一種雙面顯示基板及其制備方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種雙面顯示基板及其制備方法和顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]以薄膜晶體管作為控制元件，有機(jī)電致發(fā)光器件OLED作為光發(fā)射介質(zhì)的顯示產(chǎn)品具有高清晰度、廣視角、易實(shí)現(xiàn)彎曲柔性化顯示等優(yōu)勢得到越來越多的重視。
[0003]隨著OLED顯示產(chǎn)品的應(yīng)用，越來越多的場合需要具有雙面顯示效果的OLED顯示屏。目前，雙面顯示的OLED顯示屏主要采用將兩個(gè)單面顯示的OLED屏10經(jīng)過貼合的方式來實(shí)現(xiàn)雙面顯示效果，如圖1所示。這種方式制備工藝復(fù)雜，OLED屏中的各個(gè)膜層結(jié)構(gòu)以及薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)電路都需要制備雙份，不僅不利于降低雙面OLED顯示屏的制備成本與能耗成本，而且還具有厚度和體積過大，重量過重等不足；同時(shí)還會(huì)影響到OLED雙面顯示屏的良率與顯示質(zhì)量。上述缺陷不僅延長了 OLED雙面顯示屏的生產(chǎn)周期，而且也不利于OLED雙面顯示屏在市場上的快速推廣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，提供一種雙面顯示基板及其制備方法和顯示裝置。該雙面顯示基板不僅有效地減小了雙面顯示基板的厚度和體積，降低了雙面顯示基板的制備成本與能耗成本，簡化了設(shè)計(jì)難度，而且縮短了顯示基板的生產(chǎn)周期，提升了顯示基板的良率和顯示質(zhì)量，從而實(shí)現(xiàn)了雙面顯示基板的快速制備與推廣。
[0005]本發(fā)明提供一種雙面顯示基板，包括若干個(gè)設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的子像素單元，所述子像素單元包括用于正面顯示的正面發(fā)光層、用于反面顯示的反面發(fā)光層、像素電極層、公共電極層和驅(qū)動(dòng)晶體管，所述正面發(fā)光層和所述反面發(fā)光層均分別夾設(shè)于與其對(duì)應(yīng)的所述像素電極層和所述公共電極層之間，所述驅(qū)動(dòng)晶體管用于控制所述正面發(fā)光層和所述反面發(fā)光層進(jìn)行發(fā)光，所述反面發(fā)光層和/或所述正面發(fā)光層對(duì)應(yīng)的所述公共電極層與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極層同層設(shè)置。
[0006]優(yōu)選地，所述子像素單元包括一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管用于對(duì)所述正面發(fā)光層和所述反面發(fā)光層進(jìn)行共同控制；所述正面發(fā)光層和所述反面發(fā)光層共用同一所述像素電極層，所述公共電極層包括對(duì)應(yīng)所述正面發(fā)光層的第一公共電極層和對(duì)應(yīng)所述反面發(fā)光層的第二公共電極層；所述第二公共電極層與所述柵電極層同層設(shè)置，所述像素電極層與所述驅(qū)動(dòng)晶體管連接。
[0007]優(yōu)選地，還包括襯底，所述驅(qū)動(dòng)晶體管設(shè)置在所述襯底上，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極層位于其有源區(qū)的上方，所述柵電極層和所述有源區(qū)之間夾設(shè)有柵絕緣層，所述柵電極層與所述第二公共電極層同層設(shè)置；
[0008]所述柵電極層上設(shè)置有第一絕緣層，所述第一絕緣層在對(duì)應(yīng)所述第二公共電極層的位置開設(shè)有第一開口區(qū)域，所述第一絕緣層上在對(duì)應(yīng)所述第一開口區(qū)域的位置設(shè)置有所述反面發(fā)光層，所述反面發(fā)光層通過所述第一開口區(qū)域與所述第二公共電極層連接；
[0009]所述反面發(fā)光層上設(shè)置有所述像素電極層，所述像素電極層與所述反面發(fā)光層連接；所述第一絕緣層和所述柵絕緣層在對(duì)應(yīng)所述驅(qū)動(dòng)晶體管漏極的位置開設(shè)有第一過孔，所述像素電極層通過所述第一過孔與所述漏極連接；
[0010]所述像素電極層上設(shè)置有第二絕緣層，所述第二絕緣層在對(duì)應(yīng)所述像素電極層的位置開設(shè)有第二開口區(qū)域，所述第二絕緣層上在對(duì)應(yīng)所述第二開口區(qū)域的位置設(shè)置有所述正面發(fā)光層，所述正面發(fā)光層通過所述第二開口區(qū)域與所述像素電極層連接；
[0011]所述正面發(fā)光層上設(shè)置有所述第一公共電極層，所述第一公共電極層與所述正面發(fā)光層連接。
[0012]優(yōu)選地，所述子像素單元包括用于控制所述正面發(fā)光層發(fā)光的第一驅(qū)動(dòng)晶體管和用于控制所述反面發(fā)光層發(fā)光的第二驅(qū)動(dòng)晶體管，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管和所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管共用同一所述柵電極層；所述像素電極層包括對(duì)應(yīng)所述正面發(fā)光層的第一像素電極層和對(duì)應(yīng)所述反面發(fā)光層的第二像素電極層，所述正面發(fā)光層和所述反面發(fā)光層共用同一所述公共電極層，所述公共電極層與所述柵電極層同層設(shè)置。
[0013]優(yōu)選地，在所述雙面顯示基板的垂直于其顯示面的縱切面上，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管和所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的位置相對(duì)應(yīng)，所述正面發(fā)光層、所述反面發(fā)光層、所述第一像素電極層、所述第二像素電極層和所述公共電極層的位置相對(duì)應(yīng)；
[0014]所述正面發(fā)光層和所述第一像素電極層依次設(shè)置在所述公共電極層的遠(yuǎn)離所述反面發(fā)光層的一側(cè)，所述反面發(fā)光層和所述第二像素電極層依次設(shè)置在所述公共電極層的遠(yuǎn)離所述正面發(fā)光層的一側(cè)；所述正面發(fā)光層和所述反面發(fā)光層以所述公共電極層為軸對(duì)稱，所述第一像素電極層和所述第二像素電極層以所述公共電極層為軸對(duì)稱；且所述第一像素電極層、所述正面發(fā)光層、所述公共電極層、所述反面發(fā)光層和所述第二像素電極層相互接觸并連接；
[0015]所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)以及分設(shè)在所述有源區(qū)遠(yuǎn)離所述柵電極層一側(cè)的相對(duì)兩端的源極和漏極與所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)以及分設(shè)在所述有源區(qū)遠(yuǎn)離所述柵電極層一側(cè)的相對(duì)兩端的源極和漏極以所述柵電極層為軸對(duì)稱，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)與所述柵電極層之間夾設(shè)有第一柵絕緣層，所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)與所述柵電極層之間夾設(shè)有第二柵絕緣層；
[0016]所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)遠(yuǎn)離所述柵電極層的一側(cè)還設(shè)置有第三絕緣層，所述第三絕緣層在對(duì)應(yīng)所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極的位置開設(shè)有第二過孔，所述第一像素電極層和所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極通過所述第二過孔連接；所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)遠(yuǎn)離所述柵電極層的一側(cè)還設(shè)置有第四絕緣層，所述第四絕緣層在對(duì)應(yīng)所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極的位置開設(shè)有第三過孔，所述第二像素電極和所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極通過所述第三過孔連接。
[0017]優(yōu)選地，所述子像素單元包括用于控制所述正面發(fā)光層發(fā)光的第一驅(qū)動(dòng)晶體管和用于控制所述反面發(fā)光層發(fā)光的第二驅(qū)動(dòng)晶體管，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管和所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管共用同一所述柵電極層；所述像素電極層包括對(duì)應(yīng)所述正面發(fā)光層的第一像素電極層和對(duì)應(yīng)所述反面發(fā)光層的第二像素電極層，所述公共電極層包括對(duì)應(yīng)所述正面發(fā)光層的第一公共電極層和對(duì)應(yīng)所述反面發(fā)光層的第二公共電極層，所述第一公共電極層、所述第二公共電極層和所述柵電極層同層設(shè)置。
[0018]優(yōu)選地，在所述雙面顯示基板的垂直于其顯示面的縱切面上，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管和所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的位置相對(duì)應(yīng)，所述第一公共電極層和所述第二公共電極層分別位于所述柵電極層的左右兩側(cè)；
[0019]所述正面發(fā)光層和所述第一像素電極層依次設(shè)置在所述第一公共電極層的遠(yuǎn)離所述反面發(fā)光層的一側(cè)，且所述第一公共電極層、所述正面發(fā)光層和所述第一像素電極層位置對(duì)應(yīng)并相互接觸；所述反面發(fā)光層和所述第二像素電極層依次設(shè)置在所述第二公共電極層的遠(yuǎn)離所述正面發(fā)光層的一側(cè)，且所述第二公共電極層、所述反面發(fā)光層和所述第二像素電極層位置對(duì)應(yīng)并相互接觸；
[0020]所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)以及分設(shè)在所述有源區(qū)遠(yuǎn)離所述柵電極層一側(cè)的相對(duì)兩端的源極和漏極與所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)以及分設(shè)在所述有源區(qū)遠(yuǎn)離所述柵電極層一側(cè)的相對(duì)兩端的源極和漏極以所述柵電極層為軸對(duì)稱，所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)與所述柵電極層之間夾設(shè)有第一柵絕緣層，所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)與所述柵電極層之間夾設(shè)有第二柵絕緣層；
[0021]所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)遠(yuǎn)離所述柵電極層的一側(cè)還設(shè)置有第三絕緣層，所述第三絕緣層在對(duì)應(yīng)所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極的位置開設(shè)有第二過孔，所述第一像素電極層和所述第一驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極通過所述第二過孔連接；所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的有源區(qū)遠(yuǎn)離所述柵電極層的一側(cè)還設(shè)置有第四絕緣層，所述第四絕緣層在對(duì)應(yīng)所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極的位置開設(shè)有第三過孔，所述第二像素電極和所述第二驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極通過所述第三過孔連接。
[0022]優(yōu)選地，所述公共電極層包括一層透明導(dǎo)電材料層，所述柵電極層包括至少兩層導(dǎo)電材料層，所述柵電極層最靠近所述反面發(fā)光層的最底層導(dǎo)電材料層采用與所述公共電極層相同的透明導(dǎo)電材料，所述柵電極層的最底層以上的導(dǎo)電材料層采用金屬導(dǎo)電材料。
[0023]優(yōu)選地，在所述像素區(qū)域以外的信號(hào)走線區(qū)，信號(hào)走線采用與所述柵電極層相同的結(jié)構(gòu)。
[0024]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述雙面顯示基板。<