度，形成的過孔側(cè)壁平緩，有利于材料的沉積，進(jìn)一步保證了柵線引線與 線路板連接的連接特性。
[0081] 優(yōu)選的，如圖6所示，絕緣層還包括位于第二子層132上、且與第二子層132接觸 的第三子層133 ;其中，第三子層133的致密度大于第二子層132的致密度，第三子層133位 于柵極11的上面。如圖6所示，過孔未貫穿第三子層133。
[0082] 第三子層的致密度大于第二子層的致密度。由于第三子層與有源層接觸，有源層 一般為高致密度層，則第三子層和有源層均為高密度層可改善第三子層和有源層接觸界面 的質(zhì)量，降低界面缺陷態(tài)密度，提高薄膜晶體管的性能。
[0083] 本發(fā)明實(shí)施例中，柵絕緣層中，第二子層和第三子層的厚度之和優(yōu)選為柵絕緣層 總厚度的15%~30%。其中，第三子層的厚度可以為柵絕緣層總厚度的6%-12%。例 如，柵絕緣層的總厚度為4000 A,第二子層和第三子層的厚度之后為600 A-1200人，第 一子層的厚度為忽A -Md) A，第三子層的厚度為240 A-480 A,則第二子層的厚度為 12() A-960 A。
[0084] 具體柵絕緣層的厚度也不局限上述實(shí)施例，本發(fā)明僅以柵絕緣層總厚度為 400() A為例進(jìn)行說明。
[0085] 可選的，形成第三柵絕緣薄膜的材料為a-SiNx。其中，第一絕緣薄膜和第二絕緣薄 膜的材料可以與第三絕緣薄膜的材料相同，也可以與第三絕緣薄膜的材料不同，只要為絕 緣材料均可。
[0086] 可選的，圖6所示，陣列基板還包括：位于第三子層133上的有源層14。且進(jìn)一步 的，第三子層133和有源層14的圖案相同。即第三子層和有源層通過同一次構(gòu)圖形成。可 選的，形成有源層的材料為a-Si。
[0087] 如圖7所示，陣列基板還包括位于有源層14上的源漏金屬層，源漏金屬層包括源 極15、漏極16以及覆蓋過孔的連接電極17,連接電極17在過孔處與柵線引線12直接接 觸。柵線引線通過連接電極與線路板連接，連接電極與源漏極通過一次構(gòu)圖形成，減少基板 上的構(gòu)圖次數(shù)。
[0088] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板。所述顯 示裝置可以為液晶顯示器、電子紙、〇LED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極 管）顯示器等顯示器件以及包括這些顯示器件的電視、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、平板電腦等任何具 有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0089] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括：在柵金屬層上形成柵絕緣 層，其中，如圖8、圖9所示，柵金屬層包括柵極11和柵線引線12 ;如圖10所示，形成柵絕緣 層13具體包括：
[0090] 步驟101、如圖8所示，在柵金屬層（柵極11和柵線引線12所在層）上依次形成 第一柵絕緣薄膜21和第二柵絕緣薄膜22 ;其中，第一柵絕緣薄膜21的致密度大于第二柵 絕緣薄膜22的致密度。
[0091] 優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例中，第二柵絕緣薄膜的厚度不小于ΙΟ? A。示例的，柵絕 緣層總厚度為400Q Λ，第一柵絕緣薄膜的厚度為UOG Λ，第二柵絕緣薄膜的厚度為 240 A0
[0092] 步驟102、如圖9所示，在第一柵絕緣薄膜21和第二柵絕緣薄膜22對應(yīng)柵線引線 12的同一位置處一次刻蝕形成過孔，以形成第一子層131和第二子層132。
[0093] 第一柵絕緣薄膜的致密度大于第二柵絕緣薄膜的致密度，則第二柵絕緣薄膜的刻 蝕速率快，第一柵絕緣薄膜的刻蝕速率較慢，則第二柵絕緣薄膜的過孔寬度大于第一柵絕 緣薄膜的過孔寬度，即形成的過孔為倒梯形，過孔的側(cè)壁平緩，有利于其他材料在過孔側(cè)壁 上的沉積。
[0094] 可選的，在上述步驟102之前，如圖11所示，所述方法還包括：步驟103、如圖12所 示，在第二柵絕緣薄膜22上形成第三柵絕緣薄膜23。其中，第三柵絕緣薄膜的致密度大于 第二柵絕緣層的致密度。
[0095] 具體的，第三柵絕緣薄膜和第二柵絕緣薄膜的厚度之和為柵絕緣層總厚度的 15%~30%。示例的，柵絕緣層總厚度為4000 A，第三柵絕緣薄膜的厚度為360 A。
[0096] 可選的，在柵金屬層上依次形成第一柵絕緣薄膜和第二柵絕緣薄膜以及在第二柵 絕緣薄膜上形成第三柵絕緣薄膜具體包括：
[0097] 采用第一速率沉積絕緣材料，以形成第一柵絕緣薄膜；
[0098] 采用第二速率沉積絕緣材料，以形成第二柵絕緣薄膜；
[0099] 采用第三速率沉積絕緣材料，以形成第三柵絕緣薄膜；其中，第一速率小于第二速 率，第三速率小于第二速率。則第三柵絕緣薄膜的致密度大于第二柵絕緣薄膜的致密度，而 第一柵絕緣薄膜的致密度大于第二柵絕緣薄膜的致密度，此處，第一柵絕緣薄膜的致密度 可以是大于第三柵絕緣薄膜的致密度，也可是小于第三柵絕緣薄膜的致密度，還可以是等 于第三柵絕緣薄膜的致密度
[0100] 進(jìn)一步優(yōu)選的，第三速率小于第一速率。即在第一柵絕緣薄膜、第二柵絕緣薄膜和 第三柵絕緣薄膜中，第三柵絕緣薄膜的致密度最大，第一柵絕緣薄膜的致密度次之，第二柵 絕緣薄膜的致密度最小。
[0101] 可選的，形成第三柵絕緣薄膜的材料為a-SiNx。
[0102] 步驟104、如圖13所示，對第三柵絕緣薄膜23構(gòu)圖，形成第三子層133。之后，在 第一柵絕緣薄膜和第二柵絕緣薄膜對應(yīng)柵線引線的位置處形成過孔，如圖14所示，形成第 一柵絕緣子層131和第二柵絕緣子層132。
[0103] 可選的，如圖15所示，在上述步驟104之前，制作方法還包括：
[0104] 步驟105、在第三柵絕緣薄膜上形成有源層?？蛇x的，形成有源層的材料為a-Si。
[0105] 則步驟104具體包括：以有源層為掩膜，對第三柵絕緣薄膜構(gòu)圖。
[0106] 具體的，如圖16所示，在襯底基板上形成有源層，以有源層為掩膜，對第三柵絕緣 薄膜構(gòu)圖具體包括：
[0107] 步驟201、如圖17所示，在第三柵絕緣薄23上沉積半導(dǎo)體材料，以形成半導(dǎo)體薄膜 24。
[0108] 步驟201、如圖17所示，在半導(dǎo)體薄膜24上形成光刻膠25。
[0109] 步驟201、如圖18所示，對光刻膠25進(jìn)行曝光、顯影，顯影后部分光刻膠25被去 除，形成光刻膠保留部分，其中，光刻膠25保留部分位于對應(yīng)柵極11的位置處，光刻膠去除 部分至少位于對應(yīng)柵線引線12的位置處。
[0110] 步驟201、如圖19所示，依次刻蝕光刻膠去除部分的半導(dǎo)體薄膜24和第三柵絕緣 薄膜23,以形成有源層14和第三子層131。
[0111] 需要說明的是，可是第三柵絕緣薄膜可以是通過終點(diǎn)刻蝕檢測機(jī)準(zhǔn)確找到第三 柵絕緣薄膜的刻蝕終點(diǎn)，保證完全刻蝕第三柵絕緣薄膜。但由于工藝原因，在刻蝕第三柵絕 緣薄膜時(shí)，有可能會刻蝕到第二柵絕緣薄膜，則只要確定刻蝕第三柵絕緣薄膜之后，第二柵 絕緣薄膜的厚度不小于丨00 A。
[0112] 步驟201、如圖20所示，將光刻膠25剝離。
[0113] 可選的，如圖21所示，在步驟102之后，方法還包括：
[0114] 步驟106、如圖7所示，形成源漏金屬層，源漏金屬層包括源極15、漏極16以及填 充在過孔位置處的連接電極17,連接電極17在過孔處與柵線引線12直接接觸。
[0115] 下面，提供一具體實(shí)施例，詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的制作方法，如圖22 所示，所述方法包括：<