一種復合薄膜及制備方法、有機發(fā)光二極管及封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種復合薄膜及其制備方法，以 及有機發(fā)光二極管及其封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 水和氧是有機發(fā)光二極管的天敵，它們不僅可以打開聚合物的不飽和鍵使其中的 有機材料加速老化，也會對有機發(fā)光二極管中的電極造成傷害。因此，對有機發(fā)光二極管的 封裝水平?jīng)Q定了其壽命和對環(huán)境的信賴性。
[0003] 紫外封裝是實驗室比較常見的封裝方法，成本低、操作簡單，但紫外膠在固化時會 接觸到有機發(fā)光二極管，對其造成不良影響，不能用于實際產(chǎn)業(yè)中。
[0004] 玻璃（Frit)封裝法是一種通過玻璃粉固化將封裝玻璃和基底連接的封裝方法。 但在該方法的玻璃粉固化的過程中會出現(xiàn)龜裂，空氣會從裂縫中進入有機發(fā)光二極管從而 影響其壽命。
[0005] 傳統(tǒng)薄膜封裝法相對以上方法，可以應用于實際產(chǎn)業(yè)中，且不會有空氣進入有機 發(fā)光二極管中。但傳統(tǒng)薄膜封裝法必須先制備有機發(fā)光二極管，然后在有機發(fā)光二極管上 沉積薄膜進行封裝，不能將有機發(fā)光二極管和薄膜分開制備再將兩者封裝，制備工藝復雜 且生產(chǎn)成本高。
[0006] 因此希望提供一種能單獨制備的用于封裝有機發(fā)光二極管的復合薄膜及封裝方 法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明提供了一種薄膜及其制備方法、有機發(fā)光二極管及其制備方法，解決了現(xiàn) 有技術(shù)中不能將有機發(fā)光二極管和薄膜分開制備的問題。
[0008] 本發(fā)明提供了一種復合薄膜，該復合薄膜包括：
[0009] 基底膜；
[0010] roDA層，所述TODA層沉積在所述基底膜第一面；
[0011] 氧化石墨稀層，所述氧化石墨稀層沉積在所述F1DDA層上；
[0012] 單分子層，所述單分子層自組裝在所述氧化石墨烯層表面，所述單分子層由式I 所示化合物組成
[0013]
O
[0014] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的復合薄膜，所述單分子層與所述氧化石墨烯層通過氫鍵連 接。
[0015] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的復合薄膜，所述氫鍵通過式I所示化合物中的_冊12與氧化 石墨烯層表面的-COOH和/或-OH產(chǎn)生。
[0016] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的復合薄膜，所述基底膜為PET膜。
[0017] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的復合薄膜，
[0018] 包括至少三層所述TODA層和至少三層所述氧化石墨烯層；
[0019] 所述TODA層和所述氧化石墨烯層交替沉積，且最后沉積層為氧化石墨烯層。
[0020] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的復合薄膜，所述基底膜第二面設置有用于觸摸屏的發(fā)射電 極和接收電極。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種復合薄膜的制備方法，該制備方法包括自組 裝步驟：將沉積有氧化石墨烯層的基底膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡，使式I所示化 合物自組裝在所述氧化石墨烯層上
[0022]
〇
[0023] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的制備方法，式I所示化合物的甲醇溶液濃度為3~5mg/ml。
[0024] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的制備方法，浸泡時間為90~150min。
[0025] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的制備方法，所述沉積有氧化石墨烯層的基底膜通過基底膜 的預處理步驟和靜電沉積步驟制成。
[0026] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的制備方法，所述基底膜的預處理步驟為將基底膜第一面進 行氧等離子體照射，在所述基底膜的第一面產(chǎn)生負氧離子。
[0027] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的制備方法，所述靜電沉積步驟為：
[0028] 將預處理的基底膜置于TODA電解質(zhì)溶液進行沉積，然后置于氧化石墨烯的分散 液中進行沉積；
[0029] 循環(huán)進行上述沉積操作至在基底膜上至少沉積有三層TODA層和三層氧化石墨烯 層，且最后沉積層為氧化石墨烯層。
[0030] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的制備方法，在進行所述基底膜預處理步驟之前包括制備電 極步驟：在所述基底膜的第二面制備用于觸摸屏的發(fā)射電極和接收電極。
[0031] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機發(fā)光二極管，該有機發(fā)光二極管采用根 據(jù)本發(fā)明的復合薄膜進行封裝。
[0032] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光二極管，封裝前在有機發(fā)光二極管表面沉積了一 層聚合物。
[0033] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光二極管，所述聚合物含有活性H原子，所述活性H 原子與根據(jù)本發(fā)明的復合薄膜式I所示化合物的-N3形成共價鍵。
[0034] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機發(fā)光二極管的封裝方法，包括：
[0035] 沉積聚合物步驟：在有機發(fā)光二極管表面沉積一層含有活性H原子的聚合物；
[0036] 封裝步驟：將根據(jù)本發(fā)明的復合薄膜與有機發(fā)光二極管貼合，通過一定方式激活 式I所示化合物中的-N3基團，使-N3基團與所述活性H原子形成共價鍵，實現(xiàn)封裝。
[0037] 可選地，根據(jù)本發(fā)明的封裝方法，所述一定方式包括壓印、加熱和紫外照射。
[0038] 本發(fā)明的有益效果如下：
[0039] 根據(jù)本發(fā)明制備方法得到的復合薄膜，可以與含有活性氫原子的聚合物層形成共 價鍵進行化學連接使封裝更加牢固，利用本發(fā)明的復合薄膜和本發(fā)明方法可以將薄膜的制 備和發(fā)光二極管的制備分開進行，簡化生產(chǎn)工藝。且封裝后阻水阻氧效果良好，薄膜的透過 率也能高達到90%以上。
【附圖說明】
[0040] 圖1為氧化石墨烯分子結(jié)構(gòu)圖；
[0041]圖2為根據(jù)本發(fā)明一種實施方式的PET膜前處理步驟示意圖；
[0042] 圖3為根據(jù)本發(fā)明一種實施方式的靜電沉積步驟示意圖；
[0043] 圖4為根據(jù)本發(fā)明一種實施方式的自組裝步驟示意圖；
[0044]圖5為根據(jù)本發(fā)明一種實施方式的封裝后的有機發(fā)光二極管示意圖；
[0045] 圖6為根據(jù)本發(fā)明一種實施方式的封裝后的有機發(fā)光二極管示意圖；
[0046] 圖7為根據(jù)本發(fā)明封裝方法的封裝原理示意圖；
[0047] 圖8為用實施例1制備得到的復合薄膜封裝后的發(fā)光二極管的透過率曲線；
[0048] 圖9為用實施例1制備得到的復合薄膜封裝后的發(fā)光二極管與用PET膜封裝后的 發(fā)光二極管的水氧透過率曲線；
[0049]圖10為用實施例1制備得到的復合薄膜封裝后的發(fā)光二極管與用玻璃蓋片封裝 的有機發(fā)光二極管的亮度衰減曲線。
【具體實施方式】
[0050] 具體的實施方式僅為對本發(fā)明的說明，而不構(gòu)成對本
【發(fā)明內(nèi)容】
的限制，下面將結(jié) 合附圖和具體的實施方式對本發(fā)明進行進一步說明和描述。
[0051] 根據(jù)本發(fā)明復合薄膜，該復合薄膜包括：基底膜；PDDA層，PDDA層沉積在基底膜第 一面；氧化石墨烯層，氧化石墨烯層沉積在TODA層上；單分子層，單分子層自組裝在氧化石 墨烯層表面，單分子層由式I所示化合物組成
[0052]
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[0053] 根據(jù)本發(fā)明復合薄膜的單分子層式I所示化合物上的_隊基團可以與聚合物中的