至少I(mǎi)個(gè)絕緣層12C由低介電常數(shù)材料(Low_k材料)構(gòu)成。電極焊盤(pán)15經(jīng)由電路部14與攝像部13連接。
[0040]另外，多個(gè)導(dǎo)體層12A的導(dǎo)電性材料可以由不同的材料構(gòu)成。此外，多個(gè)絕緣層12B的絕緣材料可以由不同的材料構(gòu)成。并且，至少I(mǎi)個(gè)絕緣層12C由低介電常數(shù)材料(Low-k材料)構(gòu)成。
[0041]低介電常數(shù)材料是指，相對(duì)介電常數(shù)k比氧化硅(k = 4.0)低的材料，優(yōu)選為相對(duì)介電常數(shù)k為3.0以下的材料。由于技術(shù)性限制，低介電常數(shù)材料的相對(duì)介電常數(shù)k的下限值為2.0以上，優(yōu)選為1.5以上。
[0042]在攝像裝置I中，絕緣層12C的低介電常數(shù)材料為多孔S1C (k = 2.7)。多孔S1C是主要大量含有S1-CH3基的含甲基聚硅氧烷，由于CH3的存在而在分子結(jié)構(gòu)內(nèi)產(chǎn)生間隙，所以是多孔質(zhì)，相對(duì)介電常數(shù)k低。
[0043]作為絕緣層12C的材料，也能夠使用S1F或S1CH基底的多孔材料、納米二氧化娃集群(Nano Clustering Silica)膜等多孔二氧化娃系材料、被稱(chēng)作多孔HSQ的含氫聚娃氧烷、或者、有機(jī)聚合物或有機(jī)聚合物的多孔材料等。
[0044]包圍攝像部13、電路部14和電極焊盤(pán)15的保護(hù)環(huán)16是切斷水向比保護(hù)環(huán)16的內(nèi)緣靠?jī)?nèi)側(cè)的區(qū)域的滲透的環(huán)狀的防濕壁。如已經(jīng)說(shuō)明的那樣，由低介電常數(shù)材料構(gòu)成的絕緣層12C的耐濕性不充分。保護(hù)環(huán)16由耐濕性比絕緣層12C的低介電常數(shù)材料優(yōu)良的材料構(gòu)成，切斷了水向保護(hù)環(huán)16的內(nèi)側(cè)的低介電常數(shù)材料的滲透。
[0045]根據(jù)制造工序和攝像裝置I的規(guī)格，從耐濕性比低介電常數(shù)材料優(yōu)良的材料中選擇保護(hù)環(huán)16的材料。在攝像裝置I中，保護(hù)環(huán)16和電路部14都是層疊膜12的一部分，在半導(dǎo)體基板11上形成電路部14時(shí)，同時(shí)形成保護(hù)環(huán)16。S卩，保護(hù)環(huán)16依照具有多個(gè)層的電路部14的形成工序，由通過(guò)層疊多個(gè)層而形成的環(huán)狀的層疊膜構(gòu)成。
[0046]在將絕緣層12C層疊在電路部14上時(shí)，不在保護(hù)環(huán)16上層疊與絕緣層12C相同的低介電常數(shù)材料層。例如，可以在形成電路部14時(shí)，對(duì)除絕緣層12C以外的層進(jìn)行層疊而形成保護(hù)環(huán)16。另一方面，在僅由多個(gè)導(dǎo)體層12A和多個(gè)絕緣層12C構(gòu)成了電路部14的情況下，保護(hù)環(huán)16由多個(gè)導(dǎo)體層12A形成。
[0047]此外，保護(hù)環(huán)16的一部分可以由與電路部14的構(gòu)成層一體的層構(gòu)成。例如，可以由電路部14的絕緣層12B的延伸設(shè)置部構(gòu)成保護(hù)環(huán)16的一個(gè)層。
[0048]保護(hù)環(huán)16由從構(gòu)成電路部14的多個(gè)材料中選擇的I種以上的材料構(gòu)成。例如，電路部14的導(dǎo)體層12A由銅等金屬構(gòu)成，所以耐濕性?xún)?yōu)良。并且，在形成多個(gè)導(dǎo)體層12A時(shí)，同時(shí)形成層疊了銅層的保護(hù)環(huán)16。
[0049]此外，在電路部14的絕緣層12B由氧化硅或氮化硅構(gòu)成的情況下，在形成多個(gè)絕緣層12B時(shí)，同時(shí)形成層疊了氧化硅層等的保護(hù)環(huán)16。
[0050]此外，保護(hù)環(huán)16可以是例如銅層和氧化硅層的層疊膜。S卩，保護(hù)環(huán)16可以通過(guò)由多個(gè)不同材料構(gòu)成的多個(gè)層構(gòu)成。
[0051]雖然由構(gòu)成絕緣層12C的低介電常數(shù)材料構(gòu)成的層優(yōu)選不位于保護(hù)環(huán)16的外側(cè)，但是也可以位于保護(hù)環(huán)16的外側(cè)。這是為了防止水向保護(hù)環(huán)16的內(nèi)部的滲透。
[0052]可以在形成電路部14(層疊膜12)之后，配設(shè)保護(hù)環(huán)。例如，也可以是，在形成層疊膜12時(shí)，預(yù)先設(shè)置槽部作為保護(hù)環(huán)配設(shè)部，在進(jìn)行玻璃罩粘接之前，將O型環(huán)作為保護(hù)環(huán)嵌入到槽部。此外，保護(hù)環(huán)可以是由內(nèi)側(cè)環(huán)和外側(cè)環(huán)構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。
[0053]并且，經(jīng)由粘接層20粘接在攝像元件芯片10的第I主面1SA上的作為透明部件的玻璃罩30的俯視尺寸與攝像元件芯片10相同。因此，玻璃罩30覆蓋比保護(hù)環(huán)16的外緣靠?jī)?nèi)側(cè)的區(qū)域。如果透明部件是在攝像部13接收的光的波長(zhǎng)區(qū)域中透光率較高的材料，則可以由樹(shù)脂等構(gòu)成。厚度足夠厚的玻璃罩30切斷水從上部向電路部14等的滲透。
[0054]粘接層20由耐濕性比絕緣層12C的低介電常數(shù)材料優(yōu)良的環(huán)氧樹(shù)脂或者硅樹(shù)脂等透明樹(shù)脂構(gòu)成。
[0055]形成在攝像裝置I的第I主面1SA上的攝像部13、電路部14和電極焊盤(pán)15等通過(guò)保護(hù)環(huán)16切斷了來(lái)自側(cè)面的水的滲透，并通過(guò)玻璃罩30切斷了來(lái)自上表面的水的滲透。因此，攝像裝置I是俯視尺寸較小且生產(chǎn)性?xún)?yōu)良的芯片尺寸封裝，可靠性較高。
[0056]即使將攝像裝置I放置在例如85°C且濕度為85%的高溫多濕環(huán)境中1000小時(shí)，特性也不會(huì)劣化。
[0057]進(jìn)而，在攝像裝置I中，在形成作為層疊膜12的一部分的電路部14時(shí)，作為層疊膜12的另一個(gè)部分，同時(shí)形成保護(hù)環(huán)16，所以生產(chǎn)性較好。
[0058](第2實(shí)施方式)
[0059]接著，說(shuō)明第2實(shí)施方式的攝像裝置1A。因?yàn)閿z像裝置IA與攝像裝置I類(lèi)似，所以對(duì)相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的符號(hào)，并省略其說(shuō)明。
[0060]在攝像裝置I中，攝像部13等通過(guò)保護(hù)環(huán)16防止來(lái)自側(cè)面的水的滲透。但是，貫穿插入至中央?yún)^(qū)域的粘接層20的端面露出，該中央?yún)^(qū)域在攝像裝置I的側(cè)面形成了攝像部13等。粘接層20的耐濕性不差。但是，根據(jù)攝像裝置的規(guī)格的不同，對(duì)粘接層20要求較高的透光性，所以有時(shí)候使用耐濕性足夠高的材料并不容易。因此，根據(jù)使用環(huán)境的不同，水有可能經(jīng)由粘接層20滲透到攝像部13等。
[0061]與此相對(duì)，如圖4和圖5所示，在攝像裝置IA中，后環(huán)31被保護(hù)環(huán)16和玻璃罩30挾持。后環(huán)31是沿著保護(hù)環(huán)16的上表面無(wú)縫連接的環(huán)形。在保護(hù)環(huán)16的上表面與玻璃罩30之間配設(shè)有后環(huán)31，所以粘接層20通過(guò)后環(huán)31被完全分隔成中央部和外周部。
[0062]后環(huán)31由耐濕性比粘接層20的材料更優(yōu)良的材料構(gòu)成，其中，該粘接層20的耐濕性比低介電常數(shù)材料優(yōu)良。例如，后環(huán)31由銅、鎳、鋁等金屬、或者氧化硅等無(wú)機(jī)物構(gòu)成。
[0063]優(yōu)先在將玻璃罩30與攝像元件芯片1A粘接之前，預(yù)先在玻璃罩30上形成后環(huán)31。例如，通過(guò)蒸鍍法在玻璃罩30上形成金屬膜，并進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成期望的厚度的環(huán)形的后環(huán)31。
[0064]攝像裝置IA具有攝像裝置I的效果，進(jìn)而通過(guò)后環(huán)31防止水經(jīng)由粘接層20的滲透，所以可靠性較高。
[0065]另外，在攝像裝置IA中，在攝像元件芯片1A的攝像部13之上配設(shè)有彩色濾光片13F、微透鏡13L。
[0066](第2實(shí)施方式的變形例)
[0067]在圖6所示的第2實(shí)施方式的變形例的攝像裝置IB中，玻璃罩30的俯視尺寸比攝像元件芯片10的俯視尺寸大。
[0068]S卩，如果玻璃罩30覆蓋了比保護(hù)環(huán)16的外緣靠?jī)?nèi)側(cè)的區(qū)域，則能夠防止水向形成于內(nèi)側(cè)的區(qū)域的電路部14的滲透。S卩，如果玻璃罩的俯視尺寸大于保護(hù)環(huán)16的外緣的俯視尺寸，則無(wú)論俯視尺寸大于還是小于攝像元件芯片10的俯視尺寸，都具有與攝像裝置I相同的效果。
[0069]另外，在微透鏡13L與玻璃罩30之間配設(shè)有粘接層20B。因此，微透鏡13L的聚光效率提高，靈敏度較高。另外，由于在攝像部13的上側(cè)未配設(shè)粘接層20B，所以無(wú)需透明，也可以是具有遮光功能的樹(shù)脂等。
[0070](第3實(shí)施方式)
[0071]接著，說(shuō)明第3實(shí)施方式的攝像裝置1C。因?yàn)閿z像裝置IC與攝像裝置1、1A、IB類(lèi)似，所以對(duì)相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的符號(hào)，并省略其說(shuō)明。
[0072]如圖7和圖8所示，在攝像裝置IC中，在攝像元件芯片1C的第I主面1SA上形成有與電路部14連接的作為金屬凸塊(bump)的接合電極15C。在接合電極15C上接合有用于向攝像部13傳遞輸入輸出信號(hào)的信號(hào)取出導(dǎo)線50。
[0073]并且，通過(guò)密封樹(shù)脂40對(duì)未被玻璃罩30C隔著粘接層20C覆蓋的區(qū)域進(jìn)行密封。密封樹(shù)脂40從環(huán)氧樹(shù)脂或者硅樹(shù)脂等耐濕性?xún)?yōu)良的樹(shù)脂中選擇。另外，在圖7等中，圖示了將密封樹(shù)脂40作為透明材料，但是，密封樹(shù)脂40可以是遮光性材料。
[0074]攝像裝置IC也可配設(shè)直角棱鏡等來(lái)代替玻璃罩30C。
[0075]保護(hù)環(huán)16包圍攝像部13、電路部14和接合電極15C。保護(hù)環(huán)16的上表面的一部分由玻璃罩30C覆蓋，未由玻璃罩30C覆蓋的部分由密封樹(shù)脂40覆蓋。
[0076]因此，攝像裝置IC具有與攝像裝置I等相同的效果。而且，攝像裝置IC無(wú)