時間為130min，至此自組裝步驟結(jié)束，復(fù)合薄 月旲的制備完成。
[0106] 實施例1-4均制備出了用于封裝沉積了含有活性氫原子聚合物的有機發(fā)光二極 管的復(fù)合薄膜；實施例5~6制備出了可以用于封裝沉積了含有活性氫原子聚合物的有機 發(fā)光二極管的薄膜，且封裝后的另一面還可以集成觸摸顯示屏。
[0107] 根據(jù)本發(fā)明有機發(fā)光二極管的封裝方法，將實施例1~4制備得到的復(fù)合薄膜用 于發(fā)光二極管的封裝。該封裝方法包括：沉積聚合物步驟：在有機發(fā)光二極管表面沉積一 層含有活性H原子的聚合物；封裝步驟：將實施例1~6制備得到的復(fù)合薄膜與有機發(fā)光二 極管貼合，通過壓印、加熱和紫外照射激活式I所示化合物中的-N3基團(tuán)，使-N3基團(tuán)與活性H原子形成共價鍵，實現(xiàn)封裝。
[0108] 利用根據(jù)本發(fā)明的制備方法制備得到的復(fù)合薄膜進(jìn)行有機發(fā)光二極管的封裝?？?以實現(xiàn)有機發(fā)光二極管和復(fù)合薄膜的分別制備，減少生產(chǎn)步驟，降低生產(chǎn)成本，易于實現(xiàn)工 業(yè)化，克服了傳統(tǒng)方法中在封裝二極管時為了沉積薄膜而將有機發(fā)光二極管置于溶液中， 損害有機發(fā)光二極管的性能；用本發(fā)明的復(fù)合薄膜進(jìn)行封裝，透過率可以達(dá)到90%以上； 且利用本發(fā)明的復(fù)合薄膜封裝后由于單分子層對氧化石墨烯和聚合物層進(jìn)行化學(xué)連接，結(jié) 合牢固，同時提高了阻水和阻氧性能。
[0109]申請人用分光光度計對用實施例1制備得到的復(fù)合薄膜（薄膜厚度約250um)的 透過率進(jìn)行了測試，測試結(jié)果如圖8所示，通過圖8可以看出，該薄膜在不同波長下測試得 到的透過率均在90%以上。
[0110]申請人將實施例1制備得到的復(fù)合薄膜（薄膜厚度約250um)和PET膜采用鈣鏡 法進(jìn)行了水氧透過率檢測，即將薄膜用環(huán)氧樹脂膠固定在鈣鏡測試設(shè)備上，在水汽和氧氣 的環(huán)境中測試鈣電阻的變化，電阻變化越快，則說明鈣被腐蝕的越快，封裝效果越差。測試 結(jié)果如圖9所示，其中R表示發(fā)光二極管的初始電阻，R'為透過水氧后的發(fā)光二極管的電 阻，R/R'為電阻變化率，曲線a為PET膜的水氧透過率曲線，曲線b為實施例1制備得到的 復(fù)合薄膜的水氧透過率曲線，根據(jù)圖9可以看出，曲線a在20小時內(nèi)，R'急劇增大，線b在 90個小時內(nèi)電阻變化不大，因此可以看出實施例1制備得到的復(fù)合薄膜的阻水阻氧性能良 好，封裝效果好。
[0111]申請人對用實施例1制備得到的復(fù)合薄膜（薄膜厚度約250um)封裝的發(fā)光二極 管和用玻璃蓋片封裝的發(fā)光二極管，進(jìn)行了亮度衰減測試，測試結(jié)果如圖10所示，其中，曲 線c為用玻璃蓋片封裝的發(fā)光二極管的亮度衰減曲線，曲線d為用實施例1制備得到的復(fù) 合薄膜封裝的發(fā)光二極管的亮度衰減曲線，由圖10可以看出，用實施例1制備得到的復(fù)合 薄膜封裝的發(fā)光二極管的亮度衰減速度略慢于用玻璃蓋片封裝的發(fā)光二極管的亮度衰減。
[0112] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種復(fù)合薄膜，其特征在于，該復(fù)合薄膜包括： 基底膜； TODA層，所述TODA層沉積在所述基底膜第一面； 氧化石墨烯層，所述氧化石墨烯層沉積在所述TODA層上；單分子層，所述單分子層自組裝在所述氧化石墨烯層表面，所述單分子層由I所示化 合物組成 〇2. 如權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜，其特征在于，所述單分子層與所述氧化石墨烯層通 過氫鍵連接。3. 如權(quán)利要求2所述的復(fù)合薄膜，其特征在于，所述氫鍵通過式I所示化合物中的-NH2 與氧化石墨烯層表面的-COOH和/或-OH產(chǎn)生。4. 如權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜，其特征在于，所述基底膜為PET膜。5. 如權(quán)利要求4所述的復(fù)合薄膜，其特征在于， 包括至少三層所述TODA層和至少三層所述氧化石墨烯層； 所述TODA層和所述氧化石墨烯層交替沉積，且最后沉積層為氧化石墨烯層。6. 如權(quán)利要求5所述的復(fù)合薄膜，其特征在于，所述基底膜第二面設(shè)置有用于觸摸屏 的發(fā)射電極和接收電極。7. -種復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，該制備方法包括自組裝步驟： 將沉積有氧化石墨烯層的基底膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡，使式I所示化合 物自組裝在所述氧化石墨烯層上O8. 如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，式I所示化合物的甲醇溶液濃度為3~ 5mg/ml〇9. 如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，浸泡時間為90~150min。10. 如權(quán)利要求7~9任一所述的制備方法，其特征在于，所述沉積有氧化石墨烯層的 基底膜通過基底膜預(yù)處理步驟和靜電沉積步驟制成。11. 如權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述基底膜的預(yù)處理步驟為將基底 膜第一面進(jìn)行氧等離子體照射，在所述基底膜的第一面產(chǎn)生負(fù)氧離子。12. 如權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述靜電沉積步驟為： 將預(yù)處理的基底膜置于TODA電解質(zhì)溶液進(jìn)行沉積，然后置于氧化石墨烯的分散液中 進(jìn)行沉積； 循環(huán)進(jìn)行上述沉積操作至在基底膜上至少沉積有三層TODA層和三層氧化石墨烯層， 且最后沉積層為氧化石墨烯層。13. 如權(quán)利要求10所述制備方法，其特征在于，在進(jìn)行所述基底膜預(yù)處理步驟之前包 括制備電極步驟：在所述基底膜的第二面制備用于觸摸屏的發(fā)射電極和接收電極。14. 一種有機發(fā)光二極管，其特征在于，該有機發(fā)光二極管采用權(quán)利要求1~6任一所 述復(fù)合薄膜進(jìn)行封裝。15. 如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光二極管，其特征在于，封裝前在有機發(fā)光二極管表 面沉積了一層聚合物。16. 如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光二極管，其特征在于，所述聚合物含有活性H原子， 所述活性H原子與權(quán)利要求1~6任一所述復(fù)合薄膜中式I所示化合物的-N3形成共價鍵。17. -種有機發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于，包括： 沉積聚合物步驟：在有機發(fā)光二極管表面沉積一層含有活性H原子的聚合物； 封裝步驟：將權(quán)利要求1~6任一所述復(fù)合薄膜與有機發(fā)光二極管貼合，通過一定方式 激活式I所示化合物中的-N3基團(tuán)，使-N3基團(tuán)與所述活性H原子形成共價鍵，實現(xiàn)封裝。18. 如權(quán)利要求17所述的封裝方法，其特征在于，所述一定方式包括壓印、加熱和紫外 照射。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種復(fù)合薄膜及其制備方法，有機發(fā)光二極管及其封裝方法。該復(fù)合薄膜包括：基底膜；PDDA層，PDDA層沉積在基底膜第一面；氧化石墨烯層，氧化石墨烯層沉積在PDDA層上；單分子層，單分子層自組裝在氧化石墨烯層表面，單分子層由式I所示化合物組成。復(fù)合薄膜的制備方法包括自組裝步驟：將沉積有氧化石墨烯層的基底膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡，使式I所示化合物自組裝在氧化石墨烯層上。根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光二極管采用根據(jù)本發(fā)明的復(fù)合薄膜進(jìn)行封裝。根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光二極管的封裝方法包括沉積聚合物步驟和封裝步驟。
【IPC分類】H01L51/54, H01L51/50, H01L51/52, H01L51/56
【公開號】CN104966792
【申請?zhí)枴緾N201510424275
【發(fā)明人】馮翔, 劉靜, 魏向東, 邱云
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司
【公開日】2015年10月7日
【申請日】2015年7月17日