陣列基板的制備方法，陣列基板、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板的制備方法，陣列基板、顯示面板、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]顯示裝置中的陣列基板一般包括多晶硅作為有源層形成的薄膜晶體管，背光源或者環(huán)境光中的高能光的照射到多晶硅有源層的溝道區(qū)，會引起電子躍迀等現象，從而影響薄膜晶體管的穩(wěn)定性。
[0003]—般在背光源或環(huán)境光與有源層之間設置擋光層，為了使擋光層最大限度的保護有源層的溝道區(qū)，一般將擋光層的尺寸設計的大于或等于有源層的尺寸，并在光的入射方向上擋光層和有源層進行對齊設置。
[0004]—般制備擋光層時，使用擋光層掩膜板進行曝光、然后進行顯影、刻蝕等圖形化處理；在制備有源層時采用有源層掩膜板進行曝光、然后進行顯影、刻蝕等圖形化處理；也就是說擋光層和有源層分別采用各自的掩膜板，分別圖形化，這樣制備過程中必須使用兩個掩膜板，兩次構圖工藝，制備工藝復雜、制備成本較高；
[0005]同時，擋光層和有源層分別制備還涉及制備過程中的圖案對齊的問題，對對齊的精度要求比較高，相應的對設備和控制要求比較高，導致成本較高、控制復雜。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明的目的是解決現有技術中陣列基板的擋光層和有源層分別圖形化產生工藝復雜、成本較高的問題。
[0007]解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0008]采用同一掩膜板形成間隔布置的非晶硅層和多晶硅層的圖形的步驟。
[0009]優(yōu)選的，所述采用同一掩膜板形成間隔布置的非晶硅層和多晶硅層的圖形的步驟包括:
[0010]在所述多晶硅層上形成光刻膠，并采用掩膜板進行曝光、顯影；
[0011]對所述多晶硅層和非晶硅層進行第一次刻蝕形成非晶硅的圖形；
[0012]對光刻膠進行灰化處理的步驟，使光刻膠形成與多晶硅圖形對應的圖形；
[0013]對多晶硅層進行第二次刻蝕形成多晶硅的圖形。
[0014]優(yōu)選的，所述采用同一掩膜板形成間隔布置的非晶硅層和多晶硅層的圖形的步驟包括:
[0015]在所述多晶硅層上形成光刻膠，并采用半透掩膜板進行曝光、顯影，使所述光刻膠形成中心區(qū)域厚度大于邊緣區(qū)域的圖形，其中，所述光刻膠的圖形與所述非晶硅層的圖形相對應，
[0016]所述中心區(qū)域的圖形與所述多晶硅層的圖形相對應；
[0017]對所述多晶硅層和非晶硅層進行刻蝕形成非晶硅層和多晶硅層的圖形。
[0018]優(yōu)選的，在采用同一掩膜板形成間隔布置的非晶硅層和多晶硅層的圖形的步驟之前還包括:
[0019]在襯底上依次沉積第一緩沖層、第一非晶硅層、第二緩沖層、第二非晶硅層的步驟；
[0020]將第二非晶硅層轉化為多晶硅層的步驟；
[0021]所述將第二非晶硅層轉化為多晶硅層的步驟包括:對第二非晶硅層進行脫氫處理的步驟和準分子激光處理的步驟。
[0022]本發(fā)明的另一個目的還包括提供一種陣列基板，所述陣列基板是采用上述的陣列基板的制備方法制備的。
[0023]本發(fā)明的另一個目的還包括提供一種顯示面板，所述顯示面+包括上述的陣列基板。
[0024]本發(fā)明的另一個目的還包括提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的顯示面板。
[0025]本發(fā)明的陣列基板的制備方法，陣列基板、顯示面板、顯示裝置，由于采用同一掩膜板將陣列基板的擋光層和有源層進行圖形化，節(jié)省了掩膜板的數量、節(jié)省了一步構圖工藝、降低了成本；同時無需考慮構圖工藝過程中的對齊問題，降低對設備的要求和控制精度。
【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明實施例1或實施例2中沉積了第一緩沖層、第一非晶硅層、第二緩沖層、第二非晶硅層的陣列基板的結構示意圖。
[0027]圖2為本發(fā)明實施例1或實施例2中對第二非晶硅層進行脫氫處理和準分子激光處理后的陣列基板的結構示意圖。
[0028]圖3為本發(fā)明實施例1中采用掩膜板曝光、顯影后的陣列基板的結構示意圖。
[0029]圖4為本發(fā)明實施例1中進行第一次刻蝕后陣列基板的結構示意圖。
[0030]圖5為本發(fā)明實施例1中對光刻膠進行灰化處理后陣列基板的結構示意圖。
[0031]圖6為本發(fā)明實施例1中進行第二次刻蝕后陣列基板的結構示意圖。
[0032]圖7為本發(fā)明實施例1中進行第二次刻蝕剝離光刻膠后陣列基板的結構示意圖。
[0033]圖8為本發(fā)明實施例2中采用半透掩膜板進行曝光、顯影后陣列基板的結構示意圖。
[0034]圖9為本發(fā)明實施例2中進行刻蝕后陣列基板的結構示意圖。
[0035]圖10為本發(fā)明實施例2中剝離光刻膠后陣列基板的結構示意圖。
[0036]其中:
[0037]1.襯底；2.第一緩沖層；3.第一非晶硅層；4.第二緩沖層；5.第二非晶硅層；51.多晶硅層；6.光刻膠。
【具體實施方式】
[0038]為使本領域技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0039]實施例1
[0040]如圖1所示，本實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0041]采用同一掩膜板形成間隔布置的非晶硅層和多晶硅層的圖形的步驟。
[0042]本實施例中的陣列基板的制備方法，由于采用同一掩膜板將陣列基板的擋光層和有源層進行圖形化，節(jié)省了掩膜板的數量、節(jié)省了一步構圖工藝、降低了成本；同時無需考慮構圖工藝過程中的對齊問題，降低對設備的要求和控制精度。
[0043]具體地，可以采用如下步驟進行陣列基板的制備:
[0044]S1:在襯底上依次沉積第一緩沖層、第一非晶硅層、第二緩沖層、第二非晶硅層的步驟；
[0045]如圖1所示，在襯底I上依次沉積第一緩沖層2、第一非晶硅層3、第二緩沖層4、第二非晶硅層5，
[0046]應當理解的是，可以采用等離子體增強化學氣相沉積法制備上述功能層，具體的沉積方法為現有技術范疇，在此不再一一贅述。
[0047]S2:將第二非晶硅層轉化為多晶硅層的步驟；
[0048]如圖2所示，對第二非晶硅層5進行脫氫處理和準分子激光處理，使得第二非晶硅層5轉化為多晶硅層51，上述的脫氫處理和準分子激光