其中，h表示小時，yW表示微瓦，cm是厘米。
[0049] 此外，控制器30可以包括當(dāng)計算出需要的使用時間時，向用戶通知剩余使用時間 的功能。例如，可以以利用揚聲器的聲音信息或利用顯示單元20的視覺信息的方式來實現(xiàn) 剩余使用時間。
[0050] 根據(jù)本示例實施例的光線治療方法使用前述顯示裝置100,并且所述方法包括將 治療目標的需要治療的部分（例如，人或動物的皮膚的一部分）暴露于紅光。紅光的強度 可以為大于等于IyW/cm2且小于等于100yW/cm2,當(dāng)滿足此條件時，可以由紅光的照射而 得到皺紋改善、美白和抗炎的效果。將在下面描述利用紅光的光線治療效果。
[0051] 本示例實施例的顯示裝置具有光線治療功能和基本的顯示功能，因此用戶可以僅 通過選擇光線治療模式來容易地使用光線治療功能，而無需購買單獨的光線治療裝置。也 就是說，無論地點和時間如何，用戶都可以容易地接受光線治療。此外，本示例實施例的顯 示裝置可以附接到移動電子裝置，在這種情況下，用戶可以在移動的過程中使用光線治療 功能。
[0052] 上面描述了使用前述顯示裝置100的光線治療方法；然而，本發(fā)明不限于此。使用 前述顯示裝置100的方法可包括通過使用顯示裝置100將目標暴露于紅光，顯示裝置100 包括發(fā)射峰值波長為628nm至638nm的紅光的紅像素。在這種情況下，顯示裝置100可以 應(yīng)用于除診斷和治療之外的所有目的，例如，用于單純的美容，即，在皮膚局部實施的、非治 療目的美白、皺紋改善等不介入人體或不產(chǎn)生創(chuàng)傷的美容。顯示裝置100還可以應(yīng)用于照 明。
[0053] 根據(jù)本發(fā)明示例實施例的顯示裝置在制造光線治療裝置中的用途包括：將顯示裝 置包括在光線治療裝置中或者將顯示裝置用作光線治療裝置，顯示裝置包括發(fā)射峰值波長 為628nm至638nm的紅光的紅像素。
[0054] 根據(jù)本發(fā)明示例實施例的光線治療裝置包括顯示裝置或者由顯示裝置構(gòu)成，其 中，顯示裝置包括發(fā)射峰值波長為628nm至638nm的紅光的紅像素。
[0055] 在下文中，將參照圖4至圖12來詳細描述圖1的顯示裝置為有機發(fā)光顯示器的情 況。
[0056] 圖4是示意性地示出根據(jù)第二示例實施例的顯示裝置110的放大剖視圖，圖5是 示出在圖4中示出的顯示裝置的紅像素的有機發(fā)光二極管的示意圖。除了圖5中示出的有 機發(fā)光二極管的發(fā)光層之外的其余構(gòu)造可以普遍地應(yīng)用到綠像素和藍像素的有機發(fā)光二 極管。
[0057] 參照圖4和圖5,顯示裝置110包括基底10、形成在基底10上的顯示單元20以及 覆蓋顯示單元20以密封顯示單元20的密封構(gòu)件40。
[0058] 基底10可以是諸如玻璃或金屬的硬基底或可彎曲的柔性基底。柔性基底可以由 例如聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚碳酸酯（PC)、聚芳酯、聚 醚酰亞胺（PEI)、聚醚砜（PES)和聚酰亞胺（PI)的具有優(yōu)異的耐熱性和耐久性的塑料材料 來形成。
[0059] 顯示單元20包括紅像素Pr、綠像素Pg和藍像素Pb，紅像素Pr、綠像素Pg和藍像 素Pb中的每個像素包括有機發(fā)光二極管（OLED)和電連接到有機發(fā)光二極管（OLED)的薄 膜晶體管（TFT)陣列。薄膜晶體管陣列包括至少兩個薄膜晶體管、至少一個電容器以及布 線。布線包括掃描線、數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電壓線。
[0060] 為了便于描述，圖4僅示意性地示出用于每個像素Pr、Pg和Pb的有機發(fā)光二極管 (OLED)和驅(qū)動薄膜晶體管（TFT)。然而，本示例實施例的顯示裝置不限于所示出的示例，顯 示裝置還可以包括兩個或更多個薄膜晶體管、兩個或更多個電容器以及不同種類的布線。
[0061] 緩沖層11形成在基底10上。緩沖層11用于增加表面的平整度并防止雜質(zhì)元素 滲入到TFT和OLED中。有源層201在緩沖層11上形成在與每個像素對應(yīng)的區(qū)域中。有源 層201可以由諸如硅或氧化物半導(dǎo)體的無機半導(dǎo)體或者有機半導(dǎo)體來形成。有源層201包 括源區(qū)、漏區(qū)和源區(qū)與漏區(qū)之間的溝道區(qū)。
[0062] 柵極絕緣層202形成在有源層201上，柵電極203形成在柵極絕緣層202上的預(yù) 定位置處。層間絕緣層204形成在柵極絕緣層202和柵電極203上，源電極205和漏電極 206形成在層間絕緣層204上。源電極205和漏電極206通過層間絕緣層204的接觸孔分 別與有源層201的源區(qū)和漏區(qū)接觸。薄膜晶體管（TFT)被鈍化層207覆蓋以被保護。圖4 示出具有頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管（TFT)作為示例。
[0063] 有機發(fā)光二極管（OLED)在鈍化層207上形成在發(fā)射區(qū)域中。有機發(fā)光二極管 (OLED)包括像素電極211、共電極212以及位于像素電極211與共電極212之間的發(fā)光層 213?；谟袡C發(fā)光二極管（OLED)的發(fā)光方向，OLED分為底發(fā)射型、頂發(fā)射型和雙側(cè)發(fā)射 型。在本示例實施例中，將基于如圖5中所示的有機發(fā)光二極管（OLED)是頂發(fā)射型的情況 來給出描述。
[0064] 像素電極211由金屬反射層形成。像素電極211可以包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、 AU、Ni、Nd、Ir、Cr或者它們的混合物。像素電極211由島型形成，所述島型被定位為與紅像 素Pr、綠像素Pg和藍像素Pb中的每個像素內(nèi)的位置相對應(yīng)，并且像素電極211連接到驅(qū)動 薄膜晶體管（TFT)的漏電極206。像素電極211可以用作向發(fā)光層213提供空穴的陽極。
[0065] 覆蓋像素電極211的邊緣的像素限定層214形成在像素電極211上。在像素限定 層214中，形成開口，像素電極211的中心部分通過該開口被暴露，發(fā)光層213形成在該開 口中。
[0066] 共電極212是透射電極，并可以由透反射層形成，通過薄薄地形成諸如Li、Ca、 LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或Ag的具有小逸出功的金屬來獲得透反射層。共電極212形成在 整個顯示單元20上，在紅像素Pr、綠像素Pg和藍像素Pb之間不存在差別，并且共電極212 連接到共電壓。共電極212可以用作向發(fā)光層213提供電子的陰極。
[0067] 如圖5中所示，對顯示裝置中的紅像素的有機發(fā)光二極管而言，空穴注入層和空 穴傳輸層215中的至少一個可以形成在像素電極211和發(fā)光層213之間，并且電子傳輸層 216和電子注入層217中的至少一個可以形成在發(fā)光層213和共電極212之間。在發(fā)光層 213由聚合物有機材料形成的情況下，在像素電極211和發(fā)光層213之間可以僅設(shè)置空穴傳 輸層215。
[0068] 空穴傳輸層215是用于將像素電極211的空穴容易地傳輸至發(fā)光層213的層，空 穴傳輸層215被形成為比其他層相對厚。用于空穴傳輸層215的材料不受具體限制，例如， 可以使用諸如N-苯基咔唑和聚乙烯基咔唑的咔唑衍生物、4, 4' -二[N-(l-萘基）-N-苯 基氨基]聯(lián)苯（NPB)、N，N' -二（3-甲基苯基）-N，N' -二苯基-[1，1-聯(lián)苯]_4,4' -二胺 (TH))、聚乙撐二氧噻吩（聚-3, 4-乙撐-二氧噻吩）（PEDOT)和聚苯胺等。
[0069] 發(fā)光層213包括主體和摻雜劑。摻雜劑是實際發(fā)光的材料，主體是有助于摻雜劑 在給定的條件下具有最高光效率的材料。在發(fā)光層213發(fā)射峰值波長為628nm至638nm 的紅光的紅像素Pr的情況下，可以將三（8-羥基喹啉）鋁（Alq3)等用作實現(xiàn)該峰值波長 的主體，可以將4-(二氰基亞甲基）-2-叔丁基-6-(1，1，7, 7-四甲基久洛尼定基-9-烯 基）-4H-吡喃（DCJTB)等用作摻雜劑。
[0070] 電子傳輸層216是用于將共電極212的電子容易地傳輸至發(fā)光層213的層。電子 傳輸層216的材料不受具體限制，例如，可以使用Alq3、Li、Cs、Mg、LiF、CsF、MgF2、NaF、KF、 BaF2、CaF2、Li20、BaO、Cs2C03、Cs20、CaO、MgO和喹啉鋰等。
[0071] 電子注入層217是允許從共電極212容易地注入電子的層，電子注入層217與其 他層相比具有非常小的厚度，并且在必要的情況下可以省略電子注入層217。電子注入層 217 的材料不受具體限制，例如，可以使用LiF、LiQ、NaCl、NaQ、BaF2、CsF、Li20、A1203、BaO、 C6。、它們的混合物等。另一方面，電子注入層217可以由包括LiF、LiQ、NaCl、NaQ、BaF2、CsF、 Li20、Al2O3和BaO中的任一種的第一層和包括諸如Al的金屬的第二層的雙層形成。
[0072] 密封構(gòu)件40可以由密封劑（未示出）在基底10的邊緣處進行密封，并且密封構(gòu) 件40可以由玻璃、石英、陶瓷或塑料等形成。密封構(gòu)件40可以由通過直接在共電極212上 沉積無機層和有機層若干次而獲得的薄膜密封層構(gòu)成。圖4示出基底型密封構(gòu)件40作為 示例。
[0073] 在前述的顯示裝置200中，紅像素Pr的有機發(fā)光二極管（OLED)發(fā)射峰值波長為 628nm至638nm的紅光，并且共電極212由金屬的透反射層形成，因此，紅光在像素電極211 和共電極212之間引起強烈的共振。
[0074] 具體地，像素電極211和共電極212之間的距離滿足所發(fā)射的紅光的波長的相長 干涉條件，為此，適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)位于像素電極211和共電極212之間的層的厚度。例如，空穴 傳輸層215可具有大致IOnm至150nm的厚度，共電極212可具有大致IOnm至150nm的厚 度。通過這一強共振結(jié)構(gòu)放大了紅光的強度，并且可以實現(xiàn)大于等于Inm且小于等于40nm的半峰全寬。
[0075] 圖6是示出由第二示例實施例的顯示裝置中的紅像素發(fā)射的紅光的光譜的曲線 圖。以曲線圖的縱軸表示的光強度是任意單位。在圖6的曲線圖中，峰值波長是633nm，半 峰全寬是40nm〇
[0076] 圖7是示出根據(jù)第三示例實施例的顯示裝置的紅像素的有機發(fā)光二極管的示意 圖。
[0077] 參照圖7,除了像素電極211由具有高反射率的金屬層211a和透明導(dǎo)電層211b的 雙層構(gòu)成之外，第三示例實施例的顯示裝置與前述的第二示例實施例的顯示裝置具有相同 的結(jié)構(gòu)。相同的附圖標記用于與第二示例實施例的構(gòu)件相同的構(gòu)件，將在下面主要描述與 第二示例