極3、4間的電流路徑。
[0040] 此外，恪絲元件5在成為內(nèi)層的低恪點(diǎn)金屬層5a層疊高恪點(diǎn)金屬層5b來構(gòu)成，因 此，與以往的由高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的芯片熔絲等相比，能夠大幅降低熔斷溫度。因此，熔絲元 件5與相同尺寸的芯片熔絲等相比，能夠使剖面積變大而能夠大幅提高電流額定。此外，與 具有相同的電流額定的以往的芯片熔絲相比，能夠謀求小型化、薄型化，速熔斷性優(yōu)越。
[0041] 此外，熔絲元件5能夠提高向?qū)ρb入有熔絲器件1的電系統(tǒng)瞬間地施加異常高的 電壓的浪涌（surge)的耐性(耐脈沖性)。即，熔絲元件5甚至在例如100A的電流流動(dòng)了數(shù) msec那樣的情況下也不會熔斷。在此方面，在極短時(shí)間內(nèi)流動(dòng)的大電流在導(dǎo)體的表層流動(dòng) (表皮效果)，因此，由于在熔絲元件5中設(shè)置電阻值低的Ag電鍍等高熔點(diǎn)金屬層5b來作為 外層，所以能夠容易使由浪涌施加的電流流動(dòng)，防止由于自我發(fā)熱造成的熔斷。因此，熔絲 元件5與以往的由焊料合金構(gòu)成的熔絲相比，能夠大幅提高針對浪涌的耐性。
[0042][耐脈沖試驗(yàn)] 在此，對熔絲器件1的耐脈沖試驗(yàn)進(jìn)行說明。在本試驗(yàn)中，作為熔絲器件，準(zhǔn)備了對低 熔點(diǎn)金屬箱（Sn96. 5/Ag/Cu)的雙面分別實(shí)施了厚度4ym的Ag電鍍的熔絲元件(實(shí)施例） 以及僅由低恪點(diǎn)金屬箱（Pb90/Sn/Ag)構(gòu)成的恪絲元件（比較例）。關(guān)于實(shí)施例所涉及的恪 絲元件，剖面積為0. 1mm2,長度L為1. 5mm，熔絲器件電阻為2. 4mQ。關(guān)于比較例所涉及的 恪絲元件，剖面積為0. 15mm2,長度L為1. 5mm，恪絲器件電阻為2. 4mQ。
[0043] 將這些實(shí)施例和比較例所涉及的熔絲元件的兩端分別焊接連接在形成在絕緣 基板上的第一、第二電極間（參照圖1)，使100A的電流以10秒間隔在10msec期間流動(dòng) (on=10msec/ofT=10sec)，對恪斷之前的脈沖數(shù)量進(jìn)行計(jì)量。
[0044] [表 1]
[0045] 如表1所示那樣，實(shí)施例所涉及的熔絲元件在熔斷之前容忍3890次脈沖，但是，比 較例所涉及的熔絲元件盡管剖面積比實(shí)施例所涉及的熔絲元件大但是僅容忍了 412次。由 此，已知在低熔點(diǎn)金屬層層疊了高熔點(diǎn)金屬層的熔絲元件的耐脈沖性大幅提高。
[0046] 再有，關(guān)于熔絲元件5,優(yōu)選的是使低熔點(diǎn)金屬層5a的體積比高熔點(diǎn)金屬層5b的 體積大。關(guān)于熔絲元件5,使低熔點(diǎn)金屬層5a的體積變多，由此，能夠有效地進(jìn)行利用高熔 點(diǎn)金屬層5b的侵蝕的短時(shí)間內(nèi)的熔斷。
[0047] 具體地，熔絲元件5是內(nèi)層為低熔點(diǎn)金屬層5a并且外層為高熔點(diǎn)金屬層5b的包 覆構(gòu)造，低熔點(diǎn)金屬層5a與高熔點(diǎn)金屬層5b的層厚比也可以為低熔點(diǎn)金屬層：高熔點(diǎn)金 屬層=2.1 : 1~100 : 1。由此，能夠可靠地使低恪點(diǎn)金屬層5a的體積比高恪點(diǎn)金屬層5b 的體積多，從而能夠有效地進(jìn)行利用高熔點(diǎn)金屬層5b的侵蝕的短時(shí)間內(nèi)的熔斷。
[0048] 即，在恪絲元件5中，在構(gòu)成內(nèi)層的低恪點(diǎn)金屬層5a的上下表面層疊高恪點(diǎn)金屬 層5b，因此，在層厚比為低恪點(diǎn)金屬層：高恪點(diǎn)金屬層=2.1 : 1以上的情況下，低恪點(diǎn)金屬 層5a越厚，越能夠使低熔點(diǎn)金屬層5a的體積比高熔點(diǎn)金屬層5b的體積多。此外，關(guān)于熔 絲元件5,當(dāng)?shù)腿埸c(diǎn)金屬層5a變厚且高熔點(diǎn)金屬層5b變薄而使層厚比超過低熔點(diǎn)金屬層： 高熔點(diǎn)金屬層=1〇〇 : 1時(shí)，存在高熔點(diǎn)金屬層5b被由于回流安裝時(shí)的熱而熔融后的低熔 點(diǎn)金屬層5a侵蝕的擔(dān)憂。
[0049] 準(zhǔn)備改變了膜厚的多個(gè)熔絲元件的樣品并經(jīng)由焊料漿裝載在第一和第二電極3、4 上，之后，施加回流適合的260°C的溫度來觀察熔絲元件未熔斷的狀態(tài)，由此，求取這樣的膜 厚的范圍。
[0050] 在100ym厚的低熔點(diǎn)金屬層5a(Sn96. 5/Ag/Cu)的上下表面形成有厚度1ym的 Ag電鍍層的熔絲元件中，在260°C的溫度下，Ag電鍍?nèi)劢舛荒芫S持元件形狀。當(dāng)考慮利 用回流的表面安裝時(shí)，確認(rèn)了相對于100ym厚的低恪點(diǎn)金屬層5a，只要高恪點(diǎn)金屬層5b 的厚度為3ym以上，則即使通過利用回流的表面安裝，也能夠可靠地維持形狀。再有，在將 Cu用作高熔點(diǎn)金屬的情況下，只要厚度為0. 5ym以上，則即使通過利用回流的表面安裝， 也能夠可靠地維持形狀。
[0051] 此外，還能夠通過由于在高熔點(diǎn)金屬層中采用Cu造成的侵蝕性的減少、由于在低 熔點(diǎn)金屬層的材料中采用Sn/Bi、In/Sn等熔點(diǎn)低的合金造成的Sn含有量的減少，從而使低 熔點(diǎn)金屬層：高熔點(diǎn)金屬層=100 : 1。
[0052] 再有，關(guān)于低恪點(diǎn)金屬層5a的厚度，當(dāng)考慮使向高恪點(diǎn)金屬層5b的侵蝕擴(kuò)散而迅 速熔斷的情況時(shí)，雖然也根據(jù)熔絲元件的尺寸，但是通常優(yōu)選的是30ym以上。
[0053][制造方法] 能夠通過使用電鍍技術(shù)來在低熔點(diǎn)金屬層5a的表面對高熔點(diǎn)金屬5b進(jìn)行成膜來制造 恪絲元件5。關(guān)于恪絲元件5,例如能夠通過對長尺狀的焊料箱的表面實(shí)施Ag電鍍來高效 率地制造，在使用時(shí)根據(jù)尺寸進(jìn)行切斷，由此，能夠容易地使用。
[0054] 此外，也可以通過貼合低熔點(diǎn)金屬箱和高熔點(diǎn)金屬箱來制造熔絲元件5。關(guān)于熔絲 元件5,例如能夠通過在乳制后的2個(gè)Cu箱或Ag箱之間夾持并壓制（press)同樣地乳制后 的焊料箱來制造。在該情況下，關(guān)于低熔點(diǎn)金屬箱，優(yōu)選的是選擇比高熔點(diǎn)金屬箱柔軟的材 料。由此，能夠吸收厚度的偏差而使低熔點(diǎn)金屬箱與高熔點(diǎn)金屬箱無間隙地緊貼。此外，低 熔點(diǎn)金屬箱通過壓制而膜厚變薄，因此，優(yōu)選預(yù)先使其變厚。在通過壓制而低熔點(diǎn)金屬箱從 熔絲元件端面露出的情況下，優(yōu)選的是切掉來調(diào)整形狀。
[0055] 此外，關(guān)于熔絲元件5,也能夠通過使用蒸鍍等薄膜形成技術(shù)、其他的周知的層疊 技術(shù)來形成在低恪點(diǎn)金屬層5a層疊了高恪點(diǎn)金屬層5b的恪絲元件5。
[0056] 此外，關(guān)于熔絲元件5,也可以如圖2所示那樣交替地形成多層低熔點(diǎn)金屬層5a和 高恪點(diǎn)金屬層5b。在該情況下，作為最外層，也可以是低恪點(diǎn)金屬層5a和高恪點(diǎn)金屬層5b 的任一個(gè)。
[0057] 此外，關(guān)于熔絲元件5,如圖3所示那樣，在將高熔點(diǎn)金屬層5b作為最外層時(shí)，也可 以進(jìn)一步在該最外層的高熔點(diǎn)金屬層5b的表面形成氧化防止膜7。關(guān)于熔絲元件5,進(jìn)而 通過氧化防止膜7包覆最外層的高熔點(diǎn)金屬層5b，由此，即使在例如作為高熔點(diǎn)金屬層5b 而形成了Cu電鍍、Cu箱的情況下，也能夠防止Cu的氧化。因此，關(guān)于恪絲元件5,能夠防止 由于Cu的氧化而熔斷時(shí)間變長的事態(tài)，能夠在短時(shí)間內(nèi)熔斷。
[0058] 此外，關(guān)于恪絲元件5,能夠使用Cu等便宜但是容易氧化的金屬來作為高恪點(diǎn)金 屬層5b，能夠不使用Ag等高價(jià)的材料來形成。
[0059] 高熔點(diǎn)金屬的氧化防止膜7能夠使用與內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層5a相同的材料，例如 能夠使用將Sn作為主要成分的無Pb焊料。此外，氧化防止膜7能夠通過在高熔點(diǎn)金屬層 5b的表面實(shí)施錫電鍍來形成。此外，氧化防止膜7也能夠通過Au電鍍、預(yù)焊劑（preflux) 來形成。
[0060] 此外，關(guān)于熔絲元件5,既可以如圖4 (A)所示那樣在低熔點(diǎn)金屬層5a的上表面和 背面層疊高熔點(diǎn)金屬層5b，或者也可以如圖4 (B)所示那樣利用高熔點(diǎn)金屬層5b包覆除了 低恪點(diǎn)金屬層5a的相向的2個(gè)端面之外的外周部。
[0061] 此外，關(guān)于熔絲元件5,既可以采用方形的可熔導(dǎo)體，也可以如圖4(C)所示那樣采 用圓線狀的可熔導(dǎo)體。進(jìn)而，關(guān)于熔絲元件5,也可以利用高熔點(diǎn)金屬層5b包覆包含端面的 整個(gè)表面。
[0062] 此外，關(guān)于熔絲元件5,也可以如圖5所示那樣在外周的至少一部分設(shè)置保護(hù)構(gòu)件 10。保護(hù)構(gòu)件10防止熔絲元件5的回流安裝時(shí)的連接用焊料的流入、內(nèi)層的低熔點(diǎn)金屬層 5的流出來維持形狀，并且，即使在超過額定的電流流動(dòng)時(shí)，也防止熔融焊料的流入來防止 由于額定的上升造成的速熔斷性的降低。
[0063]S卩，關(guān)于熔絲元件5,通過在外周設(shè)置保護(hù)構(gòu)件10,從而能夠防止在回流溫度下熔 融后的低熔點(diǎn)金屬層5a的流出，維持元件的形狀。特別地，在低熔點(diǎn)金屬層5a的上表面和 下表面層疊高熔點(diǎn)金屬層5b并且低熔點(diǎn)金屬層5a從側(cè)面露出的熔絲元件5中，在外周部 設(shè)置保護(hù)構(gòu)件10,由此，能夠防止從該側(cè)面的低熔點(diǎn)金屬的流出，維持形狀。
[0064] 此外，關(guān)于熔絲元件5,通過在外周設(shè)置保護(hù)構(gòu)件10,從而能夠在超過額定的電流 流動(dòng)時(shí)防止熔融焊料的流入。在熔絲元件5焊接連接在第一、第二電極3、4上的情況下，存 在由于超過額定的電流流動(dòng)時(shí)的發(fā)熱使向第一、第二電極的連接用的焊料、構(gòu)成低恪點(diǎn)金 屬層5a的金屬恪融而流入到應(yīng)恪斷的恪絲元件5的中央部的擔(dān)憂。關(guān)于恪絲元件5,當(dāng)焊 料等熔融金屬流入時(shí)，存在如下的擔(dān)憂：電阻值降低而阻礙發(fā)熱，在規(guī)定的電流值下不熔斷 或熔斷時(shí)間延長，或者在熔斷后損害第一、第二電極3、4間的絕緣可靠性。因此，關(guān)于熔絲 元件5,通過在外周設(shè)置保護(hù)構(gòu)件10,從而能夠防止熔融金屬的流入來使電阻值固定，以規(guī) 定的電流值迅速地熔斷，并且，確保第一、第二電極3、4間的絕緣可靠性。
[0065] 因此，作為保護(hù)構(gòu)件10,優(yōu)選的是具備絕緣性、回流溫度的耐熱性并且具備針對熔 融焊料等的抵抗性的材料。例如，保護(hù)構(gòu)件10能夠通過使用聚酰亞胺薄膜如圖5所示那樣 利用粘接劑11粘貼于帶狀的熔絲元件5的中央部來形成。此外，保護(hù)構(gòu)件10能夠通過在 熔絲元件5的外周涂敷具備絕緣性、耐熱性、抵抗性的油墨來形成?；蛘?，保護(hù)構(gòu)件10能夠 通過使用阻焊劑（solderresist)在恪絲元件5的外周涂敷來形成。
[0066] 關(guān)于由上述的薄膜、油墨、阻焊劑等構(gòu)成的保護(hù)構(gòu)件10,能夠通過在長尺狀的熔絲 元件5的外周粘貼或涂敷來形成，此外，只要在使用時(shí)切斷設(shè)置有保護(hù)構(gòu)件10的熔絲元件 5即可，操作性優(yōu)越。
[0067] 此外，保護(hù)構(gòu)件10也可以如圖6 (A)所示那樣使用收納有熔絲元件5的保護(hù)套 10a。該保護(hù)套10a例如由上表面被開口的框