連接相當(dāng)于元件部31的多個元件51來制造。在各元件51中彎曲形成有端子部52,并且， 使這些端子部52嵌合于絕緣基板2的側(cè)面，向絕緣基板2的背面?zhèn)韧怀觥?br>[0120] 在該情況下，也可以不形成設(shè)置在絕緣基板2的表面2a的第一、第二電極3、4。此 外，在熔絲器件50中，并聯(lián)3個元件51，可以使設(shè)置在內(nèi)側(cè)的正中的元件51B的剖面積比設(shè) 置在外側(cè)的其他的元件51A、51B的剖面積小，由此，相對地高電阻化，最后熔斷。
[0121] [第一、第二電極的分割] 此外，在熔絲器件40中，如圖18 (A)所示，第一、第二電極3、4也可以根據(jù)熔絲元件30 的多個元件部31A~31C、多個元件34的裝載位置而分割為第一分割電極3A~3C和第二分割 電極4A~4C。同樣地，在熔絲器件50中，如圖18 (B)所示，第一、第二電極3、4也可以根據(jù) 熔絲元件30的元件部31A~31C、多個元件51的裝載位置而分割為第一分割電極3A~3C和 第二分割電極4A~4C。
[0122] 通過將第一電極3分割為第一分割電極3A~3C、將第二電極4分割為第二分割電 極4A~4C，從而能夠抑制熔絲元件30的元件部31A~31C或多個元件34、51的焊接連接時的 焊料的表面張力所造成的安裝偏離、不小心的焊料積存。
[0123]附圖標(biāo)記的說明 1熔絲器件、2絕緣基板、2a表面、2b背面、3第一電極、4第二電極、5熔絲元件、5a低熔點金屬層、5b高熔點金屬層、7氧化防止膜、10保護(hù)構(gòu)件、10a保護(hù)套、11粘接劑、12 框體、13蓋體、14開口部、17焊劑、20覆蓋構(gòu)件、30熔絲元件、31元件部、33端子部、34 元件、35嵌合凹部、40，50熔絲器件、51元件。
【主權(quán)項】
1. 一種熔絲元件，構(gòu)成熔絲器件的通電路徑，由于超過額定的電流通電而利用自我發(fā) 熱熔斷，其中，所述熔絲元件具有： 低恪點金屬層；以及 高熔點金屬層，層疊于所述低熔點金屬層， 使用所述低熔點金屬層在所述通電時侵蝕所述高熔點金屬層而熔斷的作用。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲元件，其中， 所述低熔點金屬層為焊料， 所述高恪點金屬層為Ag、Cu、將Ag或Cu作為主要成分的合金。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔絲元件，其中，與所述高熔點金屬層相比，所述低熔點 金屬層的體積多。4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔絲元件，其中， 所述低熔點金屬層與所述高熔點金屬層的膜厚比為 低熔點金屬層：高熔點金屬層=2 : 1~100 : 1。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的熔絲元件，其中， 所述低熔點金屬層的膜厚為30 y m以上， 所述高熔點金屬層的膜厚為3 ym以上。6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔絲元件，其中，所述高熔點金屬層通過在所述低熔點金 屬層的表面電鍍來形成。7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔絲元件，其中，所述高熔點金屬層通過在所述低熔點金 屬層的表面粘貼金屬箱來形成。8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔絲元件，其中，所述高熔點金屬層在所述低熔點金屬層 的表面通過薄膜形成工序來形成。9. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔絲元件，其中，在所述高熔點金屬層的表面進(jìn)一步形成 有氧化防止膜。10. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔絲元件，其中，所述低熔點金屬層和所述高熔點金屬 層交替地層疊多層。11. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔絲元件，其中，所述低熔點金屬層的除了相向的2個 端面之外的外周部被所述高熔點金屬層包覆。12. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔絲元件，其中，外周的至少一部分被保護(hù)構(gòu)件保護(hù)。13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔絲元件，其中， 具有并聯(lián)的多個元件部， 所述多個元件部利用由于超過額定的電流的通電造成的自我發(fā)熱而熔斷。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的熔絲元件，其中，所述多個元件部依次熔斷。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的熔絲元件，其中，一個所述元件部的一部分或全部的剖面 積比其他的元件部的剖面積小。16. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的熔絲元件，其中， 并聯(lián)有3個所述元件部， 正中的所述元件部最后熔斷。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的熔絲元件，其中，正中的所述元件部的一部分或全部的剖 面積比兩側(cè)的元件部的剖面積小。18. 根據(jù)權(quán)利要求1、2、13~15中的任一項所述的熔絲元件，其中，形成有作為所述熔絲 器件的外部連接端子的端子部。19. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的熔絲元件，其中，所述高熔點金屬層的膜厚為0. 5 y m以上。20. -種熔絲器件，其中，具備： 絕緣基板；以及 熔絲元件，裝載在所述絕緣基板上，由于超過額定的電流通電而利用自我發(fā)熱來熔斷 通電路徑， 所述熔絲元件具有： 低恪點金屬層；以及 高熔點金屬層，層疊于所述低熔點金屬層， 使用所述低熔點金屬層在所述通電時侵蝕所述高熔點金屬層而熔斷的作用。21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的熔絲器件，其中， 具有設(shè)置在所述絕緣基板的第一和第二電極， 所述熔絲元件遍及所述第一和第二電極間安裝。22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的熔絲器件，其中，所述熔絲元件與所述第一和第二電極焊 接連接。23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的熔絲器件，其中，所述熔絲元件通過超聲波熔接與所述第 一和第二電極連接。24. 根據(jù)權(quán)利要求20~23中的任一項所述的熔絲器件，其中，所述熔絲元件與所述絕緣 基板分尚地安裝。25. 根據(jù)權(quán)利要求20~23中的任一項所述的熔絲器件，其中，所述熔絲元件的表面通過 焊劑涂覆。26. 根據(jù)權(quán)利要求20~23中的任一項所述的熔絲器件，其中，利用覆蓋構(gòu)件來覆蓋所述 絕緣基板上。27. 根據(jù)權(quán)利要求20~23中的任一項所述的熔絲器件，其中， 具有并聯(lián)的多個所述熔絲元件或具有并聯(lián)的多個元件部的所述熔絲元件， 所述熔絲元件利用由于超過額定的電流的通電造成的自我發(fā)熱而熔斷。28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的熔絲器件，其中，多個所述熔絲元件或多個所述元件部依 次熔斷。29. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的熔絲器件，其中，一個所述熔絲元件或一個所述元件部的 一部分或全部的剖面積比其他的熔絲元件或其他的元件部的剖面積小。30. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的熔絲器件，其中， 并聯(lián)有3個所述熔絲元件或3個所述元件部， 正中的所述熔絲元件或正中的所述元件部最后熔斷。31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的熔絲器件，其中，正中的所述熔絲元件或正中的所述元件 部的一部分或全部的剖面積比兩側(cè)的熔絲元件或兩側(cè)的元件部的剖面積小。32. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的熔絲器件，其中， 遍及設(shè)置在所述絕緣基板的第一和第二電極間并聯(lián)有多個所述熔絲元件或多個所述 元件部， 所述第一和第二電極的連接有一個所述熔絲元件或一個所述元件部的部位突出，電極 間距離比連接有其他的所述熔絲元件或其他的所述元件部的部位的電極間距離短。33. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的熔絲器件，其中， 遍及設(shè)置在所述絕緣基板的第一和第二電極間并聯(lián)有多個所述熔絲元件或多個所述 元件部， 所述第一和第二電極的連接有一個所述熔絲元件或一個所述元件部的部位突出，電極 間距離比連接有其他的所述熔絲元件或其他的所述元件部的部位的電極間距離短。34. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的熔絲器件，其中， 遍及設(shè)置在所述絕緣基板的第一和第二電極間并聯(lián)有3個所述熔絲元件或3個所述元 件部， 所述第一和第二電極的連接有正中的所述熔絲元件或正中的所述元件部的部位突出， 電極間距離比連接有其他的所述熔絲元件或其他的所述元件部的部位的電極間距離短。35. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的熔絲器件，其中， 遍及設(shè)置在所述絕緣基板的第一和第二電極間并聯(lián)有3個所述熔絲元件或3個所述元 件部， 所述第一和第二電極的連接有正中的所述熔絲元件或正中的所述元件部的部位突出， 電極間距離比連接有其他的所述熔絲元件或其他的所述元件部的部位的電極間距離短。36. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的熔絲器件，其中，在所述熔絲元件形成有作為外部連接端 子的端子部。37. 根據(jù)權(quán)利要求36所述的熔絲器件，其中， 所述熔絲元件以所述端子部在所述絕緣基板的表面上突出的方式連接， 所述端子部與覆蓋構(gòu)件一起覆蓋所述熔絲元件的熔斷部位。38. 根據(jù)權(quán)利要求36所述的熔絲器件，其中，所述熔絲元件的所述端子部嵌合于所述 絕緣基板的側(cè)面。39. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的熔絲器件，其中，所述絕緣基板在與裝載有所述熔絲元件 的面相反側(cè)的面形成有散熱用電極。40. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的熔絲器件，其中，所述熔絲元件通過粘接劑與所述絕緣基 板連接。41. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的熔絲器件，其中，所述第一和第二電極根據(jù)多個所述熔絲 元件或多個所述元件部的裝載位置而分割。42. 根據(jù)權(quán)利要求20~23中的任一項所述的熔絲器件，其中， 在所述熔絲元件形成有作為外部連接端子的端子部， 所述熔絲元件利用由于超過額定的電流的通電造成的自我發(fā)熱而熔斷。43. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的熔絲器件，其中， 所述熔絲元件以所述端子部在所述絕緣基板的表面上突出的方式連接， 所述端子部與覆蓋構(gòu)件一起覆蓋熔斷部位。44. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的熔絲器件，其中，所述熔絲元件的所述端子部嵌合于所述 絕緣基板的側(cè)面。45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的熔絲器件，其中，所述絕緣基板在與裝載有所述熔絲元件 的面相反側(cè)的面形成有散熱用電極。
【專利摘要】提供一種能夠進(jìn)行表面安裝并且能夠兼顧額定的提高和速熔斷性的熔絲元件以及使用該熔絲元件的熔絲器件。在構(gòu)成熔絲器件（1）的通電路徑并且由于超過額定的電流通電而利用自我發(fā)熱熔斷的熔絲元件（5）中，具有：低熔點金屬層（5a）和層疊于低熔點金屬層（5a）的高熔點金屬層（5b），低熔點金屬層（5a）在通電時侵蝕高熔點金屬層（5b）而熔斷。
【IPC分類】H01H85/08, H01H85/11, H01H85/06
【公開號】CN105051855
【申請?zhí)枴緾N201480018203
【發(fā)明人】米田吉弘, 小森千智, 古田和隆, 宇都宮泰志
【申請人】迪睿合株式會社
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2014年3月27日
【公告號】WO2014157585A1