處理為現(xiàn)有技術(shù)范疇，在此不再
--贅述。
[0049]S3:在所述多晶硅層51上形成光刻膠，并采用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影；
[0050]如圖3所示，采用掩膜板曝光、顯影后使得光刻膠6的圖形與將要形成的第一非晶娃層3的圖形相同。
[0051]S4:對所述多晶硅層和第一非晶硅層進(jìn)行第一次刻蝕形成第一非晶硅層的圖形；
[0052]采用干法刻蝕，具體地，可以采用氯氣對多晶硅層51、第二緩沖層4和第一非晶硅層3進(jìn)行刻蝕，形成如圖4所示的第一非晶硅層3的圖形。
[0053]S5:對光刻膠進(jìn)行灰化處理的步驟，使光刻膠形成與多晶硅圖形對應(yīng)的圖形；
[0054]如圖5所示，具體地，灰化處理可以采用氧氣對光刻膠6進(jìn)行干法刻蝕，使得光刻膠6的圖形與將要形成的多晶硅層51的圖形相同。
[0055]S6:對多晶硅層進(jìn)行第二次刻蝕形成多晶硅的圖形；
[0056]采用干法刻蝕，具體地可以采用氯氣對多晶硅層51進(jìn)行刻蝕，形成如圖6所示的多晶硅層51的圖形。進(jìn)一步剝離光刻膠6后陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖7所示。
[0057]可選的，繼續(xù)制備陣列基板的其它必須的功能層，在此不再一一贅述。
[0058]實(shí)施例2
[0059]本實(shí)施例提供另一種陣列基板的制備方法，具體地，可以采用如下步驟進(jìn)行陣列基板的制備:
[0060]S1:在襯底上依次沉積第一緩沖層、第一非晶硅層、第二緩沖層、第二非晶硅層的步驟；
[0061]如圖1所示，在襯底I上依次沉積第一緩沖層2、第一非晶硅層3、第二緩沖層4、第二非晶硅層5，
[0062]應(yīng)當(dāng)理解的是，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備上述功能層，具體的沉積方法為現(xiàn)有技術(shù)范疇，在此不再一一贅述。
[0063]S2:將第二非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層的步驟；
[0064]如圖2所示，對第二非晶硅層5進(jìn)行脫氫處理和準(zhǔn)分子激光處理，使得第二非晶硅層5轉(zhuǎn)化為多晶硅層51，上述的脫氫處理和準(zhǔn)分子激光處理為現(xiàn)有技術(shù)范疇，在此不再
--贅述。
[0065]S3:如圖8所示，在所述多晶硅層51上形成光刻膠6，并采用半透掩膜板進(jìn)行曝光、顯影；使所述光刻膠6形成中心區(qū)域厚度大于邊緣區(qū)域的圖形，其中，所述光刻膠6的圖形與所述第一非晶硅層3的圖形相對應(yīng)，所述中心區(qū)域的圖形與所述多晶硅層51的圖形相對應(yīng)；
[0066]S4:對所述多晶娃層51和非晶娃層進(jìn)行刻蝕形成第一非晶娃層和多晶娃層51的圖形。
[0067]如圖9所示，通過干法刻蝕，具體方法可以與實(shí)施例1中的干法刻蝕相同，一次刻蝕同時形成第一非晶硅層3和多晶硅層51的圖形。
[0068]剝離光刻膠6后形成陣列基板如圖10所示。
[0069]可選的，繼續(xù)制備陣列基板的其它必須的功能層，在此不再一一贅述。
[0070]實(shí)施例3
[0071]本實(shí)施例提供一種陣列基板，所述陣列基板是采用上述的陣列基板的制備方法制備的。
[0072]實(shí)施例4
[0073]本實(shí)施例提供一種顯示面板，所述顯示面板包括上述的陣列基板。
[0074]實(shí)施例5
[0075]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的顯示面板。
[0076]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 采用同一掩膜板形成間隔布置的非晶硅層和多晶硅層的圖形的步驟。2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于， 所述采用同一掩膜板形成間隔布置的非晶硅層和多晶硅層的圖形的步驟包括: 在所述多晶硅層上形成光刻膠，并采用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影； 對所述多晶硅層和非晶硅層進(jìn)行第一次刻蝕形成非晶硅的圖形； 對光刻膠進(jìn)行灰化處理的步驟，使光刻膠形成與多晶硅圖形對應(yīng)的圖形； 對多晶硅層進(jìn)行第二次刻蝕形成多晶硅的圖形。3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于， 所述采用同一掩膜板形成間隔布置的非晶硅層和多晶硅層的圖形的步驟包括: 在所述多晶硅層上形成光刻膠，并采用半透掩膜板進(jìn)行曝光、顯影，使所述光刻膠形成中心區(qū)域厚度大于邊緣區(qū)域的圖形，其中，所述光刻膠的圖形與所述非晶硅層的圖形相對應(yīng)， 所述中心區(qū)域的圖形與所述多晶硅層的圖形相對應(yīng)； 對所述多晶硅層和非晶硅層進(jìn)行刻蝕形成非晶硅層和多晶硅層的圖形。4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于， 在采用同一掩膜板形成間隔布置的非晶硅層和多晶硅層的圖形的步驟之前還包括: 在襯底上依次沉積第一緩沖層、第一非晶硅層、第二緩沖層、第二非晶硅層的步驟； 將第二非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層的步驟； 所述將第二非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層的步驟包括:對第二非晶硅層進(jìn)行脫氫處理的步驟和準(zhǔn)分子激光處理的步驟。5.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板是采用如權(quán)利要求1-4任一所述陣列基板的制備方法制備的。6.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權(quán)利要求5所述的陣列基板。7.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求6所述的顯示面板。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法，陣列基板、顯示面板、顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，其可解決現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的擋光層和有源層分別圖形化產(chǎn)生工藝復(fù)雜、成本較高的問題。本發(fā)明的陣列基板的制備方法，陣列基板、顯示面板、顯示裝置，由于采用同一掩膜板將陣列基板的擋光層和有源層進(jìn)行圖形化，節(jié)省了掩膜板的數(shù)量、節(jié)省了一步構(gòu)圖工藝、降低了成本；同時無需考慮構(gòu)圖工藝過程中的對齊問題，降低對設(shè)備的要求和控制精度。
【IPC分類】H01L21/77, H01L27/12
【公開號】CN105140177
【申請?zhí)枴緾N201510434559
【發(fā)明人】趙生偉, 劉華鋒, 張凱
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年7月22日