣層5選用Si3N4材料，使用CVD方式制備，厚度為I μ m ;
[0093]所述電流擴(kuò)展層6是MOCVD技術(shù)制備的p-GaP材料，ρ型摻雜的濃度為IX 1021cnT3，厚度為4μ m ;
[0094]所述ρ型半導(dǎo)體層7是MOCVD技術(shù)制備的p-AIGaAs材料，P型摻雜的濃度為I X 120CnT3,厚度為 2 μ m ;
[0095]所述有源區(qū)8是MOCVD技術(shù)制備的多量子阱結(jié)構(gòu)，使用AlGaInP材料；
[0096]所述η型半導(dǎo)體層9是MOCVD技術(shù)制備的n-AlGaAs材料，η型摻雜的濃度為I X 1020cnT3，厚度為 2 μ m ;
[0097]所述η型半導(dǎo)體接觸層10是MOCVD技術(shù)制備的n_GaAsP材料，η型摻雜的濃度為I X 120CnT3,厚度為 2 μ m ;
[0098]所述所述的窗口層11可以是MOCVD技術(shù)制備的n_AlGaInP材料，η型摻雜的濃度為 1父102°011-3，厚度為211111;
[0099]所述氧化銦錫層12使用蒸發(fā)方式制備；覆蓋于窗口層11之上并以圓柱體形式貫穿開(kāi)孔的窗口層11與η型半導(dǎo)體接觸層10直接接觸；覆蓋于窗口層11之上的氧化銦錫層12厚度為Iym;所述氧化銦錫層12圓柱體的直徑為25 μ m;所述窗口層11的孔的直徑大于氧化銦錫層12圓柱體的直徑，為25.2μπι;所述窗口層11的開(kāi)孔深度等于窗口層11的厚度2 μ m ;
[0100]所述η電極13僅包含焊盤(pán)結(jié)構(gòu),選用N1、T1、Ag材料的組合,使用派射的方式制備，厚度為3 μ m。
[0101]實(shí)施例5:
[0102]一種如實(shí)施例1所述的窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其區(qū)別在于，
[0103]所述ρ電極I制備在襯底2背面，選用Pt、Ag材料的組合，使用蒸發(fā)方式制備，厚度為5μ?? ;
[0104]所述襯底2為SiC材料，厚度為200μπι;
[0105]所述鍵合層3選用Pt、T1、Au、In材料組合,使用蒸發(fā)的方式制備，厚度為3 μ m ;
[0106]所述反射鏡層4選用Au、Be材料的組合,使用蒸發(fā)方式制備，厚度為4 μ m ;
[0107]所述絕緣層5選用S12材料，使用蒸發(fā)方式制備，厚度為2 μ m ;
[0108]所述電流擴(kuò)展層6是MOCVD技術(shù)制備的p-GaP材料，ρ型摻雜的濃度為IX 1021cnT3，厚度為6 μ m ;
[0109]所述ρ型半導(dǎo)體層7是MOCVD技術(shù)制備的_ρ_Α1ΙηΡ材料，P型摻雜的濃度為I X 121CnT3,厚度為 4 μ m ；
[0110]所述有源區(qū)8是MOCVD技術(shù)制備的多量子阱結(jié)構(gòu)，使用AlInP、AlGaInP材料組合；
[0111]所述η型半導(dǎo)體層9是MOCVD技術(shù)制備的η_Α1ΙηΡ材料，η型摻雜的濃度為I X 1020cnT3，厚度為 2 μ m ;
[0112]所述)η型半導(dǎo)體接觸層10是MOCVD技術(shù)制備的η_Α1ΙηΡ材料，η型摻雜的濃度為 I X 121CnT3,厚度為 4 μ m ;
[0113]所述所述的窗口層11可以是MOCVD技術(shù)制備的n_AlGaInP材料，η型摻雜的濃度為 I X 121CnT3,厚度為 4 μ m ;
[0114]所述氧化銦錫層12使用蒸發(fā)方式制備；覆蓋于窗口層11之上并以圓柱體形式貫穿開(kāi)孔的窗口層11與η型半導(dǎo)體接觸層10直接接觸；覆蓋于窗口層11之上的氧化銦錫層12厚度為2μπι ;所述氧化銦錫層12圓柱體的直徑為40 μ m ;所述窗口層11的孔的直徑等于氧化銦錫層12圓柱體的直徑，為40 μ m ;所述窗口層11的開(kāi)孔深度等于窗口層11的厚度 4μ m ;
[0115]所述η電極13僅包含焊盤(pán)結(jié)構(gòu),選用N1、Ge、Ag材料的組合,使用蒸發(fā)的方式制備，厚度為4μ m。
[0116]實(shí)施例6:
[0117]—種如實(shí)施例1所述的窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其區(qū)別在于，
[0118]所述ρ電極I制備在襯底2背面，選用N1、Cu材料的組合，使用蒸發(fā)方式制備，厚度為5μ?? ;
[0119]所述襯底2為Al材料，厚度為300μπι;
[0120]所述鍵合層3選用Pt、T1、Al、In材料組合，使用蒸發(fā)的方式制備，厚度為5 μ m ；
[0121]所述反射鏡層4選用Al、Be材料的組合，使用蒸發(fā)方式制備，厚度為5 μ m ;
[0122]所述絕緣層5選用S12材料，使用蒸發(fā)方式制備，厚度為5μπι;
[0123]所述電流擴(kuò)展層6是MOCVD技術(shù)制備的ρ-GalnP材料，P型摻雜的濃度為I X 121CnT3,厚度為 10 μ m ；
[0124]所述ρ型半導(dǎo)體層7是MOCVD技術(shù)制備的ρ-GalnP材料，P型摻雜的濃度為I X 121CnT3,厚度為 10 μ m ；
[0125]所述有源區(qū)8是MOCVD技術(shù)制備的多量子阱結(jié)構(gòu)，使用AllnP、GaInP材料組合；
[0126]所述η型半導(dǎo)體層9是MOCVD技術(shù)制備的n_AlAs材料，η型摻雜的濃度為I X 121CnT3,厚度為 5 μ m ；
[0127]所述η型半導(dǎo)體接觸層10是MOCVD技術(shù)制備的n_GaP材料，η型摻雜的濃度為I X 121CnT3,厚度為 10 μ m ；
[0128]所述所述的窗口層11可以是MOCVD技術(shù)制備的n_AlAsP材料，η型摻雜的濃度為I X 121CnT3,厚度為 10 μ m ；
[0129]所述氧化銦錫層12使用蒸發(fā)方式制備；覆蓋于窗口層11之上并以圓柱體形式貫穿開(kāi)孔的窗口層11與η型半導(dǎo)體接觸層10直接接觸；覆蓋于窗口層11之上的氧化銦錫層12厚度為5μπι ;所述氧化銦錫層12圓柱體的直徑為50 μ m ;所述窗口層11的孔的直徑等于氧化銦錫層12圓柱體的直徑，為50 μ m ;所述窗口層11的開(kāi)孔深度等于窗口層11的厚度 ΙΟμπι ;
[0130]所述η電極13僅包含焊盤(pán)結(jié)構(gòu),選用Al材料,使用蒸發(fā)的方式制備,厚度為5 μ m。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，其山底部至頂部的結(jié)構(gòu)依次為P電極、襯底、鍵合層、反射鏡層、絕緣層、電流擴(kuò)展層、P型半導(dǎo)體層、有源區(qū)、η型半導(dǎo)體層、η型半導(dǎo)體接觸層、窗口層、氧化銦錫層、η電極；所述氧化銦錫層覆蓋于窗口層之上并以圓柱體形式貫穿開(kāi)孔的窗口層與η型半導(dǎo)體接觸層直接接觸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的窗口層可以是MOCVD技術(shù)制備的n-GaP、n-AlInP、n-GaInP、n-GaAs、n-AIAs、n-AlGaAs、n-AlAsP、n-AlGaInP 材料，η 型摻雜的濃度為 I X 117CnT3-1 X 121Cm-3,厚度為 0.1 μ m-10 μ m。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的氧化銦錫層使用蒸發(fā)或?yàn)R射方式制備；覆蓋于窗口層之上的氧化銦錫層厚度為0.1 μ m-5 μ m。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氧化銦錫層圓柱體的直徑為5 μ m-50 μ m。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述窗口層的孔的直徑等于或略大于氧化銦錫層圓柱體的直徑，以能插入氧化銦錫層圓柱部分為宜。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述窗口層的開(kāi)孔深度等于窗口層的厚度。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種窗口層覆蓋有氧化銦錫的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，由底部至頂部的結(jié)構(gòu)依次為p電極、襯底、鍵合層、反射鏡層、絕緣層、電流擴(kuò)展層、p型半導(dǎo)體層、有源區(qū)、n型半導(dǎo)體層、n型半導(dǎo)體接觸層、窗口層、氧化銦錫層、n電極；所述氧化銦錫層覆蓋于窗口層之上并以圓柱體形式貫穿開(kāi)孔的窗口層與n型半導(dǎo)體接觸層直接接觸。本發(fā)明可有效提升LED芯片的光提取效率與電流擴(kuò)展效率，并且易于與現(xiàn)有工藝相結(jié)合。
【IPC分類(lèi)】H01L33/42, H01L33/38
【公開(kāi)號(hào)】CN104916752
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410102782
【發(fā)明人】左致遠(yuǎn), 夏偉, 陳康, 湯福國(guó), 徐現(xiàn)剛
【申請(qǐng)人】山東華光光電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月16日
【申請(qǐng)日】2014年3月14日