一種絕緣層、陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種絕緣層、陣列基板及其制作方法、顯示裝 置。
【背景技術(shù)】
[0002] TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯不 器）的陣列基板如圖1所示，一般包括顯示區(qū)域A-A和周邊電路綁定區(qū)域B-B (這兩個(gè)區(qū)域 以封框膠為界而劃分），其中，顯示區(qū)域包括多條交叉陣列的柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線 交叉形成多個(gè)顯示單元，每個(gè)顯示單元包括一個(gè)薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵極、源極和 漏極，其中，每個(gè)顯示單元包括一個(gè)像素電極，漏極與像素電極連接，柵極與柵線連接、源極 與數(shù)據(jù)線連接，薄膜晶體管液晶顯示器通過(guò)柵線和數(shù)據(jù)線向像素電極充電以實(shí)現(xiàn)顯示單元 的顯示。周邊電路綁定區(qū)域形成有與柵線和數(shù)據(jù)線連接的柵線引線和數(shù)據(jù)線引線。柔性線 路板與柵線引線以及數(shù)據(jù)線引線連接，以向柵線和數(shù)據(jù)線輸入電壓信號(hào)。
[0003] 圖2為現(xiàn)有的TFT-IXD陣列基板橫截面的示意圖，包括：襯底基板1、形成在襯底 基板1上的柵極11、柵線引線12、柵絕緣層13、有源層14、源極15和漏極16。其中，柵極 11位于顯示區(qū)域A-A、柵線引線12位于周邊電路綁定區(qū)域B-B。柵絕緣層13-般包括第 一子層131和第二子層132。其中，第一子層131使得柵極11與有源層14絕緣，第二子層 132的致密度大于第一子層131的致密度，以有利于提高薄膜晶體管的性能。
[0004] 為了使得柵線引線與柔性線路板實(shí)現(xiàn)電連接，現(xiàn)有技術(shù)中一般在柵絕緣層上形成 有過(guò)孔，在過(guò)孔中填充導(dǎo)電材料，柵線引線和柔性線路板通過(guò)過(guò)孔中的導(dǎo)電材料實(shí)現(xiàn)電連 接。然而，由于第二子層132的致密度大于第一子層131的致密度，則第二子層刻蝕速率小， 第一子層的刻蝕速率大，則形成的過(guò)孔在第二子層的最大孔徑小于第一子層的最大孔徑， 則過(guò)孔頂部有突起，會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電材料容易在突起處斷開，從而與柵線引線的接觸特性差，降 低了產(chǎn)品的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種絕緣層、陣列基板及其制作方法、顯示裝置，所述絕緣層 上的過(guò)孔坡度小且平滑，可以提高導(dǎo)電材料在過(guò)孔處的沉積，有利于導(dǎo)通絕緣層兩側(cè)的電 極。
[0006] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：
[0007] -方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種絕緣層，所述絕緣層上經(jīng)過(guò)一次刻蝕形成有過(guò) 孔，所述絕緣層包括：形成在襯底基板上的第一子層以及位于所述第一子層上、且與所述第 一子層接觸的第二子層；其中，所述第一子層的致密度大于所述第二子層的致密度；
[0008] 所述過(guò)孔在對(duì)應(yīng)所述第一子層和所述第二子層的同一位置處，貫穿所述第一子層 和所述第二子層。
[0009] 可選的，所述絕緣層還包括位于所述第二子層上、且與所述第二子層接觸的第三 子層；其中，所述第三子層的致密度大于所述第二子層的致密度。
[0010] 可選的，所述第三子層的致密度大于所述第一子層的致密度。
[0011] 可選的，所述第二子層的厚度不小于100 A,
[0012] 可選的，所述第二子層和所述第三子層的厚度之和為所述絕緣層厚度的 15% -30%〇
[0013] 另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：襯底基板以及形成在所述襯 底基板上的柵金屬層、覆蓋所述柵金屬層的柵絕緣層；所述柵金屬層包括柵極和柵線引線； 所述柵絕緣層為本發(fā)明實(shí)施例提供的絕緣層，且所述第一子層與所述柵金屬層接觸；
[0014] 所述過(guò)孔位于對(duì)應(yīng)所述柵線引線的位置處。
[0015] 可選的，所述第三子層位于所述柵極位置的上方。
[0016] 可選的，還包括：位于所述第三子層上的有源層。
[0017] 可選的，所述第三子層和所述有源層的圖案相同。
[0018] 可選的，還包括位于所述有源層上的源漏金屬層，所述源漏金屬層包括源極、漏極 以及覆蓋所述過(guò)孔的連接電極，所述連接電極在所述過(guò)孔處與所述柵線引線直接接觸。
[0019] 另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括：
[0020] 在柵金屬層上形成柵絕緣層，其中，所述柵金屬層包括柵極和柵線引線；所述形成 柵絕緣層具體包括：
[0021] 在所述柵金屬層上依次形成第一柵絕緣薄膜和第二柵絕緣薄膜；其中，所述第一 柵絕緣薄膜的致密度大于所述第二柵薄膜的致密度；
[0022] 在所述第一柵絕緣薄膜和所述第二柵絕緣薄膜對(duì)應(yīng)所述柵線引線的同一位置處 一次刻蝕形成過(guò)孔，以形成第一子層和第二子層。
[0023] 可選的，所述形成柵絕緣層還包括：
[0024] 在所述第一柵絕緣薄膜和所述第二柵絕緣薄膜對(duì)應(yīng)所述柵線引線的同一位置處 一次刻蝕形成過(guò)孔之前，在所述第二柵絕緣薄膜上形成第三柵絕緣薄膜；其中，所述第三柵 絕緣薄膜的致密度大于所述第二柵絕緣層的致密度；
[0025] 對(duì)所述第三柵絕緣薄膜構(gòu)圖，形成第三子層。
[0026] 可選的，所述在所述柵金屬層上依次形成第一柵絕緣薄膜和第二柵絕緣薄膜以及 在所述第二柵絕緣薄膜上形成第三柵絕緣薄膜具體包括：
[0027] 采用第一速率沉積絕緣材料，以形成第一柵絕緣薄膜；
[0028] 采用第二速率沉積絕緣材料，以形成第二柵絕緣薄膜；
[0029] 采用第三速率沉積絕緣材料，以形成第三柵絕緣薄膜；其中，所述第一速率小于所 述第二速率，所述第三速率小于所述第二速率。
[0030] 可選的，所述第三速率小于所述第一速率。
[0031] 可選的，所述制作方法還包括：
[0032] 在對(duì)所述第三柵絕緣薄膜構(gòu)圖之前，在所述第三柵絕緣薄膜上形成有源層；
[0033] 所述對(duì)所述第三子層構(gòu)圖具體包括：
[0034] 以所述有源層為掩膜，對(duì)所述第三柵絕緣薄膜構(gòu)圖。
[0035] 可選的，所述在所述襯底基板上形成有源層，以所述有源層為掩膜，對(duì)所述第三柵 絕緣薄膜構(gòu)圖具體包括：
[0036] 在第三柵絕緣薄上沉積半導(dǎo)體材料，以形成半導(dǎo)體薄膜；
[0037] 在所述半導(dǎo)體薄膜上形成光刻膠；
[0038] 對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，形成光刻膠保留部分，其中，所述光刻膠保留部分 位于對(duì)應(yīng)所述柵極的位置處，所述光刻膠去除部分至少位于對(duì)應(yīng)所述柵線引線的位置處；
[0039] 依次刻蝕所述光刻膠去除部分的半導(dǎo)體薄膜和第三柵絕緣薄膜，以形成有源層和 第三子層；
[0040] 將所述光刻膠剝離。
[0041] 可選的，在所述第三柵絕緣薄膜上形成有源層之后，所述方法還包括：
[0042] 形成源漏金屬層，所述源漏金屬層包括源極、漏極以及填充在所述過(guò)孔位置處的 連接電極，所述連接電極在所述過(guò)孔處與所述柵線引線直接接觸。
[0043] 再一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基 板。
[0044] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種絕緣層、陣列基板及其制作方法、顯示裝置，絕緣層包括 第一子層和位于第一子層上的第二子層，第一子層的致密度大于第二子層的致密度，絕緣 層上具有貫穿第一子層和第二子層的過(guò)孔，則過(guò)孔在第二子層的開口寬度大于過(guò)孔在第一 子層的開口寬度，形成的過(guò)孔側(cè)壁平緩，有利于材料在該過(guò)孔處的沉積。